Thị P-E (điện trễ) của màng mỏng PZ Tủ nhiệt nhanh tại 550oC

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện (Trang 62 - 63)

Quan sát các hình vẽ trên cho thấy, đối với cách xử lý nhiệt bằng hệủ nhiệt nhanh, cấu trúc tinh thể màng PZT đã được hình thành ở nhiệt độ 450oC, thấp hơn nhiều so với màng mỏng PZT được xử lý nhiệt bằng hệ ủ nhiệt chậm khoảng 550oC. Đường cong điện trễ của của màng mỏng PZT xử lý ủ nhiệt nhanh có hình thái tương đối ổn định, có tính đối xứng cao, màng vẫn đảm bảo được khảnăng làm việc ởđiện thế thấp, giá trị độ phân cực điện dư khá lớn, khoảng xấp xỉ 15, 30, và 40 C/cm2 cho các màng ủở các nhiệt độtương ứng 450, 500, 550 oC.

Kết quảnày có được là do trong khi chế tạo màng ở nhiệt độ thấp, ta đã tránh được quá trình nhiệt phân ở nhiệt độ 300oC trong khi tăng nhiệt độ lên 400oC, tức là tránh sự hình thành của pha trung gian chuyển tiếp pyrochlore. Trong cơ chế này, bằng cách giữđủlượng carbon trong quá trình ủ nhiệt ở 210 oC, Pb2+ có thể chuyển lại thành Pb0, dẫn tới việc thiếu đi chì ô-xít trong màng để ngăn cản việc hình thành của sự nhiệt phân trong màng. Điều này có nghía là không phải sử dụng nhiệt độ cao để kết tinh màng mỏng PZT trở thành cấu trúc perovskite.

b. Đặc trưng dòng rò

Kết quả đo đặc trưng dòng rò của mẫu RTA425 và RTA450 được trình bày ở Hình 3.32 và Hình 3.33. Tại thế phân cực thấp, giá trị dòng rò của cả 2 mẫu rất nhỏ trong khoảng 10-9 A. Khi thế phân cực lên đến 5 V thì dòng rò của các mẫu này tăng lên khoảng 10-5 A đối với mẫu RTA425 và 10-6A đối với mẫu RTA450.

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu tính chất của màng mỏng PZT cấu trúc nanô chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện (Trang 62 - 63)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(77 trang)