(SEM)
Kết quả nghiờn cứu cấu trỳc lớp mạ trờn kỡnh hiển vi điện tử quột (SEM) như sau:
a b c
d e f
g h i
- 56 -
Bảng 3.4 - Bảng ký hiệu cỏc mẫu chụp SEM
TT Ký hiệu mẫu Dung dịch mạ Điện thế mạ Mật độ dũng (A/cm2) Thời gian mạ 1 a Mạ DD 8V 1000-1600 10ph 2 b Mạ DD + 1g/l SiC (mạ bể) 8V 500 30ph 3 c Mạ DD + 1g/l SiC, 1g/lTiO2 8V 1000-1200 10ph 4 d Mạ DD + 2g/l SiC, 2g/l TiO2 6V 600 10ph 5 e Mạ DD + 2g/l SiC, 2g/l TiO2 8V 800 10ph 6 f Mạ DD + 2g/l SiC, 2g/l TiO2 10V 1000 10ph 7 g Mạ DD + 2g/l SiC, 2g/l TiO2 12V 1200 10ph 8 h Mạ DD + 1g/l SiC 8V 700 10ph 9 i Mạ DD + 1g/l TiO2 8V 800 10ph
Từ kết quả chụp SEM trờn hớnh 3.4 và bảng 3.4 thấy rằng, đối với cỏc mẫu cú ký hiệu a, b và c với cựng một chế độ mạ, khi cú thờm cú thờm hạt nano silic cacbua, bề mặt lớp mạ cú cấu trỳc tinh thể nhỏ và mịn hơn, kỡch thước tinh thể cũng đồng đều hơn, cỏc hạt rắn phõn bố khỏ đồng đều khi mạ bằng bể mạ.
Đối với cỏc mẫu d, e, f và g, cú cựng dung dịch mạ, chỉ khỏc nhau về điện ỏp mạ, thấy rằng, mẫu d và e, ứng với điện ỏp 6-8V cú bề mặt lớp mạ khỏ mịn trong khi sử dụng điện ỏp cao hơn là 10-12V đối với cỏc mẫu f và g thớ bề mặt lớp mạ khụng mịn bằng, thậm chỡ cú vẻ đó bị chỏy một phần (đối
- 57 -
với mẫu g). Điều này khẳng định một lần nữa kết quả đo tốc độ ăn mũn của lớp mạ, đú là chỉ nờn sử dụng điện ỏp mạ từ 6-10V là vừa, khụng nờn tăng thờm nữa.
Sử dụng phương phỏp kỡnh hiển vi điện tử quột (SEM) để xỏc định chiều dày lớp mạ:
(a) (b)
Hỡnh 3.5 - Hỡnh ảnh SEM chiều dày lớp mạ
Trong đú, (a) là hớnh ảnh chiều dày của mẫu mạ sử dụng dung dịch DD + 1g/l SiC, 1g/lTiO2 với điện ỏp mạ là 8V và thời gian mạ là 5 phỳt và (b) là hớnh ảnh chiều dày của mẫu mạ sử dụng dung dịch và điện ỏp tương tự, chỉ thay đổi thời gian là 10 phỳt. Thấy rằng, sau 5 phỳt mạ, mẫu (a) cú chiều dày lớp mạ khoảng 8 μm và sau 10 phỳt, mẫu (b) cú chiều dày lớp mạ khoảng 18 μm. Như vậy, để cú được cỏc mẫu mạ với chiều dày lớn hơn, cú thể tăng thời gian mạ và thời gian mạ là bao nhiờu là tuỳ thuộc vào yờu cầu về chiều dày lớp mạ và điện ỏp sử dụng.