Trong chƣơng này, chúng tơi thu đƣợc biểu thức giải tích cho trƣờng âm-điện- từ trong siêu mạng pha tạp khi có mặt của sóng điện từ mạnh. Chúng tơi chỉ ra sự phụ thuộc phi tuyến mạnh mẽ của trƣờng âm-điện-từ vào nhiệt độ T, tần số sóng điện từ, tần số sóng âm q và từ trƣờng ngoài B. Kết quả chỉ ra rằng nguyên nhân gây ra trƣờng âm-điện-từ là sự tồn tại của dịng hạt đƣợc tạo ra bởi những nhóm năng lƣợng khác nhau của điện tử và sự phụ thuộc của năng lƣợng điện tử vào thời gian phục hồi xung lƣợng. Thêm vào đó, sự hấp thụ sóng âm một cách lƣợng tử bởi điện tử đi kèm theo đó là điện tử giam cầm và sự có mặt của sóng điện từ mạnh làm cho trƣờng âm-điện-từ tăng lên. Kết quả tính tốn số chỉ ra rằng giá trị của trƣờng âm-điện-từ trong trƣờng hợp có sóng điện từ với cƣờng độ E0=1013(V/m) gấp hai lần so với trƣờng hợp khơng có sóng điện từ và vị trí đỉnh cộng hƣởng phụ thuộc khá mạnh vào tần số của sóng điện từ, từ trƣờng, tần số sóng âm hay các tham số của siêu mạng pha tạp GaAs:Si/GaAs:Be. Hơn thế nữa, khi từ trƣờng tăng lên thì trƣờng âm-điện-từ tăng phi tuyến theo từ trƣờng. Những sự phụ thuộc này khác so với trƣờng hợp trong bán dẫn khối [35, 64, 70], trong siêu mạng [28] và trong hố lƣợng tử [16, 20] đã đƣợc nghiên cứu. Những kết quả ở trên cho thấy đỉnh cộng hƣởng sẽ biến mất trong trƣờng hợp ta xét trong bán dẫn khối [35, 64, 70] và trong siêu mạng [28].
KẾT LUẬN
Bằng việc sử dụng phƣơng pháp phƣơng trình động lƣợng tử, chúng tôi đã nghiên cứu một số hiệu ứng động (từ trở, hiệu ứng Hall, hiệu ứng âm-điện-từ) trong một số hệ bán dẫn thấp chiều (hố lƣợng tử với hố thế parabol, siêu mạng pha tạp, siêu mạng hợp phần) khi có mặt của sóng điện từ mạnh (bức xạ laser). Các kết quả chính của luận án đƣợc tóm tắt nhƣ sau:
1. Lần đầu tiên áp dụng phƣơng trình động lƣợng tử cho điện tử trong hố lƣợng tử với hố thế parabol, trong siêu mạng pha tạp và siêu mạng hợp phần với hai cơ chế tƣơng tác điện - phonon âm và tƣơng tác điện tử - phonon quang khi có mặt của sóng điện từ mạnh (bức xạ laser), từ trƣờng và điện trƣờng không đổi hoặc có thêm sóng âm ngồi và thu đƣợc biểu thức giải tích của tensơ độ dẫn, từ trở, hệ số Hall, trƣờng âm-điện-từ trong các bán dẫn thấp chiều trên. Kết quả cho thấy từ trở, hệ số Hall, trƣờng âm-điện-từ trong các trƣờng hợp này phụ thuộc vào các đại lƣợng: từ trƣờng B, nhiệt độ T, các tham số của hệ bán dẫn thấp chiều, thời gian phục hồi xung lƣợng
, biên độ E0 và tần số của sóng điện từ. Những sự phụ thuộc này là phi tuyến và có sự khác biệt so với trong bán dẫn khối và trong trƣờng hợp tới hạn khi khơng có sóng điện từ mạnh thì trở về các kết quả tƣơng ứng của các tác giả khác.
2. Phân tích sự phụ thuộc của tensơ độ dẫn và từ trở phụ thuộc mạnh vào các tham số đặc trƣng cho vật liệu (hố lƣợng tử, siêu mạng hợp phần và siêu mạng pha tạp) và trong trƣờng hợp tới hạn thì cho kết quả phù hợp với kết quả trong bán dẫn khối. Trong một số trƣờng hợp, các kết quả lý thuyết thu đƣợc phù hợp với thực nghiệm và các kết quả lý thuyết khác. Các kết quả tính tốn số cho từ trở trong siêu mạng hợp phần GaN Al/ 0.25Ga0.75N còn cho thấy các dao động Shubnikov - de Haas có chu kỳ dao động khơng phụ thuộc vào nhiệt độ, biên độ dao động giảm khi nhiệt độ tăng.
3. Biểu thức giải tích của hệ số Hall trong siêu mạng hợp phần phụ thuộc vào cơ chế tƣơng tác điện tử - phonon âm và tƣơng tác điện tử - phonon quang khi có mặt của sóng điện từ mạnh (bức xạ laser). Kết quả tính số cho siêu mạng hợp phần chỉ ra rằng trong trƣờng hợp tƣơng tác điện tử - phonon âm, hệ số Hall đạt đến giá
trị bão hòa khi từ trƣờng hay tần số của sóng điện từ tăng lên, hệ số Hall còn phụ thuộc phi tuyến vào tần số sóng điện từ, cịn trong trƣờng hợp tƣơng tác điện tử - phonon quang, sự phụ thuộc của hệ số Hall vào nhiệt độ tăng lên từ khoảng 3 đến 12 lần so với trƣờng hợp khơng có mặt của sóng điện từ. Ngồi ra, sự có mặt của sóng điện từ khơng chỉ làm thay đổi độ lớn hệ số Hall mà cả điều kiện cộng hƣởng. Trong giới hạn khơng có mặt của sóng điện từ, các kết quả mà chúng tơi thu đƣợc cho sự phù hợp với số liệu thực nghiệm đã đƣợc nghiên cứu trƣớc đây.
4. Biểu thức giải tích của trƣờng âm-điện-từ trong siêu mạng pha tạp với tƣơng tác điện tử - phonon âm khi có mặt của sóng điện từ mạnh (bức xạ laser) tăng về độ lớn so với trƣờng hợp khơng có sóng điện từ. Kết quả tính tốn số chỉ ra rằng giá trị trƣờng âm-điện-từ (với sóng điện từ có cƣờng độ E0=1013 V/m) tăng gấp hai lần so với trƣờng hợp khơng có sóng điện từ. Và vị trí đỉnh cộng hƣởng phụ thuộc mạnh vào tần số của sóng điện từ, từ trƣờng và tần số sóng âm (điều kiện cộng hƣởng thay đổi).
Các kết quả tính số cho thấy khi có mặt sóng điện từ mạnh (bức xạ laser), các hiệu ứng động (từ trở, hiệu ứng Hall, hiệu ứng âm-điện-từ) thay đổi cả về định tính và định lƣợng. Trong giới hạn khơng có sóng điện từ chúng tơi thu lại đƣợc kết quả phù hợp với thực nghiệm và các lý thuyết khác.
Các kết quả góp phần hồn thiện hơn lý thuyết lƣợng tử về các tính chất vật lý của các bán dẫn thấp chiều. Các kết quả của luận án góp phần vào cơ sở cơng nghệ và kĩ thuật hiện đại để chế tạo các linh kiện điện tử siêu nhỏ, đa năng và thông minh trong tƣơng lai.
DANH MỤC CƠNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN ÁN
1. Nguyen Dinh Nam, Do Tuan Long, Nguyen Duc Huy, Nguyen Quang Bau (2012), “The influence of electromagnetic wave on the relative magnetoresistance in quantum wells with parabolic potential in the presence of magnetic field”. Proc. Natl. Conf. theor. Phys. 37, pp. 84-90.
2. Nguyen Dinh Nam, Do Tuan Long, Nguyen Vu Nhan (2014), “The dependences of the magnetoresistance in quantum wells with parabolic potential on some quantities under the influence of electromagnetic wave in the presence of magnetic field”, Integrated Ferroelectrics 155, pp. 45-51 (ISI).
3. Nguyen Dinh Nam, Nguyen Thi Lam Quynh, Nguyen Quang Bau (2015), “The Magnetoresistance in doped superlattice under the influence of electromagnetic wave in the presence of magnetic field”, VNU Journal of science, Mathematics-
Physics, Vol 31, No 2S, pp. 60-64.
4. Nguyen Quang Bau, Nguyen Dinh Nam, Bui Dinh Hoi (2015), “Dependencies of the Hall Coefficient on the Magnetic Field and the Frequency of an Electromagnetic Wave in a Compositional Semiconductor Superlattice”, VNU Journal of science, Mathematics-Physics, Vol 31, No 1S, pp. 73-78.
5. Bui Dinh Hoi, Nguyen Quang Bau, Nguyen Dinh Nam (2016), “Investigation of the magnetoresistivity in compositional superllatices under the influence of an intense electromagnetic wave”, International Journal of modern physics B 30,
pp. 1650004 (13 pages) (ISI).
6. Nguyen Dinh Nam, Nguyen Van Hieu, Nguyen Quang Bau (2016), “The Influence of the Electromagnetic Wave on the Acoustomagnetoelectric Effect in a Doped Superlattice”, Progress in Electromagnetics Research Symposium Proceedings, August 8 - 11, China, pp. 3888-3892 (SCOPUS).
TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt:
[1] Nguyễn Quang Báu, Bùi Bằng Đoan, Nguyễn Văn Hùng (1998), Vật lý thống kê, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội.
[2] Nguyễn Quang Báu, Hà Huy Bằng (2002), Lý thuyết trƣờng lƣợng tử cho hệ nhiều hạt, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội.
[3] Nguyễn Quang Báu, Đỗ Quốc Hùng, Vũ Văn Hùng, Lê Tuấn (2004), Lý thuyết bán dẫn thấp chiều, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội.
[4] Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Vũ Nhân (2016), Lý thuyết lƣợng tử các hiệu ứng động trong bán dẫn dƣới ảnh hƣởng của trƣờng sóng điện từ mạnh, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội.
[5] Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Vũ Nhân, Phạm Văn Bền (2007), Vật lý bán dẫn thấp chiều, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội.
Tiếng Anh:
[6] Balkan N., Celik H., Vickers A. J., and Cankurtaran M. (1995). , “Warm- electron power loss in GaAs/Ga1xAl Asx mutiple quantum wells: Well-width dependence”, Phys. Rev. B 52, pp. 17210-17222.
[7] N. Q. Bau, T. C. Phong (1998), “Calculations of the Absorption Coefficient of a Weak Electromagnetic Wave by free Carriers in Quantum Wells by the Kubo- Mori Method”, J. Phys. Soc. Japan 67, pp. 3875-3880.
[8] N. Q. Bau, L. Dinh, T. C. Phong (2007), “Absorption Coefficient of Weak Electromagnetic Waves Caused by Confined Electrons in Quantum Wires”, J.
Korean Phys Soc. 51, pp. 1325-1330.
[9] N. Q. Bau, D. M. Hung, N. B. Ngoc (2009), “The nonlinear absorption coeffcient of a strong electromagnetic wave Caused by confined electrons in Quantum wells”, J. Korean Phys. Soc. 54, pp. 765-773.
[10] N. Q. Bau, H. D. Trien (2010), “The nonlinear absorption coefficient of strong electromagnetic waves caused by electrons confined in quantum wires”, J. Korean Phys Soc. 56, pp. 120-127.
[11] N. Q. Bau, D. M. Hung and L. T. Hung (2010), “The influences of confined phonons on the nonlinear apsorption coefficient of a strong electromagnetic waves by confined electrons in doping superlattices”, Progress In Electromagnetics Research Letters. 15, pp. 175-185.
[12] N. Q. Bau, L. T. Hung, N. D. Nam (2010), “The nonlinear apsorption coefficient of strong electromagnetic waves by confined electrons in quantum wells under the influences of confined phonons”, Journal of Electromagnetic Waves and Applications 24, pp. 1751-1761.
[13] N. Q. Bau, N. V. Hieu (2010), “Theory of the Acoustomagnetoelectric Effect in a Superlattice”, Progress in Electromagnetics Research Symposium
Proceedings, March 22-26, China, pp. 342-346.
[14] N. Q. Bau, B. D. Hoi 2012, “On the Hall effect in parabolic quantum wells with a perpendicular magnetic field under the influence of a strong E.W (Laser radiation) ”, VNU Journal of science, Mathematics-Physics 28, pp. 24-29. [15] N. Q. Bau and B. D. Hoi (2012), “ Influence of a strong electromagnetic wave
(laser radiation) on the Hall effect in quantum wells with a parabolic potential”,
J. Korean Phys. Soc. 60, pp. 59-64.
[16] N. Q. Bau, N. V. Hieu, N. V. Nhan (2012), “The quantum acoustomagnetoelectric field in a quantum well with a parabolic potential”,
Superlattices and Microstructures. 52, pp. 921-930.
[17] N. Q. Bau and N. V. Hieu (2013), “The Quantum Acoustoelectric curent in a superlattice GaAs:Si/GaAs:Be”, Superlattices and Microstructures. 63, pp.
121-130.
[18] N. Q. Bau, N. V. Nghia, N. V. Hieu, and B. D. Hoi (2013), “Influence of a strong Electromagnetic Wave(laser radiation) on the Hall effect in doped semiconductor superlattices with an In-plane Magnetic field”, Progress in Electromagnetics Research Symposium Proceedings, March 25-28, Taipei, pp.
[19] N. Q. Bau and B. D. Hoi (2014), “Investigation of the Hall effect in rectangular quantum wells with a perpendicular magnetic fields in the presence of a high-frequency electromagnetic wave”, Int. J. Mod. Phys. B 28, pp.
1450001-1 (14 pages).
[20] N. Q. Bau and N. V. Hieu, PIERS Proceedings, 1949-1953, Guangzhou, China, Aug. 25-28, 2014.
[21] Borisenko S. I. (2004), “The effect of acoustic phonon confinement on electron scattering in GaAs Al Ga/ x 1xAs superlattices”, J. Semiconductors. 38, pp.
824-829.
[22] Charbonneau M., Van Vliet K. M., and Vasilopoulos P. (1982), “Linear response theory revisited III: One-body response formulas and generalized Boltzmann equations”, J. Math. Phys. 23, pp. 318-336.
[23] Chaubey M. P. and Vliet C. M. V. (1986), “Transverse magnetoconductivity of quasi-two-dimensional semiconductor layers in the presence of phonon scattering”, Phys. Rev. B 33, pp. 5617-5622.
[24] Chernoutsan K., Dneprovskii V., Gavrilov S., Gusev V., Muljarov E., Romano S., Syrnicov A., Shaligina O., and Zhukov E. (2002), “Linear and nonlinear optical properties of excitons in semiconductor dielectric quantum wires”, Physical E 15, pp 111-117.
[25] Dhar S. and Ghosh S. (1999), “Low field electron mobility in GaN”, J. Appl. Phys. 86, pp. 2668-2676.
[26] Dietel J., Glazman L. I., Hekking F. W. J., and Von Oppen F. (2005), “Microwave photoconductivity of two-dimensional electron systems with unidirectional periodic modulation”, Phys. Rev. B 71, pp. 045329 (15 pages). [27] Dmitriev I. A. et al. (2005), “Theory of microwave-induced oscillations in the
magnetoconductivity of a two-dimensional electron gas”, Phys. Rev. B 71, pp.
115316 (11 pages).
[28] Dompreh. K. A, S. Y. Mensah, S. S. Abukari, R. Edziah, N. G. Mensha and H. A. Quaye, Nanoscale Systems: Mathematical Modelling, Theory and App., Vol 4, 2299, 2015.
[29] Durst A. C., Sachdev S., Read N., and Girvin S. M. (2003), “Radiation- Induced magnetoresistance Oscillations in a 2D Electron Gas”, Phys. Rev. Lett. 91, pp. 086803 (4 pages).
[30] Epshtein E. M., Poluprov Fiz. Tek. (1976), “Odd magnetophotoresistance effect in semiconductors”, Sov. Phys. Semicond. 10, pp. 1414-1415 [in
Russian].
[31] Epshtein E. M. (1976), “Odd magnetoresistance of nonlinear conductors in time-dependent electric fields”, Sov. Lett. J. Theor. Phys. 2, pp. 234-237 [in Russian].
[32] Epshtein E. M. (1976), “Parametric resonance of acoustic and optical phonons in semiconductors”, Sov. Phys. Semicond. 10, p. 1164.
[33] Esaki L. and Tsu R. (1970), “Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors”, IBM J. Res. Develop. 14, pp. 61-65.
[34] Friedman L. (1985), “Electron-phonon scattering in superlattices”, Phys. Rev. B 32, pp. 955.
[35] Galperin. Yu. M, B. D. Kagan (1968), “On the acoustoelectric effect in a strong magnetic field”, Phys. Stat. Sol. [Fiz. Tverd. Tela] 10, pp.2038-2045. [36] Hwang E. H. and Das Sarma S. (2006), “Hall coefficient and
magnetoresistance of two-dimensional spin-polarized electron systems”, Phys. Rev. B 73, pp. 121309(R) (4 pages).
[37] In˜arrea J. et al. (2005), “Theoretical approach to microwave-radiation-induced zero-resistance states in 2D electron systems”, Phys. Rev. Lett. 94, pp. 016806
(4 pages).
[38] Lee S. C. (2007), “Optically detected magnetophonon resonances in quantum wells”, J. Korean Phys. Soc. 51(6), pp. 1979-1986.
[39] Lei X. and Lin S. Y. (2005), “Microwave modulation of electron heating and Shubnikov-de Haas oscillation in two-dimensional electron systems”, Appl. Phys. Lett. 86, pp. 262101-262103.
[40] Linke H., Omling P., Ramvall P., B. K. Meyer, C. Wetzel, R. Rudeloff and F. Cholz (1993), “Application of microwave detection of the Shubnikov-de Haas effect in two-dimensional systems”, J. Appl. Phys. 73(11), pp. 7533-7542. [41] Litvinov V. I., Manasson A. and Pavlidis D. (2004), “Short-period intrinsic
Stark GaN/AlGaN superlattice as a Bloch oscillator”, Appl. Phys. Lett. 85, pp. 600.
[42] Look D. C., Sizelove J. R., Keller S., Wu Y. F., Mishra U. K., and Den Baars S. P. (1997), “Accurate mobility and carrier concentration analysis for GaN”,
Sol. Stat. Comm. 102, pp. 297-300.
[43] Lyapilin I. I. and Patrakov A. E. (2004), “Conductivity off a two-dimensional electron gas in magnetic field in the presence of microwave radiation”, Low Temp. Phys. 30, pp. 834-847.
[44] Malevich V. L., Epshtein E. M. (1976), “Photostimulated kinetic effects in semiconductors”, J. Sov. Phys. 19, pp. 230-237.
[45] Malevich V. L., Epshtein E. M. (1976), “Photostimulated odd magnetoresistance of semiconductors”, Sov. Phys. Semicond. 18, pp. 739-741. [46] Malevich V. L. and Epshtein E. M. (1976), “Photostimulated odd
magnetorsistance in semiconductors”, Sov. Phys. Solid State [Fiz. Tverd. Tela]
18, pp. 1286-1289 [in Russian]
[47] Malevich V. L. and Ephstein E. M. (1974), “Nonlinear optical properties of conduction electrons in semiconductors”, Sov. Quantum Electronic 4, pp 816- 817
[48] Malevich V.L., Epshtein E. M., Izvest. Vyss. Ucheb. Zaved., Fiz. 2 (1976) 121
[49] Mani R. G. et al. (2002), “Zero-resistance states induced by electromagnetic- wave excitation in GaAs/AlGaAs Heterostructures”, Nature 420, pp. 646-650. [50] Mani R. G. et al. (2004), “Demonstration of a 1/4-Cycle Phase Shift in the
Radiation-Induced Oscillatory Magnetoresistance in GaAs/AlGaAs Devices,
[51] Mani R. G. (2004), “Zero-resistance states induced by electromagnetic-wave excitation in GaAs/AlGaAs Heterostructures”, Physica E 22, pp. 1-6.
[52] Mensah. S. Y, Allotey F. K. A., and Adjepong S. K., “Acoustomagneto-electric effect in a superlattice”, J. Phys. Condens. Matter. 8, pp. 1235-1239.
[53] Mitra B. and Ghatak K. P. (1991), “Effect of crossed electric and quantizing magnetic fields on the Einstein relation in semiconductor superlattices”, Phys. Status Sol. B 164, pp. K13-K18.
[54] Morkoc H. (1999), Nitride Semiconductors and Devices, Springer, Verlag -
Berlin - Heildelberg - New York.
[55] Nishiguchi N. (1995), “Resonant acoustic-phonon modes in quantum wire”,
Phys. Rev. B 52, pp. 5279-5288.
[56] Pavlovich. V. V, E. M. Epshtein (1977), “Kinetic theory of longitudinal hall effect in high-frequency electric field”, Sov. Phys. Semicond. [Fiz. Tekh. Poluprovodn.] 11, pp.809-811 [in Russian].
[57] Perlin P., Staszewska E. L. and Suchanek B. (1996), “Determination of the effective mass of GaN from infrared reflectivity and Hall effect”, Appl. Phys. Lett. 68, PP. 1114 -1116.
[58] T. C. Phong and N. Q. Bau (2003), “Parametric resonance or acoustic and optical phonons in a quantum well”, J. Korean Phys. Soc. 42, pp. 647-651 [59] Ploog K. and Dohler G. H. (1983), “Compositional and doping superlattices in
III-V semiconductors”, Adv. Phys. 32(3), pp. 285-359.
[60] Raichev O. E. (2008), “Magnetic oscillations of resistivity and absorption of radiation in quantum wells with two populated subbands”, Phys. Rev. B 78, pp. 125304 (14 pages).
[61] Ryzhii V. and Vyurkov V. (2003), “Absolute negative conductivity in two- dimensional electron systems associated with acoustic scattering stimulated by microwave radiation”, Phys. Rev. B 68, pp. 165406 (7 pages).
[62] Shan W., Schmidt S., Yang X. H., Song J. J., and Goldenberg B. (1996), “Optical properties of wurtzite GaN grow by low-pressure metalorganic chemical-vapor depositon”, J. Appl. Phys. 79, pp. 3691-3696.
[63] Shmelev G. M., Chaikovskii L. A., Bau N. Q. (1978), “HF conduction in Semiconductors Superlattices”, Sov. Physics and Technics of Semiconductors
[Fiz. Tek. Poluprov.] 12, p. 1932
[64] Shmelev G. M, Tsurkan G. I., N. Q. Anh (1984), “Photosimulated planar acoustomagnetoelectric effect in semiconductors”, Phys. Stat. Sol. 121, p.
97102.
[65] Shmelev G. M., G. I. Tsurkan, and Nguyen Hong Shon (1981)., “The magnetoresistance and the cyclotron resonance in semiconductors in the presence of strong electromagnetic wave” Sov. Phys. Semicond. 15, pp. 156-
161 [in Rusian].
[66] Silin A. P. (1985), “Semiconductor superlattices”, Sov. Phys. Usp. 28, pp.
972-993
[67] Studenikin S. A. et. Al (1999), “ Classical magnetotransport in a parabolic quantum well with a strong intersubband scattering ”, Semicond. Sci. Technol. 14, p. 604.
[68] Tiras E. et al. (2012), “Temperature dependent energy relaxation time in AlGaN/AlN/GaN heterostructures”, Superlatt. Microstruct. 51, pp. 733-744. [69] Torres M. and Kunold A. (2006), “Photoconductivity in AC-driven modulated
two-dimensional electron gas in a perpendicular magnetic field”, J. Phys. Condens. Matter 18, pp. 4029-4045.
[70] Toshiyuki Y. (1965), “Acoustomagnetoelectric Effect in Bismuth”, J. Phys. Soc. Japan. 20, pp. 1424-1437.
[71] Vasilopoulos P. (1986), “Magnetophonon oscillations in quasi-two- dimensional quantum wells”, Phys. Rev. B 33, pp. 8587-8594.
[72] Vasilopoulos P., Charbonneau M. and Vliet C. M. V. (1987), “Linear and nonlinear electrical conduction in quasi-two-dimensional quantum wells”,
Phys. Rev. B 35, pp. 1334-1344.
[73] Vyazovskii M. V., Yakovlev V. A. (1977), “Parametric resonance of acoustic and optical phonons in impurity semiconductors in low temperature”, Sov. Phys. Semicond. 11, p. 809.
[74] Waldron E. et. Al. (2001), “ Influence of Doping Profiles on p-type AlGaN/GaN Superlattices”, Phys. Stat. Sol. (a) 188(2), pp. 889-893.
[75] Yang C. L. et al. (2003), “Observation of Apparently Zero-Conductance States in Corbino Samples”, arXiv: cond-mat/0303472 [cond-mat.mes-hall].
[76] Yua. S. G., Kim K. W., Stroscio M. A., Iafrate G. J. and Ballato A. (1996), “ Electron interaction with confined acoustic phonons in cylindrical quantum wires via deformation potential”, J. Appl. Phys. 80, pp. 2815-2822.
[77] Zhao P. (1994), “Phonon amplification by absorption of an intense laser field in a quantum well of polar material”, Phys. Rev. B. 49, pp. 13589-13599.
[78] Zudov M. A. et al. (2001), “Shubnikov-de Haas-like oscillations in millimeterwave photoconductivity in a high-mobility two-dimentional electron gas”, Phys. Rev. B 64, pp. 201311(R).
[79] Zudov M. A. et al. (2003), “Evidence for a New Dissipationless Effect in 2D Electronic Transport”, Phys. Rev. Lett. 90, pp. 046807.