Để khảo sát tính chất điện của sợi nano silicon chế tạo ra, chúng tôi tiến hành các bước khảo sát như sau:
• Đo đạc, khảo sát đánh giá tính chất điện của các sợi nano silicon có kích thước và chiều dày khác nhau bằng hệ probe-station model HP 4155 C. Các dòngđiện được khảo sát trong khoảng micro-nano ampere (µ-nA),là dịng điệnthích hợp chocảm biếnlàm việc saunày.
• Sử dụng nhiều linh kiện cho cùng một loại mẫu, và lặp lại phép đo nhiều lầnđểnâng caotính thống kêcủa kếtquả đo.
• So sánh kết quả thu được với tính tốnlí thuyết cho sợi có cấutrúc nano, và với kết quả đã được công bố của các nhóm nghiên cứu khác cho các sợi nano si chế tạo bằng các phương pháp hoàn khác với phương pháp thực hiện trong đề tài này.
Điện thế (vol)
Hình 15: Đặc trưng I-V của sợi nano silicon dài 10 micron.
-8. 00 E -07 -6. 00 E -07 -4. 00 E -07 -2. 00 E -07 0 .0 0E + 00 2. 00 E -07 4. 00 E -07 6. 00 E -07 8. 00 E -07 -1. 5 -1 -0 .5 0 0 .5 1 1. 5 A
29
Hình 15 trình bày tính chất điện của sợi nano silicon với độ dài 10 micron, chiều rộng 45 nm. Kết quả đo đạc cho thấy dòng điện qua sợi là tuyến tính., có điện trở tiếp xúc Ohmic (15±5 kΩ), thích hợp cho ứng dụng chế tạo cảm biến nano sinh học.Ngồi ra, điện trở đo được lớn hơn tính tốn lí thuyết khoảng 30%, là chấp nhận được trong chế tạo linh kiện sợi nano do sự khó khăn trong tạo tiếp xúc tốt cho cấu trúc siêu nhỏ này.
CHƯƠNG 4
KHẢO SÁT KHẢ NĂNG PHÁT HIỆN DNA CỦA CẢM BIẾN