6. Cấu trúc của luận án
3.5 Kết luận của chƣơng 3
Trong chƣơng 3, bằng phƣơng pháp phƣơng trình động lƣợng tử, luận án đã nghiên cứu dòng âm điện sinh ra do sự tƣơng tác của điện tử với sóng âm ngồi và tán xạ điện tử-phonon âm. Biểu thức giải tích dịng âm điện thu đƣợc, bên cạnh việc nghiên cứu sự phụ thuộc của dòng âm điện lên tần số sóng âm, nhiệt độ của hệ, chúng tôi đã khảo sát ảnh hƣởng của các tham số trong siêu mạng pha tạp lên dòng âm điện, nhƣ nồng độ pha tạp, chỉ số mini vùng năng lƣợng đặc trƣng cho siêu mạng. Cũng giống nhƣ trong chƣơng 2 một kết quả quan trọng của chƣơng này là chỉ ra đƣợc điều kiện xuất hiện của các đỉnh khi điều kiện qr kr n n, '(nn') đƣợc thỏa mãn.
Kết quả tính tốn số dịng âm điện trong siêu mạng pha tạp cho thấy rằng trong siêu mạng cũng nhƣ trong hố lƣợng tử đều có xuất hiện các đỉnh. Tuy nhiên, vị trí các đỉnh cũng nhƣ hình dạng đồ thị có sự khác nhau rõ rệt. Qua kết quả khảo sát trong siêu mạng pha tạp ta thấy nồng độ pha tạp ảnh hƣởng rất mạnh đến dịng âm điện lƣợng tử.
Kết quả tính toán số cho siêu mạng pha tạp GaAs:Si/GaAs:Be chỉ ra rằng có sự xuất hiện đỉnh tại T = 48 K với tần số sóng âm q = 31011 s-1 , kết quả tƣơng tự giống nhƣ kết quả thu đƣợc trong hố lƣợng tử với thế cao vô hạn ở chƣơng 2. Kết quả tính tốn chỉ ra rằng cơ chế cho những tính chất nhƣ vậy là do điện tử bị giam cầm trong thế của siêu mạng và sự dịch chuyển năng lƣợng giữa các mini vùng. Một kết quả quan trọng và khác biệt giữa bài toán trong hệ thấp chiều so với bán dẫn khối là hiệu ứng âm điện xuất hiện ngay cả khi thời gian phục hồi xung lƣợng xấp xỉ là hằng số, cịn đối với bán dẫn khối thì hiệu ứng sẽ khơng xuất hiện trong trƣờng hợp này. Khi xem xét trong miền nhiệt độ cao, trong trƣờng hợp giới hạn cổ điển thì kết quả thu đƣợc giống kết quả trong siêu mạng pha tạp thu đƣợc bằng phƣơng trình động Boltzmann [25].
Chƣơng 4
HIỆU ỨNG ÂM ĐIỆN TỪ LƢỢNG TỬ TRONG HỐ LƢỢNG TỬ VỚI HỐ THẾ PARABOL
Trong chƣơng này chúng tôi nghiên cứu hiệu ứng âm điện từ lƣợng tử trong hố lƣợng tử bằng phƣơng pháp phƣơng trình động lƣợng tử. Chúng tơi nghiên cứu sự phụ thuộc trƣờng âm điện từ vào nhiệt độ, tần số sóng âm, từ trƣờng ngồi B, và các tham số của hố lƣợng tử. Chúng tôi xem xét hai trƣờng hợp giới hạn. Trƣờng hợp từ trƣờng yếu, ở nhiệt độ cao và trƣờng hợp từ trƣờng mạnh, ở nhiệt độ thấp. Ngoài ra, chúng tơi cịn thực hiện giới hạn tần số 0 đặc trƣng cho hố thế parabol tiến tới không để trở về kết quả của bài toán tƣơng tự nghiên cứu trong bán dẫn khối, cũng nhƣ xem xét giới hạn cổ điển trong hệ hai chiều đƣợc nghiên cứu bằng phƣơng trình động Boltzmann.