6. Cấu trúc của luận án
2.5 Kết luận của chƣơng 2
Trong chƣơng này, bằng phƣơng pháp phƣơng trình động lƣợng tử, phƣơng trình động lƣợng cho điện tử bị giam cầm trong hố lƣợng tử đƣợc thiết lập, từ đó chúng ta tìm đƣợc dịng âm điện. Biểu thức giải tích dịng âm điện thu đƣợc và chỉ
ra rằng sự phụ thuộc của dịng âm điện lên tần số sóng âm, nhiệt độ của hệ và kích thƣớc hố lƣợng tử cũng nhƣ các chỉ số mini vùng đặc trƣng cho hố lƣợng tử là khơng tuyến tính. Kết quả quan trọng nhất của chƣơng này là chỉ ra đƣợc điều kiện xuất hiện của các đỉnh khi điều kiện qr kr n n, '(nn') đƣợc thỏa mãn, kết quả này hoàn toàn khác với các kết quả của bài toán tƣơng tự trong bán dẫn khối.
Biểu thức dòng âm điện đƣợc áp dụng và tính tốn số cho hố lƣợng tử AlGaAs/GaAs/AlGaAs, đây là loại vật liệu đƣợc dùng tính số bởi nhiều cơng trình nghiên cứu trƣớc đó. Kết quả tính tốn dịng âm điện trong hố lƣợng tử chỉ ra rằng xuất hiện đỉnh cực đại tại T=50K, F 0.038eV và 10 1
30 10 ( )
q s
r . Kết quả này đƣợc so sánh với kết quả thực nghiệm, và đã xác định nguyên nhân xuất hiện là do dịch chuyển năng lƣợng của điện tử giữa các mini vùng năng lƣợng trong hố lƣợng tử. Điều đặc biệt nữa là hiệu ứng xuất hiện ngay cả khi thời gian phục hồi xung lƣợng không phụ thuộc vào năng lƣợng, điều này khác biệt so với những kết quả đã nghiên cứu trƣớc đó trong bán dẫn khối. Trong bán dẫn khối thì dịng âm điện không xuất hiện khi thời gian phục hồi xung lƣợng là hằng số.
Chƣơng 3
HIỆU ỨNG ÂM ĐIỆN PHI TUYẾN TRONG SIÊU MẠNG PHA TẠP
Trong chƣơng này sẽ tính dịng âm điện phi tuyến trong siêu mạng pha tạp bằng phƣơng pháp phƣơng trình động lƣợng tử, và xem xét cơ chế tán xạ điện tử - phonon âm. Kết quả thu đƣợc trong siêu mạng pha tạp đƣợc so sánh với kết quả thu đƣợc trong hố lƣợng tử đƣợc nghiên cứu trong chƣơng 2, trong bán dẫn khối và với lý thuyết cổ điển trong siêu mạng pha tạp khi sử dụng phƣơng trình động Boltzmann.