Kết luận chƣơng 2

Một phần của tài liệu (LUẬN án TIẾN sĩ) nghiên cứu một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều khi có mặt của sóng điện từ mạnh (bức xạ laser) (Trang 65 - 67)

Trong chƣơng này, chúng tôi đã nghiên cứu từ trở khi có mặt của sóng điện từ trong hố lƣợng tử với hố thế parabol, siêu mạng hợp phần và siêu mạng pha tạp. Chúng tôi đã thu đƣợc biểu thức giải tích của tensơ độ dẫn và từ trở trong các trƣờng hợp. Chúng tôi nhận thấy rằng từ trở trong trƣờng hợp này phụ thuộc vào các đại lƣợng nhƣ: từ trƣờng B, nhiệt độ T, các tham số của hệ bán dẫn, thời gian phục hồi xung lƣợng  , biên độ E và tần số  của sóng điện từ.

Áp dụng tính tốn số và vẽ đồ thị cho hố lƣợng tử GaAs/GaAsAl để thấy đƣợc sự phụ thuộc này một cách rõ nét. Nhìn vào đồ thị ta thấy: từ trở nhận giá trị âm và sự phụ thuộc của từ trở vào nhiệt độ, biên độ và tần số của sóng điện từ là phi tuyến. Khi cho 0tiến tới 0, ta thu lại đƣợc kết quả nhƣ trong trƣờng hợp bán dẫn khối đã đƣợc nghiên cứu trƣớc đây. [44, 45].

Áp dụng tính tốn số và vẽ đồ thị cho siêu mạng hợp phần GaN/AlGaN. Chúng tôi có thể tổng hợp các đặc tính chính của các kết quả thu đƣợc: Các dao động Shubnikov-de Haas đƣợc quan sát trong từ trở. Chu kỳ của dao động khơng phụ thuộc vào nhiệt độ, có xảy ra hiện tƣợng nhiễu loạn ở vùng từ trƣờng lớn khi có mặt của sóng điện từ. Từ trở có các giá trị cực đại tại các giá trị / c 1, 2, 3,...và các điểm cực tiểu tại các giá trị  / c 3 / 2, 5 / 2, 7 / 2,... và những điều kiện này không phụ thuộc vào chu kỳ siêu mạng. Các dao động Shubnikov-de Haas bị phá vỡ trong vùng từ trƣờng lớn khi có mặt của sóng điện từ. Cấu trúc của siêu mạng ảnh hƣởng mạnh đến từ trở. Khi độ dày lớp GaN tăng lên hay hàm lƣợng Al trong lớp AlGaN giảm xuống, các dao động Shubnikov-de Haas trở nên kém rõ nét và từ trở có xu hƣớng trở về các quy luật nhƣ trong bán dẫn khối. Ngoài ra, kết quả chỉ ra rằng, các đỉnh cộng hƣởng phụ thuộc vào sóng điện từ do sóng điện từ ảnh làm thay đổi điều kiện cộng hƣởng (thay đổi nghiệm của đối số hàm delta trong biểu thức giải tích của từ trở).

Áp dụng tính tốn số và vẽ đồ thị cho siêu mạng pha tạp GaAs:Si/GaAs:Be, ta thấy đƣợc sự phụ thuộc phi tuyến của từ trở vào sóng điện từ, cụ thể là biên độ và tần số của sóng điện từ. Ta thấy từ trở nhận giá trị âm, sự giam cầm lƣợng tử gây ra những khác biệt so với trong bán dẫn khối. So sánh với trong trƣờng hợp khơng có mặt của sóng điện từ, ta cũng thấy sự khác biệt. Khi ta cho p 0, kết quả sẽ trở về trƣờng hợp nhƣ trong bán dẫn khối.

Chƣơng 3. HIỆU ỨNG HALL TRONG CÁC BÁN DẪN THẤP CHIỀU

Một phần của tài liệu (LUẬN án TIẾN sĩ) nghiên cứu một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều khi có mặt của sóng điện từ mạnh (bức xạ laser) (Trang 65 - 67)