Nếu trong mạng tinh thể tồn tại những sai hỏng (sai hỏng điểm, sai hỏng đường, nút trống, lỗ trống,…) thì pô-si-trôn sẽ có xác suất khuếch tán vào trong các sai hỏng đó. Khi đó tốc độ hủy của các pô-si-trôn sẽ không giống nhau mà thay đổi theo trạng thái của pô-si-trôn. Tại những khuyết tật thể tích mở, khả năng phán đoán của pô-si- trôn giảm do sự giảm trong lực đẩy Cu-lông. Kết quả là trạng thái pô-si-trôn định xứ tại sai hỏng có thể có năng lượng thấp hơn trạng thái pô-si-trôn không định xứ (pô-si- trôn tự do). Sự chuyển từ trạng thái không định xứ sang trạng thái định xứ gọi là sự bẫy pô-si-trôn. Pô-si-trôn bị bẫy trong các sai hỏng vẫn có xác suất thoát bẫy và hủy với ê-lec-trôn ngoài bẫy [2], [3].
Khi pô-si-trôn bị bẫy, sự hủy xảy ra với những đặc trưng quyết định bởi mật độ ê-lec-trôn cục bộ. Mật độ ê-lec-trôn giảm kéo theo tốc độ hủy giảm, vì thế pô-si-trôn bị bẫy tồn tại lâu hơn so với những pô-si-trôn tự do khác. Tốc độ hủy trong mỗi trạng thái phản ánh mật độ pô-si-trôn ở trạng thái đó và cho biết các dạng khác nhau của sai hỏng, do đó ta có thể xác định được loại sai hỏng có trong vật liệu. Việc mô tả sự bẫy của pô-si-trôn trong vật chất được đưa ra lần dầu tiên bởi Bơ-tô-lac-xi-ni
(Bertolaccini) và Dui-pat-quai-ơ (Dupasquier). Không phải tất cả các lỗ trống hay sai hỏng nào cũng có thể bẫy pô-si-trôn. Sự bẫy pô-si-trôn được quan sát tốt trong các kim loại như Cu, Ag, Mg, Fe,…[2], [3].