... được chế tạo bằng phươngpháp phúnxạmagnetron RF ở điều kiện nhiệt độ 510K trên đế thạch anh và xác định cấu trúcbằng phương pháp nhiễu xạ tia XHình 2.5 Phổ nhiễu xạ của ZnOHằng số mạng của ... ZnO LOẠI PBẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN X Ạ MAGNETRON HVBC: NGUYỄN ĐỖ MINH QUÂNGVHD: TS. LÊ TR ẤNThắc mắc xin đưa lên diễn đàn tại: www.myyagy.com/mientayMẫu Khí phúnxạ ρ(Ωcm) µ(cm2/Vs) n(cm-3) ... Al2O3lần lượtlà 0,75%, 1,5%, 3,5% và thu đư ợc màng có tính dẫn loại p có kết quả cụ thể:%Al Khí phúnxạ ρ(Ωcm) µ(cm2/Vs) n(cm-3) T(%)0,75% 30%N20,0852 5,42 1,35.1018610,75% 60%N21,6860...
... Để tạo màng có nhiều phương pháp như phúnxạ phản ứng, lắng đọng từ phúnxạ bằng chùm laser (PLD), ngưng tụ dung dịch (sol gel),… trong đó, kỹ thuật phúnxạ được áp dụng rộng rãi nhờ vào khả ... việc nghiên cứu chế tạo màng mỏng Al2O3 bằng phương pháp phún xạ magnetron rf và chuyển pha bằng xử lý nhiệt sau đó. Màng được phúnxạ phản ứng từ bia nhôm kim loại trong môi trường hỗn hợp ... nhận bằng phổ hấp thu hồng ngoại IR cũng như phổ tán xạ tia X. 2. THỰC NGHIỆM Hệ phúnxạ được dùng là máy Univex 450. Màng Al2O3 được phúnxạ từ bia nhôm kim loại. Điều kiện tiến hành được...
... tinh thể. Trong phươngpháp tạo màng bằng phúnxạmagnetron rf, việc tạo sự thiếu hụt oxy trong màng có thể được điều chỉnh thông qua tốc độ phúnxạ và áp suất riêng phần cuả oxy trong quá ... ĐHQG-HCM(2) ĐHQG-HCMTÓM TẮT: Màng điện cực trong suốt SnO2:Sb được chế tạo bằng phương pháp phúnxạ Magnetron DC phản ứng trên đế thủy tinh. Vật liệu bia là hợp kim Sn (tinh khiết 99,5%) pha Sb (5% ... NGHIỆMTrong công trình này, màng điện cực trong suốt SnO2:Sb được chế tạo bằng phương pháp phún xạmagnetronDC phản ứng trên đế thủy tinh corning ở các nhiệt độ đế khác nhau. Vật liệu bia là hợp...
... cho màng có cấu trúc đặc. 2.THỰC NGHIỆM Màng TiN được chế tạo bằng phương pháp phúnxạ phản ứng Magnetrondc trên đế thủy tinh, hệ chân không làm việc có áp suất tới hạn 10-4 torr với bia ... 3.1.1.Khảo sát ảnh hưởng của thế phúnxạ theo tỉ lệ khí Nitơ và Argon. Với mỗi tỉ lệ % của Nitơ và Argon, chúng tôi khảo sát điện trở suất của màng theo thế phún xạ như đồ thị (hình 1) và tìm ... thị (hình 1) và tìm được điện trở suất thấp ứng với thế phúnxạ ngưỡng ). Kết quả nhận được cho thấy điện trở suất giảm theo thế phún xạ, là do sự truyền xung lượng giữa ion và nguyên tử Titan...
... trình phúnxạ 2 Kỹ thuật phúnxạ phóng điện phát sáng 3 Phúnxạ chùm iôn, chùm điện tử 4 Ưu điểm và hạn chế của phúnxạ catốt 2 Kỹ thuật phúnxạ phóng điện phát sáng Phún xạ magnetron ... trình phúnxạ 2 Kỹ thuật phúnxạ phóng điện phát sáng 3 Phúnxạ chùm iôn, chùm điện tử 4 Ưu điểm và hạn chế của phúnxạ catốt 2 Kỹ thuật phúnxạ phóng điện phát sáng Phún xạ magnetron ... trình phúnxạ 2 Kỹ thuật phúnxạ phóng điện phát sáng 3 Phúnxạ chùm iôn, chùm điện tử 4 Ưu điểm và hạn chế của phúnxạ catốt 2 Kỹ thuật phúnxạ phóng điện phát sáng Phún xạ magnetron Là...
... văn này, chúng tôi chế tạo màng trong suốt dẫn điện ZnO pha tạp V bằng phương pháp đồng phúnxạmagnetronDC từ hai bia ZnO và bia kim loại V. Để đánh giá chính xác các tính chất quang điện, cấu ... bức xạ Hình 2.13. Nguyên lý của phép phân tích EDX Luận văn thạc sĩ Vật lý GVHD: TS. Lê Vũ Tuấn Hùng Học viên: Phùng Nguyễn Thái Hằng 29hóa chất khí. * Mô tả hệ phún xạ. + Hệ phún ... quá trình phúnxạ phản ứng là tốc độ hình thành màng thấp và hồ quang. Tốc độ hình thành màng thấp được giải thích là do năng lượng liên kết của các hợp chất cao hơn nên hiệu suất phúnxạ hợp...
... tái phún xạ. Lúc này, tốc độ tái phúnxạ lớn hơn tốc độ ngưng tụ trên màng. Do đó, độ dày của màng giảm. Theo như giải thích ở trên, thì độ dày của màng giảm sẽ dẫn đến cường độ chùm nhiễu xạ ... ion khí làm việc và ion nguyên tử phúnxạ có thể đâm sâu vào bề mặt đế, làm biến thể cấu trúc và sản sinh sai hỏng bên trong. Sự sản sinh sai hỏng và tái phúnxạ bề mặt đế sẽ làm nhoè lớp phân ... θλ=cosB9.0b (2) với 0A5406,1=λ ; θ là vị trí góc nhiễu xạ, được lấy từ số liệu đo phổ nhiễu xạ; B độ rộng vạch nhiễu xạ ở vị trí ½ cường độ cực đại. Kết quả tính toán trình bày trong...
... crystalline indium zincoxide (IZO) thin films were deposited on glass or Siwafer substrates using DCmagnetron sputtering tech-nique. The IZO films deposited below 350 8C were ofamorphous phase, ... matter ᮊ 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.doi:10.1016/j.tsf.2003.09.014Influence of DCmagnetron sputtering parameters on the properties ofamorphous indium zinc oxide thin filmYeon ... indium zinc oxide (IZO) thin films, which are highly transparent and conducting, were deposited by DC magnetron sputtering. X-Ray diffraction technique was used for analyzing microstructures of the...
... prepared by reactive magnetron sputtering in a mixture of Ar + O2by dc pulsed dual magnetron equipped with Ti(99.5) targetsof 50 mm in diameter. The magnetron was supplied bya dc pulsed Advanced ... pulselength sNanoscale Res Lett (2007) 2:123–129 125123NANO EXPRESSHigh-rate low-temperature dc pulsed magnetron sputteringof photocatalytic TiO2films: the effect of repetition frequencyJ. Sˇı´cha ... reports on low-temperaturehigh-rate sputtering of hydrophilic transparent TiO2thin films using dc dual magnetron (DM) sputtering inAr + O2mixture on unheated glass substrates. TheDM was operated...
... metric§3. Ánh xạ liên tục(Phiên bản đã chỉnh sửa)PGS TS Nguyễn Bích HuyNgày 20 tháng 12 năm 2004Tóm tắt lý thuyết1 Định nghĩaCho các không gian metric (X, d), (Y, ρ) và ánh xạ f : X → Y• ... Int G nếu G mở.Bài 8. Cho các không gian metric (X, d), (Y, ρ) và các ánh xạ liên tục f, g : X → Y . Ta địnhnghĩa ánh xạ h : X → R, h(x) = ρ(f (x), g(x)), x ∈ X1. Chứng minh h liên tục2. Suy ... y1) + d2(y2, y2)Giả sử rằng f1: X → Y1, f2: X → Y2là các ánh xạ liên tục. Chứng minh rằng ánh xạ f : X → Y1× Y2, f(x) = (f1(x), f2(x)) liên tục.Hướng dẫnSử dụng định...