Phương pháp phân tích phổ tán xạ Raman cũng là một phương pháp phân tích
không pháp huỷ mẫu, nhanh chóng và hữu hiệu để phân tích cấu trúc của CNTs.
Thông qua phổ tán xạ Raman chúng ta có thể nhận biết được hai vùng phổ đặc trưng
cho hai trạng thái sai hỏng (vùng D) và trật tự (vùng G) của CNTs. Chính vì vậy chúng tôi đã sử dụng phương pháp này để chứng minh sự tạo thành của sản phẩm biến tính
bằng cách đánh giá tỷ lệ tương đối giữa hai vùng phổ này.
Hình 3.4 là phổ tán xạ Raman của CNTs và mẫu CNTs biến tính, chúng ta có thể nhận thấy hai vùng phổ đặc trưng D (1328,52 cm-1) và G (1593,22 cm-1). Pic G sinh ra từ mạng graphene của MWNTs. Pic này đặc trưng cho tính trật tự của cấu trúc
(các nguyên tử cacbon xắp xếp theo trật tự dạng vòng sáu cạnh). Trong khi đó, pic D
lại đặc trưng cho các defect trong cấu trúc trong cấu trúc của CNTs, sự xuất hiện của pic D này là do dao động của các nguyên tử cacbon ở trạng thái sp3.
>C=O O-H axít
Hình 3.4.Phổ Raman của mẫu CNTs biến tính và CNTs chưa biến tính
Tỉ lệ giữa hai dải D và G này phụ thuộc vào độ sạch và độ tinh thể hoá của
CNTs. Với CNTs, tỉ lệ giữa hai dải Dvà G nhỏ hơn so với CNTs biến tính, tức là mức độ defect trong CNTs biến tính cao hơn so với CNTs chưa biến tính. Điều này cho thấy rằng, quá trình biến tính đã tạo ra các defect trên cấu trúc và làm thay đổi một
phần cấu trúc của CNTs. Tuy nhiên, trên phổ này không chỉ ra các liên kết của các
nhóm chức với bề mặt của CNTs, vì dải tần số của các liên kết này thấp hơn dải tần số
trên phổ (1000 – 2000 cm-1).