Sơ đồ mạch đơn ổn như hình 6-39, mạch không dùng phản hồi qua RB1 mà thông qua điện trở cực phát RE.
Hình 6-39. Mạch đơn ổn ghép cực phát. Hoạt động của mạch như sau:
Mạch được thiết kế để ở chế độ xác lập sao cho:
Transistor T1 tắt.
Transistor T2 dẫn bảo hoà.
Tụ C được nạp điện với dòng điện chạy từ nguồn qua RC1, qua C, qua mối nối BET2, qua điện trở RE về GND – điện áp của tụ C tăng dần cho đến khi bằng điện áp nguồn cung cấp VCC. Dòng điện chạy qua điện trở RE tạo nên điện áp VE IET2RE khoá transistor T1 tắt.
Ban quyen © Truong DH Su pham Ky thuat TP. HCM
Chương 6. Mạch đa hài. SPKT – Nguyễn Việt Hùng
Điện áp ra của mạch Vo VEVCESatT2 mạch ở trạng thái xác lập.
Khi có xung kích dương sẽ làm transistor T1 dẫn bảo hoà – xem như ngắn mạch, điện áp của tụ C sẽ đặt lên mối nối BET2 làm tắt transistor T2.
Điện áp ra của mạch Vo VCC mạch ở trạng thái bất ổn.
Khi transistor T1 dẫn bảo hoà thì dòng điện chạy qua điện trở RE tạo nên điện áp
EET ET
E I R
V 1 khoá transistor T2 tắt.
Sau khi tụ C phóng hết điện thì tụ C bắt đầu nạp điện với dòng điện chạy từ nguồn qua R, qua C, qua mối nối CET1, qua điện trở RE về GND – điện áp của tụ C tăng dần cho đến khi
ET T E CESatT C B V V V V V
V 2 1 2 thì transistor T2 dẫn bảo hoà – khoá transistor T1.
Điện áp ra của mạch Vo VCC mạch trở lại trạng thái xác lập và chờ xung kích tiếp theo. 4. MẠCH TRIGGER SCHMITT:
Sơ đồ mạch Trigger Schmitt như hình 6-40
Hình 6-40. Mạch trigger Schmitt. Hoạt động của mạch như sau:
Mạch được thiết kế để ở chế độ xác lập sao cho:
Transistor T1 tắt.
Transistor T2 dẫn bảo hoà.
Khi T1 tắt thì điện áp VCT1có giá trị điện áp lớn nên qua mạch cầu phân áp RB1, RB2 làm transistor T2 dẫn bảo hoà, đồng thời điện áp VE IESatT2RE khoá T1 tiếp tục tắt.
Điện áp ra của mạch Vo VE VCESatT2
Khi điện vào tăng dần cho đến khi Vi VKT - ngưỡng kích trên thì transistor T1 dẫn, điện áp
1
CT
V giảm làm tắt transistor T2, dòng qua điện trở RE khoá transistor T2 tiếp tục tắt. Điện áp ra của mạch Vo VCC
Ban quyen © Truong DH Su pham Ky thuat TP. HCM
Chương 6. Mạch đa hài. SPKT – Nguyễn Đình Phú
Khi điện vào giảm dần cho đến khi Vi VKT - ngưỡng kích dưới thì transistor T1 tắt, điện áp
1
CT
V tăng làm transistor T2 dẫn bảo hoà, dòng qua điện trở RE khoá transistor T1 tiếp tục tắt. Điện áp ra của mạch Vo VE VCESatT2
VI. MẠCH DAO ĐỘNG ĐA HAØI DÙNG CÁC LINH KIỆN CÓ VÙNG ĐIỆN TRỞ ÂM:
Các linh kiện có đặc tuyến vôn ampe hình chữ S hay chữ N – có vùng điện trở âm thì có thể được dùng làm mạch song ổn, đơn ổn và bất ổn.
Phần này sẽ giới thiệu lại các linh kiện có vùng điện trở âm. 1. DIODE TUNNEL:
Diode tunnel là diode P-N có nồng độ tạp chất cao: mật độ 1019 1020/cm2 so với diode thường thì mật độ chỉ là 1017/cm2. Diode có đặc tuyến von-ampe như hình 6-41.
Hình 6-41. Ký hiệu và đặc tuyến von-ampe của diode tunnel. Các giá trị : Ip, vp: dòng điện và điện áp đỉnh của diode.
v
I , vv: dòng điện và điện áp thung lũng.
F
v : giá trị điện áp cần thiết để đỉnh của diode. Các ưu điểm:
Tốc độ làm việc cao.
Tiêu hao năng lượng thấp và sơ đồ đơn giản.
Điện áp làm việc thấp Khuyết điểm:
Mạng 2 cực nên vấn đề phân cách giữa các tầng khó.
Phạm vi sử dụng ít hơn BJT và vi mạch.
Ban quyen © Truong DH Su pham Ky thuat TP. HCM
Chương 6. Mạch đa hài. SPKT – Nguyễn Việt Hùng
Mạch tương đương của diode tunnel như hình 6-42
Hình 6-42. Mạch tương đương của diode tunnel.