Phương pháp hiển vi điển tử truyền qua phân giải cao

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) chế tạo và nghiên cứu tính chất điện, quang của màng mỏng sige ứng dụng trong pin mặt trời thế hệ hai​ (Trang 44 - 47)

5. Bố cục của luận văn gồm

2.2.4. Phương pháp hiển vi điển tử truyền qua phân giải cao

Hiển vi điện tử truyền qua phân giải cao (High Resolution Transmission Electron Microscopy- HR TEM) cho phép quan sát ảnh vi cấu trúc của vật rắn với độ phân giải rất cao, đủ quan sát được sự tương phản của các lớp nguyên tử trong vật rắn có cấu trúc tinh thể [3]. Khác với các ảnh TEM thông thường có độ tương phản chủ yếu là tương phản biên độ do hiệu ứng hấp thụ thì HR-TEM hoạt động dựa trên nguyên lý tương phản pha, tức là ảnh tạo ra nhờ sự giao thoa giữa chùm tia thẳng góc và chùm tia tán xạ [3]. Khi chùm điện tử chiếu qua mẫu (có chiều dày, độ sạch và sự định hướng thích hợp) sẽ bị tán xạ theo nhiều hướng khác nhau và sóng tán xạ sẽ ghi lại thông tin về cấu trúc, vị trí các nguyên tử... Vật kính phải có độ quang sai đủ nhỏ và có độ phân giải điểm đủ lớn để hội tụ các chùm tán xạ này, thực hiện việc giao thoa với chùm chiếu thẳng góc để tạo ra ảnh có độ phân giải cao.

Tùy thuộc vào bản chất của vật liệu, ảnh nhiễu xạ điện tử thường là một loạt những vòng sáng đối với mẫu có nhiều vi tinh thể định hướng ngẫu nhiên hoặc mạng lưới riêng biệt những điểm sáng sắc nét đối với mẫu đơn tinh thể hay mẫu có

kết cấu. Mỗi điểm sáng sắc nét trên ảnh nhiễu xạ vi điện tử là ảnh. Kính hiển vi điện tử truyền qua với độ phân giải cao, có điện thế từ 100 kV đến 400 kV, độ phân giải đối với điểm ảnh là 0,17 nm và đối với ảnh mạng tinh thể là 0,14 nm, độ phóng đại từ 50 đến 1.000.000 lần. Trong nghiên cứu này HR-TEM được nghiên cứu trên hệ máy Tecnai G2 F20 của hãng FEI - Mỹ, đặt tại phòng thí nghiệm Hiển vi điện tử và Vi phân tích, Viện Tiên tiến Khoa học và Công nghệ, trường đại học Bách Khoa Hà Nội. Thế gia tốc 200 kV đã được sử dụng để nghiên cứu cấu trúc và hình thái của các hạt SiGe nano tinh thể.

a/ Nhiễu xạ điện tử lựa chọn vùng

Nhiễu xạ điện tử lựa chọn vùng (Selected Area Electron Diffraction - SAED) là một phương pháp ghi ảnh trong HR-TEM sử dụng một chùm điện tử song song chiếu vuông góc qua một vùng vật liệu được lựa chọn. Ảnh nhiễu xạ sẽ là hệ thống các vân tròn đồng tâm nếu mẫu là đa tinh thể hoặc các vết nhiễu xạ phân bố rời rạc trên các đường tròn đồng tâm nếu mẫu là đơn tinh thể hoặc là các vòng tròn nhòe nếu mẫu không có cấu trúc tinh thể (vô định hình) [4], Hình 2.9.

Hình 2.9. Sự nhiễu xạ điện tử trong HR-TEM

Tương tự XRD, khi chùm điện tử chiếu vào tinh thể vật rắn, các điện tử bị nhiễu xạ với cường độ và hướng khác nhau. Mối liên hệ bước sóng điện tử tới với

khoảng cách giữa các mặt tinh thể theo định luật Bragg.

2dhklsinhkl (2.6) với góc hkl rất nhỏ: 2dhklhkl hay 2 sin hkl r

L

 

L: khoảng cách từ mẫu tới camera; r: bán kính véc tơ vị trí vết nhiễu xạ. Bán kính véc tơ vị trí vết nhiễu xạ: hkl L r d   (2.7)

SAED có thể tạo ảnh trong vùng chọn với kích thước cỡ từ 50 nm trở lên, rất dễ dàng thao tác mà không đòi hỏi các thiết lập phức tạp và có thể tính toán cấu trúc tinh thể với độ chính xác cao.

b/ Ảnh biến đổi nhanh Fourier

Biến đổi nhanh Fourier (Fast Fourier Transform) được ký hiệu FFT: là một thuật toán tính toán đặc biệt cho DFT (Discrete Fourier Transform) một phép tính gần đúng Fourier rời rạc.

Ảnh biến đổi nhanh Fourier là hình ảnh mạng tinh thể trong không gian mạng đảo chứa đựng thông tin tương tự như trong ảnh nhiễu xạ điện tử. Sự khác nhau giữa ảnh nhiễu xạ điện tử SAED là sự nhiễu xạ trực tiếp của điện tử trên mạng tinh thể và cho hình ảnh các vết nhiễu xạ, còn ảnh FFT được thực hiện dựa trên thuật toán thu thập và phân tích các dữ liệu trên ảnh HR-TEM để cho ra ảnh nhiễu xạ. Sự khác nhau về phương pháp tạo ra hình ảnh nhiễu xạ, tuy nhiên điều đó không quan trọng bởi các vị trí vết nhiễu xạ, góc phản xạ và khoảng cách từ tâm đến vị trí các vết nhiễu xạ của cùng một cấu trúc tinh thể trên SAED và FFT là như nhau.

Từ một ma trận các điểm ảnh chứa đựng thông tin cấu trúc của HR-TEM, qua phép biến đổi FFT sẽ tạo ra một ma trận điểm ảnh mới biểu diễn theo tần số gọi là ảnh FFT. Từ ảnh FFT làm phép biến đổi ngược IFFT sẽ trả lại ảnh HR-TEM.

Ảnh FFT khả năng cho nhiều phép phân tích chi tiết hơn so với kỹ thuật SAED. Ảnh FFT dễ dàng lựa chọn phân tích cho một khu vực tinh thể trên ảnh HR- TEM, và có thể thực hiện phép biến đổi ngược I-FFT trả về ảnh HR-TEM sau khi

chỉ giữ lại các vết nhiễu xạ chính của tinh thể trên ảnh FFT làm cho hình ảnh tinh thể rõ nét hơn [4].

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) chế tạo và nghiên cứu tính chất điện, quang của màng mỏng sige ứng dụng trong pin mặt trời thế hệ hai​ (Trang 44 - 47)