Kết quả tính số và thảo luận

Một phần của tài liệu (LUẬN án TIẾN sĩ) nghiên cứu một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều khi có mặt của sóng điện từ mạnh (bức xạ laser) (Trang 47 - 48)

2.1. Từ trở trong hố lƣợng tử với hố thế parabol khi có mặt của sóng điệntừ mạnh

2.1.2. Kết quả tính số và thảo luận

Để thấy rõ hơn sự phụ thuộc của từ trở tƣơng đối vào các tham số, cũng nhƣ sự phụ thuộc vào sóng điện từ trong cơng thức (2.24), chúng tơi xem xét từ trở với hố lƣợng tử GaAs/GaAsAl có các tham số sau: F 50meV , kB 1.3807 10 23 JK1,

5220 m s/

  và m* 0.0067m0 với m0là khối lƣợng tự do của điện tử. Để đơn giản, ta lấy N 0, N' 1,  1012s [12, 58].

Hình 2.1: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của từ trở tương đối vào nhiệt độ

Hình 2.1 cho ta thấy từ trở tƣơng đối là một hàm của nhiệt độ. Giá trị của từ trở tƣơng đối sẽ tăng nhanh khi nhiệt độ thấp và sau đó giảm mạnh. Với những giá trị khác nhau của điện trƣờng E1, chúng tôi thu đƣợc những đỉnh cộng hƣởng ở những giá trị nhiệt độ khác nhau. Nhƣ vậy, vị trí đỉnh cộng hƣởng phụ thuộc vào E1và T.

Hình 2.2 cho ta thấy sự phụ thuộc của từ trở tƣơng đối vào biên độ của sóng điện từ. Biên độ sóng điện từ càng cao thì giá trị từ trở tƣơng đối tăng càng nhanh. Đồ thị sự phụ thuộc của từ trở tƣơng đối vào biên độ E0 của sóng điện từ cũng thay đổi khi ta thay đổi các giá trị của tần số sóng điện từ . Chúng tơi cũng nhận thấy có một số sự khác biệt trong sự phụ thuộc của từ trở tƣơng đối vào nhiệt độ và biên độ sóng điện từ so với trong trƣờng hợp tán xạ điện tử - phonon quang [38]. Chúng tôi cũng thu đƣợc đồ thị giống nhƣ trong trƣờng hợp xét trong bán dẫn khối [45] khi ta cho tần số giam cầm  tiến tới 0.

Hình 2.2: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của từ trở tương đối vào biên độ sóng điện từ

Một phần của tài liệu (LUẬN án TIẾN sĩ) nghiên cứu một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều khi có mặt của sóng điện từ mạnh (bức xạ laser) (Trang 47 - 48)