Nguô ̀n gốc và cấu trúc

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu cấu trúc của màng ETFE trong pin nhiên liệu màng trao đổi proton bằng các kỹ thuật phân tích phổ (Trang 35 - 36)

2.1. Cơ sở lý thuyết về phương pháp phân tích phổ dao đô ̣ng Raman

2.1.2. Nguô ̀n gốc và cấu trúc

Trong quang phổ Raman, mẫu được chiếu xạ bởi chùm laser cường độ mạnh trong vùng tử ngoại - khả kiến (v0) và chùm ánh sáng tán xạ thường được quan sát theo phương vng góc với chùm tia tới. Ánh sáng tán xạ bao gồm hai loại : một được gọi là tán xạ Rayleigh, rất mạnh và có tần số giống với tần số chùm tia tới (v0

); loại còn lại được gọi là tán xạ Raman, rất yếu ( 5

10 chùm tia tới) có tần số là 0 m

vv , trong đó vmlà tần số dao động phân tử. Vạch v0vmđược gọi là vạch Stockes và vạch v0 vmgọi là vạch phản Stockes. Do đó, chúng ta đo tần số dao

động (vm) như là sự dịch chuyển so với tần số chùm tia tới (v0). Phổ Raman được đo trong vùng tử ngoại - khả kiến mà ở đó các vạch kích thích (laser) cũng như các vạch Raman cùng xuất hiện.

Hình 2.1. Cơ chế phát xa ̣ quang phổ Raman Đă ̣c điểm của quang phổ Raman [1]: Đă ̣c điểm của quang phổ Raman [1]:

Các vạch tán xa ̣ Raman ( gồm các va ̣ch tán xa ̣ Stokes và đối Stockes) nằm rất gần nhau và đối xứng nhau qua va ̣ch tán xa ̣ Rayleigh.

Độ di ̣ch chuyển giữa các va ̣ch tán xạ Raman và Rayleigh không phu ̣ thuô ̣c vào tần sớ νo của ánh sáng kích thích mà chỉ phụ thuộc vào bản chất của môi trường

tán xạ. Tùy theo độ lớn của Δνi mà các vạch tán xạ Raman được xếp vào hai nhóm: dịch chuyển lớn và dịch chuyển bé. Độ dịch chuyển lớn bằng tần số dao động của phân tử trong vùng hồng ngoại gần còn độ dịch chuyển bé bằng hai lần tần số quay của phân tử trong vùng hồng ngoại xa: Δνi = |ν0 -νi|=|ν0- νi’| (i= 1,2,3,...)

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu cấu trúc của màng ETFE trong pin nhiên liệu màng trao đổi proton bằng các kỹ thuật phân tích phổ (Trang 35 - 36)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(97 trang)