Trong chương 3, bằng phương pháp phương trình động lượng tử, luận án đã nghiên cứu dòng âm - điện sinh ra do sự tương tác của điện tử với sóng âm ngồi và
tán xạ điện tử-phonon âm trong trường hợp có và khơng có sự ảnh hưởng của sóng điện từ ngồi. Thu được biểu thức giải tích cho dịng âm - điện trong dây lượng tử hình chữ nhật, bên cạnh việc nghiên cứu sự phụ thuộc của dòng âm - điện lên tần số sóng âm, số sóng âm, nhiệt độ của hệ, chúng tơi cịn khảo sát ảnh hưởng của các tham số trong dây lượng tử hình chữ nhật lên dịng âm - điện, như chiều dài dây và bề rộng của dây theo phương bị lượng tử hóa. Các kết quả tính tốn số cho dây lượng tử hình chữ nhật với hố thế cao vơ hạn trong trường hợp có và khơng có sự ảnh hưởng của sóng điện từ, chỉ ra sự khác biệt giữa bài toán trong hệ một chiều so với bán dẫn khối là dòng âm - điện xuất hiện ngay cả khi thời gian phục hồi xung lượng gần như là khơng đổi, trong bán dẫn khối thì hiệu ứng khơng xuất hiện trong trường hợp này, nguyên nhân là do điện tử bị giam cầm trong dây lượng tử hình chữ nhật và sự dịch chuyển năng lượng giữa các vùng con.
Trong chương này, luận án cũng đã nghiên cứu trường âm - điện – từ trong dây lượng tử hình chữ nhật với hố thế cao vô hạn sinh ra do sự tương tác của điện tử với sóng âm ngồi và tán xạ điện tử - phonon âm trong sự có mặt của từ trường ngồi bằng phương pháp phương trình động lượng tử. Chúng tơi thu được biểu thức giải tích cho trường âm - điện – từ trong dây lượng tử hình chữ nhật với hố thế cao vô hạn. Chúng tôi đã khảo sát sự phụ thuộc của trường âm - điện – từ vào tần số của sóng âm, nhiệt độ của hệ và độ lớn của từ trường ngoài trong vùng từ trường yếu và vùng từ trường mạnh. Kết quả tính tốn số cho dây lượng tử hình chữ nhật với hố thế cao vô hạn GaAs/GaAsAl, chỉ ra sự phụ thuộc của trường âm – điện - từ vào nhiệt độ và tần số sóng âm ngồi là phí tuyến. Sự phụ thuộc của trường âm – điện - từ vào độ lớn của từ trường ngoài trong vùng từ trường mạnh tại nhiệt độ thấp có giá trị thăng dáng khi từ trường tăng và có nhiều đỉnh. Kết quả thu được so với các kết quả trong bán dẫn khối [58, 59, 61, 83], bán dẫn mẫu Kane [77], siêu mạng [25, 91], hố lượng tử [9, 12] và dây lượng tử hình trụ [63] với hố thế cao vơ hạn có sự khác biệt và các đỉnh có giá trị giảm dần khi độ lớn từ trường tăng. Sở dĩ có điều này là do điện tử bị giam cầm trong dây lượng tử hình chữ nhật và sự dịch chuyển năng lượng giữa các vùng con, nếu chúng ta bỏ qua sự tương tác của điện tử với phonon âm trong thì kết quả này sẽ trở về kết quả nhận được trong dây lượng tử hình chữ nhật với hố thế cao vô hạn khi chưa xét đến sự tán xạ điện tử - phonon âm.
Khi xem xét sự phụ thuộc của trường âm – điện – từ tại miền nhiệt độ cao và từ trường yếu thì kết quả thu được về định tính giống với kết quả trong hố lượng tử [12] và dây lượng tử hình chữ nhật với hố thế cao vơ hạn [66] khi sử dụng phương pháp phương trình động Bonltzmann. Tức là, ở miền nhiệt độ cao và từ trường yếu thì dịng âm - điện - từ hay trường âm - điện - từ tỉ lệ tuyến tính với từ trường ngồi.
Chương 4
HIỆU ỨNG ÂM - ĐIỆN – TỪ TRONG DÂY LƯỢNG TỬ HÌNH TRỤ VỚI HỐ THẾ PARABOL
Trong chương này chúng tôi nghiên cứu hiệu ứng âm - điện - từ trong dây