0

phún xạ magnetron dc

nghiên cứu chế tạo màng mỏng ZnO loại P bằng phương pháp phún xạ Magnetron

nghiên cứu chế tạo màng mỏng ZnO loại P bằng phương pháp phún xạ Magnetron

Khoa học tự nhiên

... được chế tạo bằng phươngpháp phún xạ magnetron RF ở điều kiện nhiệt độ 510K trên đế thạch anh và xác định cấu trúcbằng phương pháp nhiễu xạ tia XHình 2.5 Phổ nhiễu xạ của ZnOHằng số mạng của ... ZnO LOẠI PBẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN X Ạ MAGNETRON HVBC: NGUYỄN ĐỖ MINH QUÂNGVHD: TS. LÊ TR ẤNThắc mắc xin đưa lên diễn đàn tại: www.myyagy.com/mientayMẫu Khí phún xạ ρ(Ωcm) µ(cm2/Vs) n(cm-3) ... Al2O3lần lượtlà 0,75%, 1,5%, 3,5% và thu đư ợc màng có tính dẫn loại p có kết quả cụ thể:%Al Khí phún xạ ρ(Ωcm) µ(cm2/Vs) n(cm-3) T(%)0,75% 30%N20,0852 5,42 1,35.1018610,75% 60%N21,6860...
  • 7
  • 1,834
  • 20
Báo cáo khoa học: Nghiên cứu chế tạo màng mỏng Al2O3 bằng phương pháp phún xạ Magnetron RF potx

Báo cáo khoa học: Nghiên cứu chế tạo màng mỏng Al2O3 bằng phương pháp phún xạ Magnetron RF potx

Báo cáo khoa học

... Để tạo màng có nhiều phương pháp như phún xạ phản ứng, lắng đọng từ phún xạ bằng chùm laser (PLD), ngưng tụ dung dịch (sol gel),… trong đó, kỹ thuật phún xạ được áp dụng rộng rãi nhờ vào khả ... việc nghiên cứu chế tạo màng mỏng Al2O3 bằng phương pháp phún xạ magnetron rf và chuyển pha bằng xử lý nhiệt sau đó. Màng được phún xạ phản ứng từ bia nhôm kim loại trong môi trường hỗn hợp ... nhận bằng phổ hấp thu hồng ngoại IR cũng như phổ tán xạ tia X. 2. THỰC NGHIỆM Hệ phún xạ được dùng là máy Univex 450. Màng Al2O3 được phún xạ từ bia nhôm kim loại. Điều kiện tiến hành được...
  • 11
  • 791
  • 0
Báo cáo khoa học: Ảnh hưởng của nhiệt độ đế lên cấu trúc và tính chất điện của màng dẫn điện trong suốt SnO2:Sb được chế tạo bằng phương pháp phún xạ Magnetron phản ứng potx

Báo cáo khoa học: Ảnh hưởng của nhiệt độ đế lên cấu trúc và tính chất điện của màng dẫn điện trong suốt SnO2:Sb được chế tạo bằng phương pháp phún xạ Magnetron phản ứng potx

Báo cáo khoa học

... tinh thể. Trong phươngpháp tạo màng bằng phún xạ magnetron rf, việc tạo sự thiếu hụt oxy trong màng có thể được điều chỉnh thông qua tốc độ phún xạ và áp suất riêng phần cuả oxy trong quá ... ĐHQG-HCM(2) ĐHQG-HCMTÓM TẮT: Màng điện cực trong suốt SnO2:Sb được chế tạo bằng phương pháp phún xạ Magnetron DC phản ứng trên đế thủy tinh. Vật liệu bia là hợp kim Sn (tinh khiết 99,5%) pha Sb (5% ... NGHIỆMTrong công trình này, màng điện cực trong suốt SnO2:Sb được chế tạo bằng phương pháp phún xạ magnetron DC phản ứng trên đế thủy tinh corning ở các nhiệt độ đế khác nhau. Vật liệu bia là hợp...
  • 6
  • 802
  • 1
Báo cáo khoa học: Nghiên cứu chế tạo màng tin bằng phương pháp phún xạ phản ứng Magnetron DC docx

Báo cáo khoa học: Nghiên cứu chế tạo màng tin bằng phương pháp phún xạ phản ứng Magnetron DC docx

Báo cáo khoa học

... cho màng có cấu trúc đặc. 2.THỰC NGHIỆM Màng TiN được chế tạo bằng phương pháp phún xạ phản ứng Magnetron dc trên đế thủy tinh, hệ chân không làm việc có áp suất tới hạn 10-4 torr với bia ... 3.1.1.Khảo sát ảnh hưởng của thế phún xạ theo tỉ lệ khí Nitơ và Argon. Với mỗi tỉ lệ % của Nitơ và Argon, chúng tôi khảo sát điện trở suất của màng theo thế phún xạ như đồ thị (hình 1) và tìm ... thị (hình 1) và tìm được điện trở suất thấp ứng với thế phún xạ ngưỡng ). Kết quả nhận được cho thấy điện trở suất giảm theo thế phún xạ, là do sự truyền xung lượng giữa ion và nguyên tử Titan...
  • 10
  • 676
  • 2
phun xa catot

phun xa catot

Vật lý

... trình phún xạ 2 Kỹ thuật phún xạ phóng điện phát sáng 3 Phún xạ chùm iôn, chùm điện tử 4 Ưu điểm và hạn chế của phún xạ catốt 2 Kỹ thuật phún xạ phóng điện phát sáng Phún xạ magnetron ... trình phún xạ 2 Kỹ thuật phún xạ phóng điện phát sáng 3 Phún xạ chùm iôn, chùm điện tử 4 Ưu điểm và hạn chế của phún xạ catốt 2 Kỹ thuật phún xạ phóng điện phát sáng Phún xạ magnetron ... trình phún xạ 2 Kỹ thuật phún xạ phóng điện phát sáng 3 Phún xạ chùm iôn, chùm điện tử 4 Ưu điểm và hạn chế của phún xạ catốt 2 Kỹ thuật phún xạ phóng điện phát sáng Phún xạ magnetron Là...
  • 11
  • 497
  • 3
nghiên cứu và chế tạo màng dẫn điện trong suốt zno pha tạp vanadium bằng phương pháp đồng phún xạ

nghiên cứu và chế tạo màng dẫn điện trong suốt zno pha tạp vanadium bằng phương pháp đồng phún xạ

Báo cáo khoa học

... văn này, chúng tôi chế tạo màng trong suốt dẫn điện ZnO pha tạp V bằng phương pháp đồng phún xạ magnetron DC từ hai bia ZnO và bia kim loại V. Để đánh giá chính xác các tính chất quang điện, cấu ... bức xạ Hình 2.13. Nguyên lý của phép phân tích EDX Luận văn thạc sĩ Vật lý GVHD: TS. Lê Vũ Tuấn Hùng Học viên: Phùng Nguyễn Thái Hằng 29hóa chất khí. * Mô tả hệ phún xạ. + Hệ phún ... quá trình phún xạ phản ứng là tốc độ hình thành màng thấp và hồ quang. Tốc độ hình thành màng thấp được giải thích là do năng lượng liên kết của các hợp chất cao hơn nên hiệu suất phún xạ hợp...
  • 96
  • 853
  • 1
Báo cáo khoa học: Tổng hợp màng cứng CrN bằng phương pháp phún xạ mạ ion (SIP) ppt

Báo cáo khoa học: Tổng hợp màng cứng CrN bằng phương pháp phún xạ mạ ion (SIP) ppt

Báo cáo khoa học

... tái phún xạ. Lúc này, tốc độ tái phún xạ lớn hơn tốc độ ngưng tụ trên màng. Do đó, độ dày của màng giảm. Theo như giải thích ở trên, thì độ dày của màng giảm sẽ dẫn đến cường độ chùm nhiễu xạ ... ion khí làm việc và ion nguyên tử phún xạ có thể đâm sâu vào bề mặt đế, làm biến thể cấu trúc và sản sinh sai hỏng bên trong. Sự sản sinh sai hỏng và tái phún xạ bề mặt đế sẽ làm nhoè lớp phân ... θλ=cosB9.0b (2) với 0A5406,1=λ ; θ là vị trí góc nhiễu xạ, được lấy từ số liệu đo phổ nhiễu xạ; B độ rộng vạch nhiễu xạ ở vị trí ½ cường độ cực đại. Kết quả tính toán trình bày trong...
  • 8
  • 649
  • 2
influence of DC magnetron sputtering parameters on the properties of amorphous indium zinc oxide thin film y s jung

influence of DC magnetron sputtering parameters on the properties of amorphous indium zinc oxide thin film y s jung

Báo cáo khoa học

... crystalline indium zincoxide (IZO) thin films were deposited on glass or Siwafer substrates using DC magnetron sputtering tech-nique. The IZO films deposited below 350 8C were ofamorphous phase, ... matter ᮊ 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.doi:10.1016/j.tsf.2003.09.014Influence of DC magnetron sputtering parameters on the properties ofamorphous indium zinc oxide thin filmYeon ... indium zinc oxide (IZO) thin films, which are highly transparent and conducting, were deposited by DC magnetron sputtering. X-Ray diffraction technique was used for analyzing microstructures of the...
  • 9
  • 502
  • 0
Báo cáo hóa học:

Báo cáo hóa học: " High-rate low-temperature dc pulsed magnetron sputtering of photocatalytic TiO2 films: the effect of repetition frequency" ppt

Báo cáo khoa học

... prepared by reactive magnetron sputtering in a mixture of Ar + O2by dc pulsed dual magnetron equipped with Ti(99.5) targetsof 50 mm in diameter. The magnetron was supplied bya dc pulsed Advanced ... pulselength sNanoscale Res Lett (2007) 2:123–129 125123NANO EXPRESSHigh-rate low-temperature dc pulsed magnetron sputteringof photocatalytic TiO2films: the effect of repetition frequencyJ. Sˇı´cha ... reports on low-temperaturehigh-rate sputtering of hydrophilic transparent TiO2thin films using dc dual magnetron (DM) sputtering inAr + O2mixture on unheated glass substrates. TheDM was operated...
  • 7
  • 206
  • 0
KHÔNG GIAN MÊTRIC - Ánh xạ liên tục.pdf

KHÔNG GIAN MÊTRIC - Ánh xạ liên tục.pdf

Công nghệ thông tin

... metric§3. Ánh xạ liên tục(Phiên bản đã chỉnh sửa)PGS TS Nguyễn Bích HuyNgày 20 tháng 12 năm 2004Tóm tắt lý thuyết1 Định nghĩaCho các không gian metric (X, d), (Y, ρ) và ánh xạ f : X → Y• ... Int G nếu G mở.Bài 8. Cho các không gian metric (X, d), (Y, ρ) và các ánh xạ liên tục f, g : X → Y . Ta địnhnghĩa ánh xạ h : X → R, h(x) = ρ(f (x), g(x)), x ∈ X1. Chứng minh h liên tục2. Suy ... y1) + d2(y2, y2)Giả sử rằng f1: X → Y1, f2: X → Y2là các ánh xạ liên tục. Chứng minh rằng ánh xạ f : X → Y1× Y2, f(x) = (f1(x), f2(x)) liên tục.Hướng dẫnSử dụng định...
  • 7
  • 9,835
  • 193

Xem thêm