CHƯƠNG 2 CƠ SỞ THỰC NGHIỆM VÀ PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU
2.4. Phương pháp xác đặc tính hóa lý của tinh bột
2.4.1. Xác định khả năng trương nở và độ hòa tan [52]
Cân 0.5g tinh bột vào bình định mức và dùng nước cất định mức tới 10mL, đưa vào nồi cách thuỷ ở nhiệt độ 30oC, 40oC, 50oC, 60oC, 70oC, 80oC trong 30 phút, 5 phút lắc một lần. Sau đó đi ly tâm (tốc độ 1600 vòng/phút trong 15 phút), thu được hai phần: tinh bột khơng hồ tan và nước dịch, đem sấy khô xác định khả năng trương nở và độ hoà tan của tinh bột.
- Khả năng trương nở (g/g mẫu) của tinh bột tính theo cơng thức:
Trong đó: m1 : Khối lượng tinh bột sau ly tâm (g)
m2 : Khối lượng tinh bột sau ly tâm đã sấy khơ (g). - Độ hồ tan (%) tính theo cơng thức:
Trong đó: m3 : Khối lượng chất hoà tan trong dung dịch sau ly tâm đem sấy (g)
m: Khối lượng mẫu thử (g).
2.4.2. Xác định độ nhớt
Hồ tan 10g tinh bột khơ vào nước cất sao cho tổng khối lượng nước và tinh bột là 200g. Đun sôi hỗn hợp trong 10 phút để hồ hố hồn tồn. Thực hiện phép đo độ nhớt bằng nhớt kế quay Brookfield (Mỹ) với tốc độ khuấy 100 rpm và quá trình hạ nhiệt độ từ 80oC đến 30oC [53].
2.4.3. Vi ảnh của các hạt tinh bột
Vi ảnh các hạt tinh bột xác định bằng kính hiển vi điện tử quét (SEM-Scaning Electronic Microscope trên thiết bị JSM-5412V (Japan).
2.4.4. Xác định phân bố kích thước hạt của tinh bột
Phân bố kích thước hạt được thực hiện bằng phương pháp tán xạ laser trên thiết bị Horiba LA-950 tại Phịng Cơng nghệ hố dầu, Trường đại học Bách khoa Hà Nội và trên thiết bị Horiba LA-920 tại trường đại học Bách khoa thành phố Hồ Chí Minh.
2.4.5. Phổ hồng ngoại
Phổ hồng ngoại FTIR được thực hiện trên thiết bị FTI IMPACT Nicolet 410 trong vùng 4000-400cm-1 tại Phịng phổ hồng ngoại, Viện Hố học, Viện Khoa học và Công nghệ Việt Nam. Mẫu được sấy khô 2 ngày trong tủ sấy chân không ở 60oC và sử dụng kỹ thuật ép viên với KBr.
2.4.6. Nhiễu xạ tia X
Đánh giá cấu trúc hạt được đo trên máy nhiễu xạ XRD - Rơnghen SIEMENS D5000 tại Viện Khoa học Vật liệu - Viện Khoa học và Công nghệ Việt Nam với điều kiện đo: tế bào CuK∞ (λ = 0.15406 nm), U = 35 kV, I = 35 mA, góc quét (ω - 2θ) từ 5o - 80o.