Tấn công phân tích lỗi 1 Các cơ chế gây lỗ

Một phần của tài liệu Nghiên cứu thẻ thông minh và ứng dụng vào an toàn trong thông tin di động (Trang 54)

Hình 2.: Vết SPA từ hai phép tính trên thẻ thông minh chỉ xuất hiện ở vòng thứ

2.6.Tấn công phân tích lỗi 1 Các cơ chế gây lỗ

2.6.1. Các cơ chế gây lỗi

Có rất nhiều cơ chế khác nhau có thể được sử dụng để tiêm lỗi trong bộ vi xử lý như:

Biến đổi trong cung cấp điện: trong quá trình thực hiện có thể gây ra một bộ xử lý hiểu sai hoặc bỏ qua hướng dẫn.

Biến đổi trong đồng hồ bên ngoài: có thể làm cho dữ liệu được đọc sai ( mạch cố gắng đọc một giá trị từ bus dữ liệu trước khi bộ nhớ có thời gian để chốt ra giá trị chính xác ) hoặc bỏ lỡ hướng dẫn ( mạch đã bắt đầu thực hiện trước khi bộ vi xử lý đã hoàn tất thực hiện) .

Biến đổi của nhiệt độ: có thể gây ra hiệu ứng không thể đoán trước trong bộ vi xử lý, khi tiến hành các cuộc tấn công nhiệt độ trên thẻ thông minh.

Ánh sáng Laser: có thể được sử dụng để mô phỏng các tác động của các tia lên bộ vi xử lý . Ánh sáng laser được sử dụng để thử nghiệm các chất bán dẫn được dựa trên hiệu ứng quang điện , nơi ánh sáng đến trên một bề mặt kim loại sẽ tạo ra một dòng điện. Nếu ánh sáng cường độ cao như trong ánh sáng laser điều này có thể đủ để gây ra một lỗi trong một mạch.

Ánh sáng trắng: đã được đề xuất như một thay thế cho ánh sáng laser để không tạo ra những lỗi trong bộ vi xử lý. Tuy nhiên, ánh sáng trắng là không

định hướng và không thể dễ dàng được sử dụng để chiếu sáng một phần nhỏ của một bộ vi xử lý.

Thông lượng điện từ: cũng đã được chứng minh là có thể thay đổi các giá trị trong bộ nhớ RAM, dòng xoáy có thể được thực hiện đủ mạnh để ảnh hưởng đến bộ vi xử lý . Tuy nhiên , hiệu ứng này chỉ được quan sát thấy trong bộ vi xử lý không an toàn.

Một phần của tài liệu Nghiên cứu thẻ thông minh và ứng dụng vào an toàn trong thông tin di động (Trang 54)