CHƯƠNG 2 THỰC NGHIỆM 2.1 Phương pháp tổng hợp vật liệu thanh nano ZnO
2.1.2. Tạo mầm ZnO trên đế AlN/S
Chuẩn bị dung dịch : Do ta sử dụng phương pháp quay phủ dung dịch lên bề mặt đế AlN/ Si, nên ở đây ta dùng dung dịch n-Butanol có độ nhớt cao, thuận tiện cho việc quay phủ.
Pha 0,0878 g Zn(CH3COO)2.2H2O vào 25 ml dung dịch n-Butanol, dùng máy khuấy từ khuấy đều trong 15 phút để Zn(CH3COO)2 tan hết trong dung môi Butanol, ta được dung dịch có nồng độ 0,016 M Zn(CH3COO)2.
Hình 2.1 quá trình cân và khuấy dung dịch
hình 2.1a thể hiện quá trình cân hóa chất bằng cân điện tử có độ chính xác 10-4 gams. Hình 2.1b khuấy dung dịch trong máy khấy từ có ra nhiệt ở 70
o
C
Làm sạch đế Si/ AlN: Đế Si/ AlN được ngâm trong acetone trong 5 phút, rồi được rung siêu âm trong 10 phút, để rửa sạch những bụi bẩn bám trên bề mặt.( hình 2.3)
Quay phủ: Ta cho đế Si/ AlN đã làm sạch vào quay phủ bằng dung dịch đã pha ở trên. Quay phủ 10 lần với điều kiện quay phủ như sau :
- Thời gian gia tốc : 5 giây.
- Tốc độ quay : 2000 vòng / phút. - Thời gian quay : 30 giây.
Hình 2.3. Quá trình quay phủ
Cứ sau mỗi lần quay phủ, ta lại đặt đế lên hotplate ở nhiệt độ 200 o
C sấy qua cho khô, rồi mới tiếp tục quay phủ lần tiếp theo.
Hình 2.4. Sấy khô đế Si trên hoplate
Ủ nhiệt: Sau khi đã quay phủ xong, sấy đế Silic đã quay phủ này ở các nhiệt độ khác nhau: 350 o
C, 600 oC trong 1h để Butanol bay hơi hết, Zn(CH3COO)2 phân hủy tạo thành ZnO :
Cuối cùng, ta thu được đế AlN/ Si có mầm ZnO trên bề mặt.