- Bộ phím điều khiển có đặc tính sau:
b) Xung vuông khi tăng thời gian quét c) Xung vuông khi giảm thời thời gian quét Giá tr ị đỉnh của xung là giá trị được tính từ 2 đỉnh xung li ền kề nhau
1.3.1. Mạch dao động đa hài không ổn dùng transistor
Trong kỹ thuật xung, để tạo ra các dao động không sin người ta thường
dùng các bộ dao động tích thoát. Về nguyên tắc, bất kỳ một bộ dao động không điều hoà nào cũng được coi là một dao động không sin. Trong các bộ dao động
sin ngoài các linh kiện điện tử, trong mạch còn có mạch dao động gồm hai phần
tử phản kháng là cuộn dây (L) và tụ điện (C). Trong các bộ dao động tích thoát
phần tử tích trữ năng lượng được nạp điện và sau đó nhờ thiết bị chuyển mạch phóng điện đến một mức xác định nào đó rồi lại được nạp điện. Nếu việc phóng điện được thực hiện qua điện trở thì gần như toàn bộ năng lượng được tích luỹ đều được tiêu hao dưới dạng nhiệt. Như vậy, mạch dao động tích thoát thường
gồm hai phần tử chính đó là: cuộn dây (L) và điện trở (R) hoặc tụ điện (C) và
điện trở (R). Thông thường mạch dùng R, C là chủ yếu.
Mạch dao động đa hài là mạch dao động tích thoát tạo ra các xung vuông.
Mạch có thể công tác ở ba chế độ:
- Chế độ tự dao động gọi là trạng thái tự kích (không ổn)
- Chế độ đồng bộ (đơn ổn)
- Chế độ đợi (lưỡng ổn)
Định nghĩa: Mạch dao động đa hài không ổn là mạch dao động tích thoát
dùng R, C tạo ra các xung vuông hoạt động ở chế độ tự dao động.
Cấu tạo: Trong mạch dao động đa hài không ổn, người ta thường dùng các tranzito Q1, Q2 loại NPN. Các linh kiện trong mạch có những chức năng riêng, góp phần làm cho mạch dao động. Các trị số của các linh kiện R cà C có tác dụng quyết định đến tần số dao động của mạch.Các điện trở R1, R3 làm giảm áp
và cũng là điện trở tải cấp nguồn cho Q1, Q4. Các điện trở R2, R3 có tác dụng
phân cực cho các tranzito Q1, Q2. Các tụ C1, C2 có tác dụng liên lạc, đưa tín hiệu
xung từ tranzito Q1 sang tranzito Q2 và ngược lại. Hình 2.17 minh hoạ cấu tạo
của mạch dao động đa hài không ổn dùng tranzito và các linh kiện R và C.