6. Cấu trúc luận văn
1.1.3.2. Phương pháp lắng đọng pha hơi hóa học (CVD: Chemical Vapor
Deposition)
ây là một công nghệ đƣợc sử dụng tƣơng đối rộng rãi để chế tạo lớp phủ màng mỏng tr n bề mặt của một vật liệu. n cạnh đó, phƣơng pháp này còn đƣợc sử dụng để sản xuất bột, vật liệu có độ tinh khiết cao và chế tạo vật liệu composite. ông nghệ này bao gồm các công đoạn phun khí hoặc tiền chất vào buồng đựng đế đã đƣợc nung nóng. ác phản ứng hoá học xảy ra song song với nhau, gần sát với bề mặt nóng và lắng đọng thành màng mỏng tr n bề mặt. ác sản phẩm phụ thoát ra khỏi buồng lắng đọng hoá học cùng với các khí của tiền chất không phản ứng. Công nghệ này đƣợc thực hiện trong bình phản ứng thành bình nóng và bình phản ứng thành bình lạnh ở áp suất dƣới 1 torr đến áp suất khí quyển, với nhiệt độ phổ biến từ 200 o đến 1600 o , có khí tải hoặc không có khí tải. Quá trình V nâng cao sử dụng
plasma, laser, ion, photon, dây tóc nóng hoặc các phản ứng đốt cháy để tăng tốc độ lắng đọng hoặc giảm nhiệt độ lắng đọng.
Với công nghệ CVD có thể tạo ra lớp màng V có độ dày tƣơng đối đồng đều, nhiều vật liệu có thể đƣợc sử dụng để lắng đọng, tốc độ lắng đọng tƣơng đối nhanh, lắng đọng với độ nguy n chất cao. Tuy nhiên, các tiền chất cũng dễ bay hơi ở nhiệt độ gần nhiệt độ phòng, các màng thƣờng đƣợc lắng đọng ở nhiệt độ cao gây hại cho đế đƣợc phủ, làm cho độ bền cơ học của lớp màng lắng đọng không cao và vật liệu đƣợc sử dụng trong công nghệ V có giá thành cao.
ể tạo bột oxit kim loại, ngƣời ta cho khí oxy ở áp suất thấp thích hợp thổi qua bình. ùng với sự ngƣng đọng tr n bề mặt, có các phản ứng hóa học xảy ra tạo đƣợc bột với thành phần mong muốn. Phƣơng pháp V đã đƣợc nhiều tác giả sử dụng để chế tạo màng Fe2O3 [9], [14], [15]. Nhiều vật liệu đã đƣợc lắng đọng và phạm vi ứng dụng rộng rãi với nhiều biến thể của phƣơng pháp CVD.