Hình 3.7 biểu diễn sự phụ thuộc của cường độ phát xạ tích phân của vào công suất kích thích quang đối với các mẫu CdTe, CdTe/CdSe2ML và CdTe/CdSe4ML. Sự phụ thuộc của cường độ phát xạ tích phân theo công suất kích thích có thể mô tả bằng biểu thức: IPLnP, trong đó n tỉ lệ với hiệu suất phát xạ, số mũ phụ thuộc vào các cơ chế tái hợp phát xạ khác nhau [25]. =1-2 nếu là tái hợp exciton và nhận giá trị nhỏ hơn 1 nếu là các cơ chế tái hợp tạp chất. Như chúng ta đã biết, một tinh thể thực không bao giờ hoàn hảo. Sự không hoàn hảo như vị trí các nút khuyết, các trạng thái tạp chất, các lệch mạng,… luôn tồn tại trong tinh thể. Các loại không hoàn hảo tinh thể này có thể hút các exciton và khi đó các exciton sẽ định vị tại các vị trí sai hỏng và trở thành các exciton liên kết. Số lượng các exciton liên kết tỉ lệ thuận với nồng độ của các điện tử và lỗ trống hoặc các sai hỏng và tạo ra sự phụ thuộc tuyến tính của cường độ phát xạ vào công suất kích thích với γ < 1. Sự thay đổi độ dốc
của sự phụ thuộc của cường độ phát xạ vào công suất kích thích được giải thích bởi độ bão hòa của các sai hỏng. Đối với NC CdTe/CdSe các sai hỏng này có thể là các trạng thái khuyết của Cd, Te hoặc Se.
Với các NC CdTe, khi thay đổi công suất kích thích, vị trí đỉnh PL không thay đổi thể hiện đặc trưng phát xạ loại I, cường độ phát xạ tích phân tăng tuyến tính với hệ số góc = 1 khi tăng công suất kích thích phản ánh bản chất tái hợp exciton tiêu biểu. Tuy nhiên tại công suất kích thích cao hơn (khoảng 1 mW) có sự lệch nhỏ khỏi quan hệ tuyến tính do tái hợp Auger. Hiện tượng này cũng thường được quan sát trên các hệ NC khác. Đối với các mẫu CdTe/CdSe 2ML cường độ phát xạ tích phân tăng tuyến tính với hệ số góc = 0.81, chứng tỏ tái
hợp phát xạ không đơn thuần là tái hợp exciton nữa mà có thể đã có sự đóng góp của tái hợp biexciton do sự tách hạt tải trong các NC loại II. Hệ số nhỏ hơn 1 cũng có thể là do tái hợp exciton là gián tiếp nên một phần năng lượng tái hợp truyền cho dao động mạng tinh thể (phonon). Với các NC CdTe/CdSe 2ML, cường độ phát xạ chỉ phụ thuộc tuyến tính với công suất kích thích với hệ số = 0.75 trong khoảng công suất kích thích nhỏ, phản ánh bản chất tái hợp exciton vẫn đóng vai trò chủ yếu. Tuy nhiên khi tiếp tục tăng công suất kích thích sự lệnh khỏi quan hệ tuyến tính của mẫu CdTe/CdSe 4ML xảy ra tại công suất khoảng 1 mW. Sự lệch khỏi quan hệ tuyến tính này phản ánh các bản chất tái hợp phát xạ khác ngoài tái hợp phát xạ exciton [19], nguyên nhân của hiện tượng này là giảm tái hợp Auger.
Hình 3.7: Sự phụ thuộc của cường độ phát xạ tích phân theo công suất kích thích