* Thiết bị phản ứng cú 1 buồng xỳc tỏc:
Thiết bị cú cấu tạo cơ bản như hỡnh 2.1 loại thiết bị này cú nhược điểm là nhiệt độ phõn bố khụng đồng đều theo tiết diện ngang của lớp xỳc tỏc do quỏ trỡnh truyền nhiệt trong cỏc lớp hạt là rất kộm.
Hỡnh 2.1: Thiết bị phản ứng cú 1 buồng xỳc tỏc
* Thiết bị phản ứng cú xỳc tỏc kiểu ống chựm:
Để khắc phục nhược điểm của loại thiết bị trờn người ta chế tạo thiết bị phản ứng cú xỳc tỏc kiểu ống chum bằng cỏch chia lớp xỳc tỏc thành nhiều ống xỳc tỏc khỏc nhau (hỡnh 2.2). Chiều cao ống xỳc tỏc phụ thuộc vào thời gian lưu cần thiết của cỏc chất phản ứng bờn trong tiếp xỳc với xỳc tỏc, đường kớnh ống xỳc tỏc phụ thuộc vào hiệu ứng nhiệt của phản ứng húa học. Nếu hiệu ứng nhiệt càng cao thỡ đường kớnh ống càng nhỏ để quỏ trỡnh trao đổi nhiệt được diễn ra một cỏch tốt nhất, trỏnh gradient nhiệt độ theo hướng kớnh cú thể sinh ra quỏ trỡnh nhiệt cục bộ gõy chảy xỳc
tỏc làm tắc ống. Loại thiết bị này được ứng dụng rất rộng rói trong cụng nghiệp như sản xuất VC, VA từ Acetylen.
Nhược điểm của loại thiết bị này là khi cú sự thay đổi về cỏc yếu tố cụng nghệ thỡ việc chuyển loại trừ cỏc ảnh hưởng cụng nghệ tới cỏc ống xỳc tỏc là khú khăn. Do đú loại thiết bị này khỏ nhạy với sự thay đổi của cỏc biến cụng nghệ nờn rất khú điều khiển.
Hỡnh 2.2: Thiết bị phản ứng cú xỳc tỏc kiểu ống chựm
* Thiết bị phản ứng cú nhiều lớp xỳc tỏc:
Thiết bị này được chế tạo nhằm khắc phục cỏc nhược điểm của loại thiết bị xỳc tỏc ống chựm. Mỗi lớp xỳc tỏc cú thể làm việc ở một chế độ xỏc định và người ta cú thể điều khiển nhiệt độ lớp xỳc tỏc tĩnh bằng khớ trơ hoặc bằng chớnh mụi trường chất phản ứng đú. (hỡnh 2.3).
Ngày nay, người ta chế tạo cỏc thiết bị phản ứng cú lớp xỳc tỏc hướng kớnh làm cho tiết diện dũng chảy lớn và thời gian tiếp xỳc giữa chất phản ứng với xỳc tỏc dài hơn giỳp tăng năng suất thiết bị.
Hỡnh 2.3: Thiết bị phản ứng cú nhiều lớp xỳc tỏc