Để tiến hành mô phỏng, chúng tôi xây dựng tệp đầu vào cho mô hình. Tệp đầu vào của mô phỏng khi có đầy đủ các vật liệu được trình bày ở phụ lục. Tổng số ô mô tả hệ phổ kế là 28 ô.
+ Từ ô 1 đến ô 14: mô tả cấu trúc của detector bán dẫn siêu tinh khiết HPGe GC1518 theo các thông số danh định của nhà sản xuất.
Hình 3.4. Mặt cắt dọc của detector HPGe GC1518 được mô hình hóa bằng chương trình MCNP5.
+ Ô 15: mô tả khoảng không gian giữa nguồn và detector. + Ô 16 đến ô 25: mô tả buồng chì.
+ Ô 26: mô tả vùng không gian bên ngoài buồng chì. Giả thiết vùng không gian này là chân không. Khi các bức xạ gamma thoát ra khỏi buồng chì, lịch sử của hạt đó không được quan tâm nữa.
+ Ô 27 và ô 28: mô tả nguồn phóng xạ.
Để mô tả hoàn chỉnh 28 ô kể trên thì cần có 57 mặt bao gồm 20 mặt trụ có trục là trục Oz, 34 mặt phẳng song song với mặt phẳng Oxy và 3 mặt trụ có trục song song với Oz.
Bên trong các ô được lấp đầy vật chất bao gồm có 17 loại vật chất được mô tả. Để mô phỏng phổ năng lượng, chúng tôi lựa chọn đánh giá độ cao xung F8. Mode p được chọn để khảo sát sự vận chuyển của photon. Do phổ năng lượng trong thực nghiệm có dạng phân bố Gauss, do đó chúng tôi lựa chọn thêm thẻ FT8 GEB a b c. Các giá trị a, b, c được xác định bằng thực nghiệm [1] và có giá trị lần lượt là:
a = 0,00071 ± 0,00003 MeV b = 0,00075 ± 0,00005 MeV1/2 c = 0,46493 ± 0,09193 MeV-1
Số kênh năng lượng được mô phỏng bao gồm 8192 kênh tương ứng với các kênh đo trong hệ phổ kế. Do sai số của mô phỏng được xác định theo công thức 1/ N và để đảm bảo sai số nhỏ hơn 1 %, chúng tôi đã chọn số lịch sử hạt là 400000000 hạt. Số hạt mà detector có thể ghi nhận trong kết quả mô phỏng khoảng trên 1700000 hạt, sai số từ 0,77 % trở xuống.