CHƯƠNG IV: KẾT QUẢ VÀ BÀN LUẬN
4.1.1.1. Áp suất riêng phần của nitơ p= 1,5.10-4torr (Tỉ lệ phần trăm khí nitơ
trong hỗn hợp khí là 5%)
Trong phần này, khảo sát điện trở suất theo thế phún xạ, nên ta chọn các thơng số cịn lại một cách ngẫu nhiên và cố định như nhiệt độđế 2000C, khoảng cách bia và
đế là 4,5cm, áp suất khí làm việc là 3.10-3torr, áp suất riêng phần của nitơ là 1,5.10-4 torr. Thay đổi thế phún xạđể khảo sát điện trở suất của màng và kết quả cho trong bảng 4.1.
Bảng 4.1. Điện trở suất của màng TiN theo thế phún xạđược chế tạo ởđiều kiện: Ts = 2000C, h = 4,5cm, P = 3.10-3torr , p = 1,5.10-4torr. Mẫu U(V) ρ(Ωcm) T37 340 3,65.10-4 T38 370 1,28.10-4 T41 420 3,45.10-4 Từ kết quả (bảng 4.1), mẫu T38 cĩ điện trở suất thấp nhất ρ = 1,28.10-4Ωcm,
được tạo ở thế phún xạ 370V. Phổ nhiễu xạ tia X của mẫu T38 được trình bày ở (hình 4.1), màng ưu tiên phát triển mặt (111), đây là mặt phân cực, nên điện tử bị tán xạ khi di chuyển qua mặt này, làm cho độ linh động của điện tử giảm kéo theo điện trở suất của màng cao.
Với điều kiện khảo sát như trên, màng cĩ điện trở suất thấp ở thế phún xạ 370V.
Đây là thế ngưỡng để tạo được hợp thức TiN tốt nhất. Vì khi tăng thế lên 440V thì màng cĩ màu trắng, đây là màng với thành phần titan chiếm đa số, giống như màng kim
Hình 4.1. Phổ nhiễu xạ tia X của mẫu T38 được chế tạo ởđiều kiện: Ts = 2000C, h = 4,5cm, P = 3.10-3torr, p = 1,5.10-4torr, U = 370V.
loại, do tốc độ lắng đọng lớn, nitơ khơng kịp phản ứng với titan để tạo hợp thức TiN tốt nhất. Vì vậy, màng TiN sẽ thừa titan và cĩ điện trở suất vẫn cịn cao, mặt (111) phát triển trội.