VIII. 4 b Nhược điểm:
Hình II 3: Đặc tuyến của SCR
G E A E SCR VR R
Hình II.4 : sơ đồ thí nghiệm
Trên hình II.3 và II.4 cho ta sơ đồ thí nghiệm và đặc tuyến volt – ampe của SCR, trong đĩ IT thay đổi được và dịng IG điều khiển nhờ VR. Đặc tính tĩnh SCR gồm các miền:
• VAK< 0: Khĩa ngược : Chạy qua SCR là dịng rị ngược , cở mA. Khi VAK < -VRB ta cĩ hiện tượng gãy ngược, dịng IT tăng rất cao trong khi VAKvẫn giữ trị số lớn
⇒ SCR bị hỏng.
• VAK>0 và IG =0 : Khĩa thuận : Ta cĩ dịng rị thuận cũng cỡ mA. Khi VAK>VFB ta cĩ hiện tương gãy thuận : SCR chuyển sang vùng dẫn điện.
Ta phải chọn định mức áp của SCR lớn hơn các giá trị này, hệ số an tồn điện áp thường chọn lớn hơn hay bằng 2.
Khi phân cực thuận, nếu IG tăng lên từ giá trị 0, VFB giảm dần. Như vậy, dịng IG cần phải đủ lớn để cĩ thể sử dụng SCR như một ngắt điện điện tử: SCR chuyển sang trạng thái dẫn ngay khi được kích bất chấp điện áp phân cực thuận.
• Vùng dẫn điện : Ứng với trường hợp SCR đã được kích khởi và dẫn điện, sụt áp qua SCR VAK=VF khoảng 1-2 volt. Trong vùng dẫn điện cĩ hai đặc trưng dịng: +IL :dịng cài, là giá trị tối thiểu của IT để SCR cĩ thể duy trì trạng thái dẫn khi dịng cực cổng IG giảm về 0 (kích SCR bằng xung).
+IH : dịng giữ, là giá trị tối thiểu của IA để SCR cĩ thể duy trì trạng thái dẫn (khi khơng cịn dịng cực cổng IG). Nếu dịng anode thấp hơn IH, SCR trở về trạng thái khĩa.
IL khác IH vì cĩ quá trình lan tỏa của dịng anode từ vùng phụ cận của cực G đến tồn mảnh bán dẫn khi SCR được kích ( cĩ dịng cực nền ), tương ứng mật độ dịng giảm dần, làm cho hệ số khuếch đại dịng điện tăng. Quá trình quá độ này cịn ảnh hưởng đến giới hạn di/dt, được giới thiệu trong đặc trưng tính động của SCR.