Tiêu chuẩn về độ bền

Một phần của tài liệu Phân tích các đặc trưng của thanh nhiên liệu sử dụng trong lò phản ứng hạt nhân VVER AES2006 (Trang 79 - 80)

4.2.1.1. SC1- Các nứt gãy lớp vỏ bọc do ăn mòn ứng suất (SCC)

Điều kiện chung để đảm bảo độ bền của thanh nhiên liệu đối với cơ chế SCC là cần phải giảm các khuyết tật ban đầu trên bề mặt lớp vỏ bọc và ngăn chặn sự phát triển của các khuyết tật trong quá trình vận hành.

Do đó, điều kiện ứng suất tiếp tuyến ζθ của lớp vỏ bọc cần phải đảm bảo: ζθ < [ζSC1],

Trong đó, ζθ là ứng suất tiếp tuyến của vỏ bọc, [ζSC1] = 230 MPa là ứng suất ngưỡng SCC của vỏ bọc E110 đã chiếu xạ có các khuyết tật ban đầu ≤35 µm.

Biên an toàn thiết kế được xác định:

K = [ζSC1]/ ζθ ≥ [KSC1], trong đó [KSC1] = 1,2 là biên an toàn chuẩn.

4.2.1.2. SC2 - Ứng suất ngƣỡng của lớp vỏ bọc

Ứng suất tương đương lớn nhất của lớp vỏ bọc nhiên liệu không được vượt quá ứng suất đàn hồi của vật liệu lớp vỏ bọc.

Ứng suất giới hạn [ζ] được xác định: [ζ] = ζ0.2, trong đó, ζ0.2 là ứng suất chảy.

4.2.1.3. SC3 - Tiêu chuẩn về sự suy giảm độ bền lớp vỏ bọc

Tiêu chuẩn này được sử dụng để đánh giá biên chống chịu của lớp vỏ bọc trong các điều kiện áp suất khác nhau. Lớp vỏ bọc cần phải đảm bảo được sức chịu bền tiếp tuyến dưới điều kiện vượt quá của áp suất nước làm mát. Do đó, điều kiện về áp suất của chất làm mát được sử dụng đối với tiêu chuẩn này:

Pcool < [Plim],

Trong đó, Pcool là áp suất chất làm mát, [Plim] là giới hạn thiết kế của áp suất chất làm mát.

Biên an toàn đối với tiêu chuẩn này được xác định: K = [Plim]/Pcool ≥ [KSC3], Biên an toàn chuẩn đối với tiêu chuẩn này [KSC3] = 1,5.

70

4.2.1.4. SC4 - Giới hạn biến dạng dẻo của lớp vỏ bọc

Tiêu chuẩn này được sử dụng để đánh giá độ bền lớp vỏ bọc dưới điều kiện ảnh hưởng cơ - nhiệt trong thời gian ngắn khi yêu cầu chung của tiêu chuẩn SC1 được đáp ứng, nhưng ứng suất vượt quá giới hạn thiết lập của tiêu chuẩn SC1. Trong đó, có xét đến các khuyết tật ban đầu cũng như sự phát triển của các khuyết tật trên bề mặt lớp vỏ bọc.

Tiêu chuẩn biến dạng dẻo của lớp vỏ bọc là biến dạng dẻo tiếp tuyến tích lũy không được vượt quá 0,5%:  ≤ [ ],

Trong đó,  là biến dạng dẻo tiếp tuyến tích lũy của lớp vỏ bọc, [ ] = 0,5% là giới hạn biến dạng dẻo tiếp tuyến.

Một phần của tài liệu Phân tích các đặc trưng của thanh nhiên liệu sử dụng trong lò phản ứng hạt nhân VVER AES2006 (Trang 79 - 80)