5. Bố cục của luận văn gồm
3.1.3. Kết quả phân tích phổ tán xạ Raman của hợp kim Si1-xGex
Để thấy rõ sự hình thành pha tinh thể hợp kim Si1-xGex sau khi ủ nhiệt, các mẫu M1, M2, M3, M4 sau khi xử lý nhiệt ở 1000oC được đo phổ tán xạ Raman trong khoảng số sóng từ 200 đến 600 cm-1 ở nhiệt độ phòng. So với phương pháp nhiễu xạ tia X, thì phương pháp phổ tán xạ Raman có ưu thế về khả năng phát hiện các pha tinh thể với độ nhạy cao và nhạy hơn phương pháp nhiễu xạ tia X. Phương pháp này thường được sử dụng trong việc đánh giá cấu trúc tinh thể, những biến đổi trong vi cấu trúc như tính đối xứng, sự thay đổi độ dài liên kết, các dao động mạng... Kết quả đo phổ tán xạ Raman của hệ mẫu trong khoảng số sóng từ 200 - 600 cm-1 ở nhiệt độ phòng được trình bày trên Hình 3.4. Từ Hình 3.4, cho chúng tôi thấy các nhận xét sau:
- Các đỉnh ứng với các mode dao động của liên kết Ge-Ge, Ge-Si, Si-Si ở vùng số sóng gần 300, 400, 500 (cm-1) hoàn toàn phù hợp với các nghiên cứu trên vật liệu Si1- xGex của các nhóm [26, 27].
- Khi x tăng, cường độ các đỉnh đặc trưng cho liên kết Ge-Ge tăng dần, chứng tỏ thủy phần Ge trong mẫu tăng. Ngược lại, cường độ các đỉnh đặc trưng cho liên kết Si-Si giảm dần khi x tăng, chứng tỏ tỷ phần Si giảm.
- Khi nhiệt độ ủ cao (1000oC) hình thành rõ các liên kết, có thể do sự kết tinh tốt hơn, kích thước hạt lớn hơn.
Hình 3.4. Phổ Raman của tinh thể hợp kim Si1-xGex với x = 0,2; 0,4; 0,6; 0,8 được xử lý nhiệt ở 1000oC trong môi trường khí N2 với thời gian 30 phút
Các kết quả thu được qua phaantichs phổ tán xạ Raman hoàn toàn phù hợp với kết quả phân tích từ giản đồ nhiễu xạ tia X.