Phổ nhiễu xạ tia Xc ủa màng mỏng PZ Tủ tại 700oC

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện (Trang 48 - 49)

Từ phổ nhiễu xạ trên ta có thể thấy ở các nhiệt độ ủ lớn hơn 550oC, cấu trúc tinh thể của màng mỏng PZT đều đơn pha và có định hướng ưu tiên (111). Trong quy trình ủ mẫu, lò ủ được tăng nhiệt lên đến các giá trị ổn định từ 550-700oC. Nhiều nhóm tác giả đã đưa ra cách giải thích về sự hình thành màng mỏng như các kết quả quan sát ở trên là do sự hình thành của pha liên kim loại PtPb(111) nằm giữa hai lớp Pt(111) và PZT(111). Khi màng mỏng được ủ trong môi trường khử hoặc được tăng nhiệt trực tiếp lên nhiệt độ cao, một phản ứng ôxi hóa khử sẽ xảy ra giữa lớp liên kết PZT/Pt, nơi có áp suất ô-xi riêng phần thấp khi nhiệt độ được tăng nhanh. Điều này làm giảm lượng Pb2+ thành kim loại Pb kéo theo sự hình thành lớp Pt5-7Pb trên bề mặt đế. Lớp Pt5-7Pb có định hướng tinh thể là (111) đóng vai trò là lớp mầm cho sự hình thành cấu trúc tinh thểđơn pha PZT(111).

Phổ nhiễu xạ tia X của các mẫu ủ tại các nhiệt độ khác nhau từ 550 đến 700oC được tổng hợp ở Hình 3.6. Như trên hình vẽ này, có thể rút ra nhận xét là với nhiệt độ ủ lớn hơn 550oC thì màng mỏng PZT đã đạt được cấu trúc tinh thể đơn pha định hướng

ưu tiên (111). Tuy nhiên để tìm ra nhiệt độ ủ tối ưu, chúng tôi đã tiến hành khảo sát tính chất điện của các màng mỏng chế tạo được. Mẫu có đặc trưng điện trễ và dòng rò tốt nhất sẽ được lựa chọn cho các ứng dụng chế tạo bộ nhớ sắt điện, như sẽ được trình bày ở các phần tiếp theo.

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện (Trang 48 - 49)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(77 trang)