CHƯƠNG IV: KẾT QUẢ VÀ BÀN LUẬN
4.1.3. Khảo sát sự ảnh hưởng của điện trở suất theo nhiệt độ đế.
Giữ các thơng số tạo màng như áp suất khí làm việc là 3.10-3torr, tỉ lệ phần trăm khí nitơ trong hỗn hợp khí 10%, thế phún xạ là 550V, khoảng cách bia và đế 4,5cm. Thay đổi nhiệt độđếđể khảo sát điện trở suất của màng.
Bảng 4.8. Điện trở suất của màng TiN thay đổi theo nhiệt độđược chế tạo ở điều kiện: P = 3.10-3torr , p = 3.10-4torr, U = 550V, h = 4,5cm.
Từ kết quả khảo sát ở bảng 4.8 cho thấy, hai nhiệt độđế tốt nhất để màng đạt cấu trúc tối ưu ở 3000C và 2000C. Khi đĩ, màng xuất hiện đồng thời ba mặt (111), (200) và
(311). Ở 3000C, màng cĩ cấu trúc tinh thể tốt nhất, thể hiện qua cường độ nhiễu xạ mặt
Mẫu T0C ρ(Ωcm) T70 1500C 0,63.10-4 Q54 2000C 0,39.10-4 T71 3000C 0,35.10-4 T72 3500C 0,42.10-4 T73 4000C 0,9.10-4
(311) bằng với cường độ nhiễu xạ mặt (200), làm tăng độ linh động của điện tử. Tuy nhiên, khi nhiệt độ tăng đến 4000C, vật liệu trong buồng chân khơng nhả khí, làm cho màng cĩ nhiều tạp, dẫn đến cấu trúc tinh của màng giảm, cường độ nhiễu xạ mặt (311) giảm, vì thếđộ linh động của điện tử giảm đồng nghĩa với điện trở suất tăng.
So với cơng trình [33] đã trình bày ở trên, ở nhiệt độ đế 5000C thì cường độ
nhiễu xạ mặt (200) mạnh hơn. Trong cơng trình [24] thì khi tạo màng ở 4000C và phần trăm khí nitơ trong hỗn hợp khí làm việc là 18%, màng cĩ điện trở suất thấp24μΩcm
bằng với điện trở khối TiN. Trong cơng trình [16] màng được tạo ở nhiệt độ đế 7000C màng cĩ điện trở suất thấp15μΩcm. Trong khi đĩ, trong luận văn của chúng tơi chỉ giới
Hình 4.9. Phổ nhiễu xạ tia X của các màng TiN được chế tạo ởđiều kiện: P = 3.10-3torr, p = 3.10-4torr, U = 550V, h = 4,5cm, Ts = 1500C ÷ 4000C.
(200)
(311)(111) (111)