nền mềm
hạt cứng
kim Cu3Sn
hạt cứng SnSb
91 • Nhiệt độ thiêu kết: Ttk = (2/3ữ3/4)TC (TC là T chảy của cấu tử chính, K). Trong • Nhiệt độ thiêu kết: Ttk = (2/3ữ3/4)TC (TC là T chảy của cấu tử chính, K). Trong
quá trình thiêu kết, sản phẩm sẽ co lại, mật độ tăng lên. Có thể kết hợp hai khâu ép và thiêu kết bằng cách ép nóng, có thể đạt đ−ợc mật độ cao nhất
• Thời gian thiêu kết: 15-120 min, dài quá làm hạt thô, cơ tính xấu
• Môi tr−ờng thiêu kết: chân không hoặc khí bảo vệ : H2, N2, Ar, He,…
Trong tr−ờng hợp thiêu kết nhiều loại bột ta có 2 tr−ờng hợp: có xuất hiện pha lỏng và không
ắ không xuất hiện pha lỏng: 2 loại bột không tạo dung dịch rắn với nhau → bột có Tc thấp sẽ kết khối bao quanh bột có nhiệt độ chảy cao (Cu-W). Nếu giữa chúng có tạo thành dung dịch rắn, tuỳ theo mức độ thiêu kết (Ttk&τ) có thể nhận đ−ợc đrắn+xốp (Cu-Ni)
ắ có xuất hiện pha lỏng: Ttk <TC của cấu tử chính, Ttk>TC của cấu tử nào đó hoặc cùng tinh
Điều kiện: tỷ lệ pha lỏng < 30% thể tích
Đặc điểm: xít chặt cao, τ thiêu ngắn, sai lệch kích th−ớc lớn (5-25%), ví dụ: WC- Co,Co lỏng
• Các loại:
ắ Thiêu kết d−ới áp lực: xít chặt cao, xốp thấp, bao gồm:
oép ở nhiệt độ cao (1500ữ2500oC), khuôn gr, lực ép P=30MPa, độ xít chặt 95ữ98%, dùng cho hợp kim cứng cacbit, nitrit, borit không cần chất dính.
oép ở nhiệt độ trung bình (800ữ1100oC), khuôn kim loại, P=200MPa, dùng cho VL kết cấu
ắ Thiêu kết d−ới áp lực và phóng điện: (Spark Pressing), Nhật, Mỹ, P=100MPa, d−ới điện tr−ờng mạnh → phóng điện trong vài giây: phủ hợp kim cứng lên bề mặt chi tiết, dao cắt, tiếp điểm
ắ ép nóng đẳng tĩnh: (HIP - Hot Isostatic Pressing) T=1000ữ1500oC, P=100ữ200Mpa, trong Ar, dùng cho các chi tiết máy, dụng cụ,…
b.Ưu, nh−ợc điểm của ph−ơng pháp