5. Bố cục của luận văn gồm
3.1.1. Kết quả phân tích thành phần bằng phổ tán sắc năng lượng của vật
hợp kim nano Si-Ge trên nền vật liệu SiO2
Để chuẩn bị cho các phép phân tích hình thái cấu trúc cũng như tính chất quang của vật liệu. Trước tiên, chúng tôi kiểm tra thành phần các nguyên tố của hệ mẫu Si1-xGex với ký hiệu là M1 (x = 0,2); M2 (x = 0,4); M3 (x= 0,6); M4 (x= 0,8) sau khi xử lý nhiệt thông qua phép đo phổ tán sắc năng lượng tia X (EDX). Phép đo được thực hiện trên thiết bị JEOL JSM-7600F và thu được kết quả như trên Hình 3.1.
Hình 3.1. Phổ tán sắc năng lượng tia X của mẫu M1, M2, M3, M4.
Kết quả cho thấy, trên phổ EDX chỉ xuất hiện các vạch phổ đặc trưng cho các nguyên tố có trong hợp thức danh định của các mẫu là Si, Ge và O. Trên phổ EDX không có vạch phổ đặc trưng của bất kỳ nguyên tố nào khác chứng tỏ các mẫu đã chế tạo không bị lẫn tạp chất. Quan sát trên hình 3.1 ta thấy, khi x tăng, cường độ
các đỉnh phổ đặc trưng cho nguyên tố Ge tăng dần, cường độ các đỉnh phổ đặc trưng cho Si giảm dần. Chứng tỏ các mẫu chế tạo đúng hợp thức mong muốn. Mặc dù phổ EDS không xác định được pha vật liệu nhưng sẽ giúp đánh giá được định lượng thành phần các nguyên tố trong vật liệu, vì vậy chúng tôi đã tiến hành xác định tỷ phần các nguyên tố có trong mẫu. Kết quả được thể hiện trên Bảng 3.1.
Bảng 3.1. Thành phần các nguyên tố có trong hệ mẫu M1, M2, M3, M4.
Mẫu Si1-xGex trên nền SiO2 Si (%) Ge (%) O (%)
M1 (x = 0,2) 45,5 4,9 48,7
M2 (x = 0,4) 41,1 10,2 47,7
M3 (x = 0,6) 35,9 17,3 45,9
M4 (x = 0,8) 29,7 23,9 45,8
Từ bảng 3.1 ta thấy, thành phần các mẫu sau khi chế tạo bằng phương pháp đồng phún xạ catốt đều có tỉ lệ thành phần các nguyên tố phù hợp với các thông số phún xạ.