Quá trình hấp thụ các bức xạ khả kiến và tử ngoại gây ra biến đổi năng lượng điện tử
của phân tử gắn liền với kích thích điện tử từ một orbital bền chuyển sang một orbital khơng bền. Đối với phần lớn những biến đổi này, ta khơng thể biểu diễn chính xác cấu trúc của trạng thái kích thích bằng các liên kết thơng thường, bởi vì điện tửở trạng thái kích thích khơng ở vào một orbital bình thường nào cả. Khi điện tửở trạng thái cơ bản E1 chuyển sang trạng thái kích thích E2 thì kèm theo biến thiên năng lượng quay và dao
động phân tử. Thơng thường khơng thể phân giải các băng (dải) hấp thụthu được đến mức cĩ thể thấy rõ cấu trúc tinh vi do sự chuyển dịch dao động quay gây ra. Vì vậy các
băng hấp thụdo kích thích điện tửlà tương đối rộng [111, 112].
thơng số kỹ thuật và điều kiện vận hành sau:
- Chuẫn bị mẫu: dung mơi thích hợp: nước cất. Sau đĩ pha lỗng D lần.
- Chếđộ đo Blank: dung mơi là nước cất được cho vào cuvet, đo chếđộ Blank. - Chế độ đo mẫu: thay cuvet dung mơi bằng cuvet chứa dung dịch pha mẫu 4-NP, NaBH4, đo ở chếđộquét bước sĩng cực đại từ 800 nm xuống 200 nm.
- Mẫu trước khi đo được pha lỗng 8,10 hoặc 20 lần tùy thuộc độđậm và độ màu của chất pha mẫu sao cho nồng độ < 10-3 M để giá trịđộ hấp phụ quang nhỏhơn 1,5.
- Giá trịbước sĩng cực đại của 4-NP đo ở 317 nm và trong mơi trường kiềm cĩ dạng 4-NP-nên đo ởbước sĩng cực đại 400 nm.
- Độ chuyển hĩa tính theo cơng thức:
Độ chuyển hĩa = (1-A)/Ao
Trong đĩ:
A: độ hấp phụ quang của 4-NP- tại thời điểm đo
Ao: độ hấp phụ quang của 4-NP- tại thời điểm ban đầu
Mẫu được đo trên máy UV-Vis của hãng Agilent tại phịng thí nghiệm Viện Kỹ
thuật Hĩa học, trường Đại học Bách khoa Hà Nội.