Ngoài các phương pháp trên, còn có một số phương pháp vật lý như phương pháp plasma, bốc bay chân không, phún xạ magnetron, hồ quang… để chế tạo màng gốm HA trên các vật liệu nền trơ sinh học [25]. Nguyên lý của các phương pháp này là làm bốc bay các phân tử HA ở nhiệt độ cao trong chân không, sau đó tích tụ lại trên đế trơ sinh học.
Bằng các phương pháp trên có thể dễ dàng chế tạo được màng HA có chiều dày cỡ µm. Màng HA có độ bám dính tương đối cao với vật liệu nền, nhưng khó tạo ra các màng rất mỏng (chiều dày cỡ nm), khó điều chỉnh được độ dày của lớp màng. Mặt khác, do thực hiện ở nhiệt độ cao, HA dễ bị phân huỷ do nhiệt độ cao dẫn đến tỷ lệ Ca/P thay đổi, nên sản phẩm thường lẫn các tạp chất của vật liệu nền.
- Phương pháp plasma:
Hình 1.18 là sơ đồ nguyên lý của phương pháp plasma. Bột HA bị ion hoá và một phần nóng chảy trong dòng plasma, tạo ra một lớp màng bám trên vật liệu nền tương đối bền [42], [62].
Hình 1.18: Sơ đồ nguyên lý của phương pháp plasma
- Phương pháp bốc bay chân không [11]:
Hình 1.19: Sơ đồ nguyên lý của phương pháp bốc bay chân không
Bộ phận chính của thiết bị bốc bay nhiệt là một buồng được hút chân
không cao (cỡ 10-5 – 10-6Torr) nhờ các bơm chân không (bơm khuếch tán
hoặc bơm phân tử…). Thuyền điện trở được làm bằng các vật liệu (vonphram, tantan, bạch kim…) chịu nhiệt và ít tương tác với HA, có nhiệm vụ đốt nóng chảy HA cho đến khi HA bay hơi. Sau đó HA sẽ ngưng đọng lên các đế được gắn vào giá phía trên (hình 1.19).
- Phương pháp phún xạ magnetron:
Hình 1.20 là sơ đồ nguyên lý của phương pháp phún xạ magnetron. Nguyên lý của phương pháp là sử dụng nguồn phát để tạo trường điện từ tần số cao (13,56 MHz) [42].
Hình 1.20: Sơ đồ nguyên lý của phương pháp phún xạ magnetron
Do electron có khối lượng nhỏ hơn nhiều so với ion dương, nên dòng xoay chiều này chỉ làm dịch chuyển electron, còn ion dương không bị ảnh hưởng nhiều. Electron di chuyển sẽ va chạm với Ar trung hoà và sinh ra ion
Ar+. Các hạt khí ion này được gia tốc và va chạm với các nguyên tử trên bề
mặt của HA, làm cho chúng phún xạ và bay đến vật liệu nền, lắng đọng hình thành nên lớp màng HA [12].