.62 Đi dây tín hiệu quan trọng khối điều khiển tín hiệu đầu ra

Một phần của tài liệu BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET (Trang 83 - 87)

- Hai cặp tín hiệu INN – INP, PADP – PADN được đi dây đối xứng.

 Đi dây nguồn/đất

Hình 3.63 Đi dây cho nguồn/đất khối điều khiển tín hiệu đầu ra

- Các đường nguồn/đất đặt lên đúng với các thiết bị.

- Độ rộng của đường kim loại nguồn/đất và số lượng Via được tối đa hoá. 3.4.5.3 Kết quả kiểm tra

DRC_INT LVS_INT ERC DRC tapeout DRC_DP colored tapeout LVS tapeout

BỎ QUA PASS PASS BỎ QUA BỎ QUA PASS

Bảng 3.4 Đánh giá tình trạng vật lý khối điều khiển tín hiệu đầu ra

Hình 3.64 Kết quả kiểm tra DRC_INT

Hình 3.65 Kết quả kiểm tra LVS_INT

Hình Kết quả kiểm tra DRC Hình Kết quả kiểm tra LVS

Hình 3.68 Kết quả kiểm tra DRC_DP colored tapeout

Kết quả kiểm tra DRC còn một số lỗi mật độ tối thiểu của kim loại mức 1 và poly, những lỗi này sẽ được sửa ở thiết kế vật lý toàn mạch. Do đó nó có thể được bỏ qua ở mức thiết kế vật lý hiện tại.

3.6 Thiết kế vật lý toàn mạch

3.6.1 Phác thảo thiết kế vật lý

Gồm các Decap và 4 khối chính: khối phân cực, khối khuếch đại vi sai, khối tăng biên độ tín hiệu vào, khối điều khiển tín hiệu đầu ra.

Hình 3.69 Sơ đồ nguyên lý toàn mạch

Hình 3.70 Phác thảo toàn mạch

3.6.2 Đi dây

 Các đường tín hiệu quan trọng: PAD

26um

Hình 3.71 PADN vs PADP Hình 3.72 PADN vs PADP

- PADN vs PADP được đi dây cân bằng và đối xứng. - PADN & PADP được che chắn bởi VSS.

Hình 3.73 Sơ đồ nguyên lý toàn mạch

Hình 3.74 Các đường tín hiệu: VCM vs VREF, Din

Một phần của tài liệu BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET (Trang 83 - 87)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(108 trang)