.2 4 Vài cấu hỡnh anten súng chạy vi dải mạch in

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) thiết kế, mô phỏng và chế tạo ăng ten đa băng sử dụng công nghệ mạch dải dành cho điện thoại di động thế hệ mới (Trang 46 - 48)

2.4.2.3. Anten mặt bức xạ hỡnh chữ nhật

Đõy là một anten phẳng cơ bản nhất, nú bao gồm một phiến dẫn điện phẳng bờn trờn một mặt phẳng đất. Cú nhiều phƣơng phỏp tiếp điện cho anten, nhƣng thụng thƣờng tiếp điện bằng cỏp đồng trục hoặc đƣờng truyền vi dải. Phần tiếp điện đƣa năng lƣợng điện tử vào và/ hoặc ra khỏi khỏi phần tử bức xạ. Hỡnh dƣới đõy thể hiện phõn bố điện trƣờng của anten hỡnh chữ nhật đƣợc kớch thớch ở phƣơng thức lan truyền cơ bản.

Trờn hỡnh 2.19a, điện trƣờng bằng 0 ở tõm phần tử bức xạ, đạt cực đại (dƣơng) ở một cạnh và đạt cực tiểu (õm) ở cạnh đối diện. Tuy nhiờn sự biến đổi giữa cực đại và cực tiểu xảy ra liờn tục do pha tức thời của tớn hiệu đặt vào anten. Điện trƣờng mở rộng ra cả bờn ngoài mặt phõn giới điện mụi – khụng khớ. Thành phần điện trƣờng mở rộng này đƣợc gọi là trƣờng viền (fringing field) và nú làm cho phần tử (patch) bức xạ. Một số phƣơng phỏp phõn tớch anten vi dải phổ biến dựa trờn khỏi niệm hốc cộng hƣởng rũ (leaky-cavity). Do đú, phƣơng thức lan truyền súng cơ bản khi sử dụng lý thuyết hốc cộng hƣởng là phƣơng thức TE10.

Ký hiệu này thƣờng gõy ra nhầm lẫn. TM tƣợng trƣng cho phõn bố từ trƣờng ngang. Điều này cú nghĩa rằng chỉ cú 3 thành phần, đú là: điện trƣờng theo hƣớng z, từ trƣờng theo hƣớng x và y trong hệ tọa độ Đề cỏc, trong đú trục x và y song song với mặt phẳng đất, và trục z vuụng gúc với mặt phẳng đất. Núi chung, cỏc phƣơng thức lan truyền đƣợc kớ hiệu là TMnmz. Giỏ trị z hầu nhƣ bị bỏ qua do sự biến đổi của điện trƣờng theo trục z coi nhƣ khụng đỏng kể. Do đú, kớ hiệu TMnm chỉ ra sự biến đổi của trƣờng theo hƣớng x và y. Sự biến đổi của trƣờng theo hƣớng y hầu nhƣ khụng đỏng kể, do nú m bằng 0. Trƣờng biến đổi chủ yếu theo hƣớng x, do đú ở phƣơng thức lan truyền cơ bản thỡ n=1.

Hỡnh 2.19b,c thể hiện sự biến đổi dũng (từ trƣờng) và điện ỏp (điện trƣờng) trờn phần tử bức xạ, dũng đạt cực đại tại tõm phần tử bức xạ và cực tiểu gần cỏc cạnh trỏi và phải; trong khi điện trƣờng bằng khụng tại tõm phần tử bức xạ và đạt cực đại gần cạnh trỏi, cực tiểu gần cạnh phải. Từ biờn độ của dũng và ỏp, ta cú thể tỡm đƣợc trở khỏng (trong hỡnh 2.19c). Trở khỏng đạt cực tiểu ở giữa phần tử bức xạ và cực đại ở gần 2 cạnh. Cú một điểm nằm ở đõu đú dọc theo trục x tại đú trở khỏng là 50Ohm, ta cú thể đặt điểm tiếp điện tại đú.

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) thiết kế, mô phỏng và chế tạo ăng ten đa băng sử dụng công nghệ mạch dải dành cho điện thoại di động thế hệ mới (Trang 46 - 48)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(67 trang)