VIII. 4 b Nhược điểm:
7.Mạch kích thyristor:
Trong các bộ biến đổi cơng suất dùng thyristor và mạch tạo xung kích vào cổng điều khiển của nĩ cần cách điện. Tuơng tự như các mạch kích cho transistor, ta cĩ thể sử dụng biến áp xung hoặc optron, xem hình II.9
Hình II.9 : Sơ đồ kích bằng optron K A G +Vcc U1
Xung hồng ngoại do diode D1(LED) phát ra làm photoSCR V1 đĩng tạo điều kiện để dịng kích vào cổng G của thyristor V. Mạch cần nguồn riêng cho mạch cồng, do đĩ làm tăng giá thành và kích thuớc mạch kích.
Mạch kích dùng biến áp xung được vẽ trên hình II.10. Sau khi tác dụng áp lên mạch cổng B của transistor Q1. Transistor Q1 dẫn bão hịa làm điện áp Vcc xuất hiện trên cuộn sơ cấp của biến áp xung và từ đĩ xung điện áp cảm ứng xuất hiện phía thứ cấp biến áp . Xung tác dụng lên cổng G của thyristor. Khi khĩa xung kích cho transistor Q1 bị ngắt dịng qua cuộn sơ cấp biến áp xung duy trì qua mạch cuộn sơ cấp và diode Dm.
0 H ì n h I I .1 0 : M a ïc h k í c h s ư û d u ïn g b i e án a ùp x u n g + V c c B I E ÁN A ÙP X U N G K G
Việc đưa xung kích dài vào cổng G làm tăng thêm tổn hao mạc cổng, do đĩ cĩ thể thay thế nĩ bằng chuổi xung. Muốn vậy xung điều khiển kết hợp với tín hiệu ra của bộ phát xung vuơng qua mạch cổng logic AND trước khi đưa vào cổng B của transistor Q1 (xem hình II.11). B I E ÁN A ÙP X U N G K G + V c c B O Ä T A ÏO X U N G 0 + V c c H ì n h I I .1 1 : M a ïc h k í c h x u n g r o än g s ư û d u ïn g b i e án a ùp x u n g G N D