1.5.3. Ưu điểm của ICP-OES
Khu vực nguyên tử hóa mẫu có nhiệt độ cao (lên đến 10000 K). Ưu thế này giúp phân tích các nguyên tố có khả năng chịu nhiệt cao với độ chính xác thích hợp và loại bỏ sự ảnh hưởng phức tạp của nền mẫu.
Mật độ electron trong trường điện từ cao (1014-1016 cm-3), nguồn cung cấp năng lượng kích thích ổn định.
Phân tích đồng thời nhiều nguyên tố (hơn 60 nguyên tố cùng một lúc) với độ chính xác cao.
Sự cản nhiễu nền và sự cản nhiễu của các yếu tố hóa học thấp. Giới hạn phát hiện thấp đối với hầu hết các nguyên tố.
Khoảng tuyến tính rộng, độ đúng và độ chính xác cao.
1.5.4. Nhiễu phổ trong ICP-OES
a. Ảnh hưởng phức tạp của nền mẫu
Phổ phát xạ phụ thuộc vào thành phần của nền mẫu khảo sát. Nếu trong mẫu tồn tại sự hiện diện các nguyên tố có nồng độ cao (ngoài nguyên tố cần xác định), phổ đồ sẽ xuất hiện những bức xạ nền liên tục. Hiện tượng này gọi là sự trôi nền, nó sẽ gây ra sự sai khác về đường nền của phổ thu được so với phổ của dung dịch mẫu tinh khiết (chỉ tồn tại duy nhất nguyên tố cần xác định).
b. Hiện tượng chồng lấp phổ
Chồng lấp phổ, một trong những vấn đề thường gặp nhất của ICP-OES, là hệ quả trực tiếp từ đặc tính nguyên tử hóa mẫu bằng nhiệt độ cao (để giảm ảnh hưởng của những nền mẫu dễ bay hơi và tối ưu sự phát xạ của nguyên tố). Khi đó, phổ của những nguyên tố có hàm lượng vết sẽ bị ảnh hưởng bởi những nguyên tố có nồng độ cao. Vì vậy, sự lựa chọn bước sóng phụ thuộc rất nhiều vào đặc trưng phổ gần bước sóng đó.
Sự chồng lấp phổ trực tiếp (che lấp toàn phần) Hiện tượng này xảy ra khi 2 nguyên tố khác nhau cùng phát xạ ở 1 bước sóng. Trong trường hợp này, ta không thể phân giải được phổ của từng nguyên tố riêng biệt.