4. Phương phỏp nghiờn cứu
3.1.Tối ưu quỏ trỡnh phõn tỏn dõy nano SnO2 trờn đế Si
Từ cỏc đề tài nghiờn cứu trước đõy, chỳng tụi chọn điều kiện để chế tạo dõy nano SnO2 ở nhiệt độ 800 oC (với 0,5 g bột Sn, mọc ở nhiệt độ 800 oC trong 1,5 giờ) cho dõy nano mọc dài, dày và cú đường kớnh đồng đều.
Khảo sỏt sự thay đổi của thời gian rung siờu õm và tốc độ quay phủ dung dịch dõy nano SnO2 lờn đế Si, chọn được phõn tỏn hợp lý nhất cho chế tạo cảm biến ở cỏc bước tiếp theo.
Kết quả khảo sỏt phõn tỏn của dõy nano SnO2 lờn đế Si với điều kiện: rung siờu õm trong 60 giõy, tốc độ quay phủ 6000 RPM trong 60 giõy.
Hỡnh 3.1: Phõn tỏn dõy nano SnO2 trờn đế Si (rung siờu õm trong 60 giõy, tốc độ quay phủ 6000 RPM trong 60 giõy).
46
Kết quả ảnh SEM cho thấy dõy nano SnO2 đó bị góy và kết thành đỏm nhiều. Nhiều nguyờn nhõn do thời gian rung siờu õm quỏ lõu và tốc độ quay phủ cao.
Kết quả khảo sỏt phõn tỏn dõy nano SnO2 lờn đế Si trong điều kiện: rung siờu õm trong 40 giõy và tốc độ quay phủ 5000 RPM trong 30 giõy.
Hỡnh 3.2: Phõn tỏn dõy nano SnO2 trờn đế Si (rung siờu õm trong 40 giõy, tốc độ quay phủ 5000 RPM trong 30 giõy).
Kết quả ảnh SEM cho thấy dõy nano SnO2 đó giảm bớt kết đỏm, giảm bớt góy vụn. Nhưng vẫn chưa thực sự đẹp. Chỳng tụi quyết định tiếp tục thay đổi cỏc thụng số.
Kết quả phõn tỏn dõy nano SnO2 lờn đế Si trong điều kiện: rung siờu õm trong 20 giõy, tốc độ quay phủ 3000 RPM trong 30 giõy.
47
Hỡnh 3.3: Phõn tỏn dõy nano SnO2 trờn đế Si (rung siờu õm trong 20 giõy, tốc độ quay phủ 3000 RPM trong 30 giõy).
Từ ảnh SEM chỳng ta thấy khụng cũn hiện tượng kết đỏm, dõy nano vẫn cũn khỏ dài thớch hợp cho chế tạo cảm biến ở cỏc bước tiếp theo. Chỳng tụi quyết định chọn và cố định điều kiện này để chế tạo cảm biến trong cỏc bước tiếp theo.