a. Các mạch khuếch đại
Xem lại trong giáo trình Kỹ thuật điện tử.
b. Mạch tạo dao động ngoại sai.
Xem lại trong giáo trình Kỹ thuật điện tử.
c. Mạch vào.
Mạch vào ghép điện dung.
Hình 2.11 Mạch vào ghép điện dung
Tín hiệu cao tần điều biên được đưa vào mạch cộng hưởng từ anten qua tụ Cgh. Mạch cộng hưởng gồm tụ xoay Cx nối song song với tụ tinh chỉnh CT và cuộn dây L1, tần số của mạch cộng hưởng phải bằng đúng tần số của tín hiệu cần thu f0. Tín hiệu thu được ghép qua cuộn L2 đưa tới Bazo của tầng khuếch đại cao tần T.
Nhược điểm: Hệ số truyền đạt không đồng đều.
Mạch vào ghép điện cảm.
Tín hiệu từ anten qua Lgh cảm ứng vào mạch cộng hưởng qua L1, mạch cộng hưởng gồm Cx//CT và L1. Tín hiệu được chọn lọc bởi mạch cộng hưởng có tần số f0, cảm ứng qua cuộn L2 và đi vào Bazo của tầng khuếch đại cao tần.
Nhược điểm: Hệ số truyền đạt không đồng đều.
Để hệ số truyền đạt đồng đều, ta sử dụng mạch vào hỗn hợp: Ghép điện cảm và điện dung.
Hình 2.13 Mạch vào ghép điện cảm và điện dung.
d. Mạch trộn tần.
Nguyên lý của trộn tần cũng giống như điều biên, tức là người ta cộng hai tín hiệu điều biên và dao động ngoại sai vào đặc tuyến của phần tử phi tuyến như Diode hay Trasistor. Ở đầu ra sẽ có các thành phần dao động với tần số f0 + fns và f0 – fns cùng với các thành phần tần số cao khác. Ta dùng bộ lọc cộng hưởng để lọc lấy thành phần f0 – fns.
Thông thường người ta thường dùng mạch trộn tần dùng Transistor hoặc Diode. Dưới đây ta xét mạch trộn tần dùng 1 Transistor và 2 Transistor vừa làm nhiệm vụ tạo dao động ngoại sai, vừa trộn tần.
Hình 2.14 Mạch trộn tần dùng 1 Transistor
Tín hiệu được đưa vào Bazo của T1, dao động ngoại sai được đưa vào Emitter của T1. Tín hiệu đã trộn tần được lấy ra trên tải cộng hưởng L5, C5.
Khung cộng hưởng gồm L4, CT//Cx làm nhiệm vụ tạo dao động ngoại sai.
Hình 2.15 Mạch trộn tần dùng 2 transistor T1 làm nhiệm vụ trộn tần.
T2 làm nhiệm vụ tạo dao động ngoại sai.
Mạch giải điều biên (hay mạch tách sóng) đơn giản và thường dùng là tách sóng Diode. Nếu Diode mắc nối tiếp với điện trở tải gọi là tách sóng nối tiếp, còn nếu Diode mắc song song với tải điện trở gọi là tách sóng song song. Mạch tách sóng song song được dùng trong trường hợp cần ngắn mạch thành phần một chiều với trung tần. Nhưng các máy thu thường dùng mạch tách sóng nối tiếp hơn.
Hình 2.16 Mạch tách sóng nối tiếp dùng Diode
Nguyên lý: Giả sử tín hiệu cao tần điều chế cảm ứng sang cuộn L2, trong nửa chu kỳ dương, Diode thông dòng điện qua tải và nạp cho tụ điện C. Trong nửa chu kỳ âm, Diode tắt, tụ C phóng điện qua tải. Quá trình cứ tiếp tục như vậy, cuối cùng điện áp ra có dạng gần giống như đường bao tín hiệu.Thực tế sóng cao tần có chu kỳ rất ngắn, nên điện áp ra rất gần với đường bao tín hiệu.
Hằng số phóng: RC
Để giảm méo thì phải chọn τ thỏa mãn:
s c f f 1 1 . Thường chọn: s cf f 1
Để đảm bảo tách sóng tốt, phải chọn trị số của C và R sao cho, đối với cao tần dung kháng của C rất lớn so với R, còn đối với âm tần dung kháng của C rất nhỏ so với R. Thường thì chọn R khoảng (5-10kΩ) còn tụ C khoảng (0,005 - 0,02)µF. Đối với Diode tách sóng, chọn Diode có điện trở thuận nhỏ, điện trở ngược rất lớn.
Trong một số máy thu còn sử dụng mạch tách sóng dùng Transistor, việc tách sóng được thực hiện nhờ vào đoạn cong của đặc tuyến vào của Transistor. Thường điểm làm việc chọn ở chỗ cong nhất của đoạn đặc tuyến.
Hình 2.17 Mạch tách sóng dùng Transistor