Hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử giam cầm trong siêu mạng hợp phần trường hợp tán xạ điện tử phonon âm

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN  NGUYỄN THỊ LOAN HẤP THỤ PHI TUYẾN SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH BIẾN ĐIỆU THEO BIÊN ĐỘ BỞI ĐIỆN TỬ GIAM CẦM TRONG SIÊU MẠNG HỢP PHẦN (TRƢỜNG HỢP TÁN XẠ ĐIỆN TỬ - PHONON ÂM) Hà Nội – 2012 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN  NGUYỄN THỊ LOAN HẤP THỤ PHI TUYẾN SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH BIẾN ĐIỆU THEO BIÊN ĐỘ BỞI ĐIỆN TỬ GIAM CẦM TRONG SIÊU MẠNG HỢP PHẦN (TRƢỜNG HỢP TÁN XẠ ĐIỆN TỬ - PHONON ÂM) LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết & vật lý toán Mã số: 604401 CÁN BỘ HƢỚNG DẪN:PGS.TS NGUYỄN VŨ NHÂN Lời cảm ơn Trước hết tơi xin bày tỏ lịng biết ơn chân thành sâu sắc tới TS Nguyễn Vũ Nhân Cảm ơn thầy hướng dẫn bảo suốt trình thực luận văn Qua xin gửi lời cảm ơn tới thầy cô tổ vật lý lý thuyết, thầy cô khoa vật lý, ban chủ nhiệm khoa vật lý trường Đại học khoa học tự nhiên quan tâm giúp đỡ, tạo điều kiện cho thời gian làm luận văn suốt trình học tập rèn luyện trường Đồng thời xin bày tỏ lời cảm ơn tới anh chị nghiên cứu sinh, bạn lớp cao hoc vật lý khóa 2010 -2012 đóng góp ý kiến quý báu động viên thực luận văn Cuối tơi xin bày tỏ lịng cảm ơn chân thành sâu sắc tới gia đình tôi, người thân yêu động viên tạo điều kiện tốt cho trình học tập q trình hồn thành luận văn Hà nội, ngày 20/11/2012 Học viên Nguyễn Thị Loan MỤC LỤC LỜI CẢM ƠN i MỤC LỤC ii DANH MỤC HÌNH VẼ… iii MỞ ĐẦ CHƢƠNG 1: SIÊU MẠNG HỢP PHẦN VÀ BÀI TỐN HẤP THỤ SĨNG ĐIỆN TỪ MẠNH BIẾN ĐIỆU THEO BIÊN ĐỘ BỞI ĐIỆN TỬ GIAM CẦM TRONG BÁN DẪN KHỐI 1.1 : Tổng quan siêu mạng hợp phần 1.1.1 : Khái niệm siêu mạng hợp phần 1.1.2 : Phổ lƣợng hàm sóng điện tử giam cầm siêu mạng hợp phần… 1.2 : Bài tốn hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ điện tử giam cầm bán dẫn khối 1.2.1 : Sự hấp thụ sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ điện tử giam cầm bán dẫn khối 1.2.2 : Xây dựng phƣơng trình động lƣợng tử cho điện tử bán dẫn khối 10 1.2.3 : Biểu thức hệ số hấp thụ sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ điện tử giam cầm bán dẫn khối .15 CHƢƠNG 2: PHƢƠNG TRÌNH ĐỘNG LƢỢNG TỬ VÀ BIỂU THỨC GIẢI TÍCH CHO HỆ SỐ HẤP THỤ PHI TUYẾN SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH BIẾN ĐIỆU THEO BIÊN ĐỘ BỞI ĐIỆN TỬ GIAM CẦM TRONG SIÊU MẠNG HỢP PHẦN(TRƢỜNG HỢP TÁN XẠ ĐIỆN TỬ-PHONON ÂM) 22 2.1 : Hamiltonian tƣơng tác điện tử - phonon siêu mạng hợp phần… .22 2.2 : Phƣơng trình động lƣợng tử cho điện tử siêu mạng hợp phần 24 2.3 : Tính hệ số hgấp thụ sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ điện tử giam cầm siêu mạng hợp phần… 35 CHƢƠNG 3: TÍNH TỐN SỐ VÀ BÀN LUẬN 42 KẾT LUẬN .46 Tài liệu tham khảo 48 Phụ lục 51 MỞ ĐẦU Lý chọn đề tài Trong năm gần đây, việc chế tạo nghiên cứu tính chất vật liệu có cấu trúc nano vấn đề mang tính thời thu hút nhiều nhà khoa học hàng đầu nước quốc tế tham gia nghiên cứu Trong đó, bán dẫn thấp chiều điểm nóng nghiên cứu đại khả ứng dụng rộng rãi đời sống khoa học kĩ thuật, tạo linh kiện đại siêu nhỏ, đa năng, thông minh Chính hạn chế chuyển động làm cho hiệu ứng vật lý, tính chất vật lý dây lượng tử khác nhiều so với bán dẫn khối Khi nguồn xạ cao tần đời mở hướng nghiên cứu hiệu ứng cao tần gây tương tác trường sóng điện từ cao tần lên bán dẫn siêu mạng Khi sóng điện từ cao tần (có tần số  thỏa mãn điều kiện  >>1,  : thời gian hồi phục xung lượng) tương tác với vật liệu định luật bảo tồn xung lượng bị thay đổi tham gia photon vào trình hấp thụ phát xạ phonon (trong đối số hàm Delta - Dirac mơ tả định luật bảo tồn  >>1, ngồi lượng electron, phonon cịn có đại lượng liên quan tới lượng photon l , l số nguyên) Kết hàng loạt hiệu ứng xuất - hiệu ứng cao tần Khi electron tương tác với phonon gây hiệu ứng có chất khác hồn tồn trường hợp khơng có sóng điện từ cao tần (khi khơng có đại lượng liên quan tới lượng photon l vào đối số hàm Delta - Dirac) Trong số hiệu ứng vật lý gây tương tác trường sóng điện từ mạnh cao tần (lazer) lên bán dẫn nói chung bán dẫn thấp chiều nói riêng đáng ý có hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh điện tử giam cầm siêu mạng hợp phần Bài toán giải vào năm 80 kỉ XX bán dẫn khối tốn hấp thụ phi tuyến sóng điên từ mạnh biến điệu theo biên độ điện tử giam cầm siêu mạng hợp phần bị bỏ ngỏ Bởi luận văn này, nghiên cứu lý thuyết hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ điện tử giam cầm siêu mạng hợp phần có tính tốn cụ thể cho trường hợp tán xạ phonon - âm khảo sát kết thu siêu mạng hợp phần GaAs - Al0.3Ga0.7As Về phƣơng pháp nghiên cứu: - Để tính hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh siêu mạng hợp phần sử dụng nhiều phương pháp khác phương pháp hàm Green, phương pháp tích phân phiếm hàm, phương pháp phương trình động lượng tử…Trong luận văn này, chúng tơi sử dụng phương pháp phương trình động lượng tử cho điện tử để giải Đây phương pháp sử dụng nhiều nghiên cứu hệ thấp chiều cho hiệu cao[11,12,13,14,15] - Sử dụng phần mềm Matlab để tính số vẽ đồ thị Về mục đích, đối tƣợng phạm vi nghiên cứu:  Mục đích: - Nghiên cứu hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ điện tử giam cầm siêu mạng hợp phần (trường hợp tán xạ điện tử - phonon âm) - Tính toán số kết lý thuyết cho loại siêu mạng hợp phần GaAs - Al0.3Ga0.7As  Đối tượng: Siêu mạng hợp phần  Phạm vi: Tính hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ (trường hợp tán xạ điện tử - phonon âm) Cấu trúc luận văn: Ngoài phần mở đầu, kết luận, tài liệu tham khảo phụ lục, luận văn chia làm chương, mục, hình vẽ, tổng cộng 55 trang 25 tài liệu tham khảo: Chƣơng 1: Giới thiệu siêu mạng hợp phần toán hệ số hấp thụ sóng điện từ bán dẫn khối Chƣơng 2: Phương trình động lượng tử biểu thức giải tích hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện mạnh biến điệu theo từ điện tử giam cầm siêu mạng hợp phần (trường hợp tán xạ phonon – âm) Chƣơng 3: Tính tốn số vẽ đồ thị cho siêu mạng hợp phần GaAs Al0.3Ga0.7As Các kết luận văn chứa đựng chương chương Trong đó, sở phương trình động lượng tử cho điện tử siêu mạng hợp phần ảnh hưởng sóng điện từ mạnh theo biên độ với giả thiết tán xạ điện tử - phonon âm chủ yếu, thu hàm phân bố không cân điện tử lấy sở tính hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ điện tử giam cầm siêu mạng hợp phần Phân tích phụ thuộc phức tạp khơng tuyến tính hệ số hấp thụ vào cường độ điện trường E0 tần số  sóng điện từ mạnh, nhiệt độ T hệ Ngoài ra, với sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ, thay đổi biên độ sóng theo thời gian với tần số  ảnh hưởng tới hệ số hấp thụ Từ kết giải tích thu được, tính tốn số vẽ đồ thị cho siêu mạng hợp phần GaAs-Al0.3Ga0.7As CHƢƠNG SIÊU MẠNG HỢP PHẦN VÀ BÀI TỐN HẤP THỤ SĨNG ĐIỆN TỪ MẠNH BIẾN ĐIỆU THEO BIÊN ĐỘ BỞI ĐIỆN TỬ GIAM CẦM TRONG BÁN DẪN KHỐI 1.1 Tổng quan siêu mạng hợp phần 1.1.1 Khái niệm siêu mạng hợp phần Siêu mạng hợp phần vật liệu bán dẫn mà hệ điện tử có cấu trúc chuẩn hai chiều, cấu tạo từ lớp mỏng bán dẫn với độ dày d1, ký hiệu A, độ rộng vùng cấm hẹp  gA (ví dụ GaAs) đặt tiếp xúc với lớp bán dẫn mỏng có độ dày d2 ký hiệu B có vùng cấm rộng  gB (ví dụ AlAs) Các lớp mỏng xen kẽ vô hạn dọc theo trục siêu mạng (hướng vng góc với lớp trên) Trong thực tế tồn nhiều lớp mỏng dạng B/A/B/A…, độ rộng rào đủ hẹp để lớp mỏng hệ tuần hoàn bổ sung vào mạng tinh thể Khi đó, điện tử xuyên qua hàng rào di chuyển từ lớp bán dẫn vùng cấm hẹp sang lớp bán dẫn có vùng cấm hẹp khác Do đó, điện tử ngồi việc chịu ảnh hưởng tuần hồn tinh thể cịn chịu ảnh hưởng phụ Thế phụ hình thành chênh lệch lượng cận điểm đáy vùng dẫn hai bán dẫn siêu mạng, biến thiên tuần hoàn với chu kỳ lớn nhiều so với số mạng Sự có mặt siêu mạng làm thay đổi phổ lượng điện tử Hệ điện tử siêu mạng hợp phần khí điện tử chuẩn hai chiều Các tính chất vật lý siêu mạng xác định phổ điện tử chúng thơng qua việc giải phương trình Schodinger với bao gồm tuần hoàn mạng tinh thể phụ tuần hoàn siêu mạng Từ tương quan đáy đỉnh vùng cấm bán dẫn tạo thành siêu mạng, ta phân biệt siêu mạng hợp phần làm ba loại Loại I: tạo thành từ bán dẫn có độ rộng vùng cấm hoàn toàn bao (Siêu mạng AlxGa1-xAs/GaAs gồm vài trăm lớp xen kẽ tỷ lệ pha tạp x Al thay đổi từ 0,15 đến 0,35 chu kỳ thay đổi từ 50Ao đến 200Ao) Trong siêu mạng tương tác hạt tải từ lớp riêng biệt xảy vùng lượng loại Loại II: tạo từ bán dẫn có độ rộng vùng cấm nằm gần không bao trùng phần (siêu mạng GaxIn1As/ GaAsySb1-y tạo năm 1977) Trong siêu mạng xảy x tương tác hạt tải nằm vùng khác nhau, tức điện tử bán dẫn tương tác với lỗ trống bán dẫn Loại III: Siêu mạng hợp phần loại tạo từ bán dẫn thông thường bán dẫn khác với khe lượng 0(zero gap) Ngoài người ta cịn tạo siêu mạng pha tạp hay siêu mạng "nipi" Siêu mạng loại tạo pha tạp lớp A loại n với lớp B loại p 1.1.2 Phổ lƣợng hàm sóng điện tử giam cầm siêu mạng hợp phần Các tính chất vật lý siêu mạng xác định phổ điện tử chúng thông qua việc giải phương trình Schrodinger với bao gồm tuần hoàn mạng tinh thể phụ tuần hồn siêu mạng Bằng cách giải phương trình Schrodinger ta đưa vào tuần hồn chiều có dạng hình chữ nhật ta thu hàm sóng phổ lượng điện tử siêu mạng hợp phần có dạng sau: Hình 3.3: Sự phụ thuộc  vào tần số sóng (tán xạ điện tử-phonon âm) Hình 3.3: Thể phụ thuộc hệ số hấp thụ sóng điện từ mạnh vào tần số sóng biên độ sóng biến điệu, đồ thị cho thấy vùng tần số cao hệ số hấp thụ gần không thay đổi tần số thấp hệ số hấp thụ giảm nhanh đồng thời biến thiên tuần hồn theo thời gian Hình 3.4: Sự phụ thuộc  vào tần số biến điệu ∆Ω Hình 3.4 : Thể phụ thuộc hệ số hấp thụ sóng điện từ mạnh vào tần số biến điệu, đồ thị cho thấy hệ số hấp thụ biến thiên tuần hoàn theo thời gian tần số 3.2: BÀN LUẬN Kết thu cho thấy, bán dẫn siêu mạng bán dẫn khối có khác phụ thuộc hệ số hấp thụ sóng điện từ vào thông số hệ Cụ thể, phụ thuộc hệ số hấp thụ sóng điện từ hai loại vật liệu vào thông số hệ (nhiệt độ T, cường độ điện trường E,…) khác Có khác biệt bán dẫn khối điện tử hệ hoàn toàn chuyển động tự theo hướng vật liệu, siêu mạng hợp phần chuyển động tự điện tử hệ bị hạn chế (các điện tử chuyển động tự mặt phẳng siêu mạng, bị lượng tử theo trục siêu mạng) Đây nguyên nhân dẫn đến khác biệt siêu mạng hợp phần với bán dẫn khối Mặt khác trường hợp biên độ sóng điện từ biến điệu theo thời gian ngồi phụ thuộc vào đại lượng nhiệt độ T, cường độ E0, tần số sóng Ω, tần số biến điệu ∆Ω…cịn biến thiên cách tuần hoàn theo thời gian KÊT LUẬN Luận văn nghiên cứu hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ điện tử giam cầm siêu mạng hợp phần GaAs - Al0.3Ga0.7As (trường hợp tán xạ điện tử - phonon âm) thu kết sau: 1.Từ Hamiltonian hệ điện tử - phonon, thiết lập phương trình động lượng tử cho điện tử giam cầm siêu mạng hợp phần có mặt sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ Bằng phương pháp gần lặp thu biểu thức phụ thuộc thời gian hàm phân bố không cân điện tử giam cầm siêu mạng hợp phần Từ biểu thức hàm phân bố không cân điện tử xây dựng biểu thức giải tích cho hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ điện tử giam cầm siêu mạng hợp phần cho trường hợp tán xạ điện tử -phonon âm Từ xây dựng biểu thức hệ số hấp thụ trường hợp cụ thể “hấp thụ sóng điện từ gần ngưỡng s     ” Đã phân tích phụ thuộc khơng tuyến tính hệ q số hấp thụ vào cường độ sóng điện từ E0, tần số Ω tần số biến điệu ∆Ω sóng điện từ, nhiệt độ T vào thời gian Thực tính tốn số vẽ đồ thị cho siêu mạng hợp phần Từ kết tính số vẽ đồ thị rằng: -Hệ số hấp thụ giảm phi tuyến nhiệt độ tăng, đặc biệt giảm mạnh từ 250K tới 290K Ngồi hệ số hấp thụ cịn biến đổi tuần hoàn theo thời gian -Hệ số hấp thụ gần khơng thay đổi biên độ sóng điện từ nhỏ, biến đổi gần tuần hoàn theo thời gian biên độ sóng điện từ lớn -Hệ số hấp thụ giảm đồng thời biến thiên tuần hoàn theo thời gian tần số thấp lại không thay đổi theo thời gian tần số lớn TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt Nguyễn Quang Báu, Đỗ Quốc Hùng, Vũ Văn Hùng, Lê Tuấn (2010), “Lý thuyết bán dẫn”, Nhà xuất Đại học Quốc gia Hà nội Nguyễn Quang Báu, Hà Huy Bằng (2002), “Lý thuyết trường lượng tử cho hệ nhiều hạt”, Nhà xuất Đại học Quốc gia Hà nội Nguyễn Quang Báu, Bùi Bằng Đoan, Nguyễn Văn Hùng (1998), “Vật lý thống kê”, Nhà xuất Đại học Quốc gia Hà nội Nguyễn Quang Báu (1998), “Ảnh hưởng sóng điện từ mạnh biến điệu lên hấp thụ sóng điện từ yếu bán dẫn”, Tạp chí vật lý, VIII (3-4), tr 28-35 Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Vũ Nhân, Phạm Văn Bền (2010), Vật lý bán dẫn thấp chiều, NXB Đại học Quốc gia Hà nội, Hà nội Nguyễn Quang Báu (1998), “Ảnh hưởng sóng điện từ mạnh biến điệu lên hấp thụ sóng điện từ yếu bán dẫn”, Tạp chí Vật lý, VIII (3-4), tr 28-33 Nguyễn Xuân Hãn (1998), “Cơ sở lý thuyết trường lượng tử”, Nhà xuất Đại học Quốc gia Hà nội Nguyễn Văn Hùng (2000), “Lý thuyết chất rắn”, Nhà xuất Đại học Quốc gia Hà nội Nguyễn Vũ Nhân (2002), “Một số hiệu ứng cao tần gây trường sóng điện từ” Luận án tiến sỹ vật lý 10 Tran Cong Phong, (1997), “cấu trúc tính chất quang hố lượng tử siêu mạng bán dẫn” Luận án tiến sỹ vật lý 11 Lương Văn Tùng (2008), “Một số hiệu ứng cao tần bán dẫn siêu mạng” Luận án tiến sỹ vật lý 12 Đinh Quốc Vương (2007), “Một số hiệu ứng động âm-điện tử ” Luận án tiến sỹ vật lý Tiếng Anh 13 Abouelaoualim (1987), “Electron-confined LO-phonon scattering in GaAs-Al0.45Ga0.55As superlattice”, Pramana Journal of Physics, Vol 66, p 455 14 Ayhan Özmen, Yusuf Yakar, Bekir Çakýr, Ülfet Atav (2009), “Computation of the oscillator strength and absorption coefficients for the intersub-band transitions of the spherical quantum dot”, Opt Communications 282, p 3999 15 Blencowe M and Skik A (1996), “Acoustic conductivity of quantum wires”, Phys Rev B 54, p 13899 16 Do Manh Hung, Nguyen Quang Bau, Hoang Dinh Trien, Nguyen Thi Nhan (2008), “Calculations of The Nonlinear Absorption Coefficient of a Strong Electromagnetic Wave by Confined Electrons in the Compositional Super- lattices”, VNU Journal of Science, Mathematics Physics., No 24, 1S, p 236 17 Epstein E M (1975), “Interaction of intensive electromagnetic wave on electron properties of semiconductors”, Communications of HEE of USSR, ser Radio Physics, 18, p 785 18 I Karabulut, and S Baskoutas, (2008) “Linear and nonlinear optical absorption coefficients and refractive index changes in spherical quantum dots: Effects of impurities, electric field, size, and optical intensity”, J Appl Phys., Vol 103, 073512 19 Nguyen Quang Bau, Do Manh Hung and Dang The Hung “The Influence of Confined Phonons and Electrons on the Absorption coefficient of a Weak Electromagnetic Wave by Free Electrons in Quantum Wells” In Osaka Univ Asia Pacific-VNU, p 259 20 Nguyen Quang Bau, Nguyen The Toan, Chhoumm Navy, Nguyen Vu Nhan (1995), “The influence of quantizing magnetic field on the absorption of a weak electromagnetic wave by free electrons in semiconductor superlattices”, Proceed Secon IWOMS-95, Hanoi, Vietnam, p 207 21 Nguyen Quang Bau, Nguyen The Toan, Chhoumm Navy, and Tran Cong Phong (1996), “The theory of absorption of weak electromagnetic wave by free electrons in semiconductor superlattices”, Communications in Physics, 6(1), p 33 22 Nguyen Quang Bau, Tran Cong Phong (1998), “Calculations of the Absorption Coefficient of a Weak Electromagnetic Wave by Free Carrier in Quantum Wells by the Kubo-Mori Method”, J Phys Soc Japan, 67, p 3875 23 Nguyen Hong Son and Nazareno H N (1996), “Hopping conduction in semiconductor supperlattices in a quantized magnetic field”, Phys Rev B, 53(12), pp 7937-7944 24 Ploog K., Dholer G H (1983), “Compositional and doping superlattices in III-V semiconductors”, Advances in Physics, 32(3), p 285 25 P Vasilopoulos, M Charbonneau and C M Van Vliet (1987), “Linear and nonlinear electrical conduction in quasi two- dimensional quantum wells”, Phys Rev B, Vol 35, p.1334 PH LC Chãơng trình tính số vẽ đồ thị hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ điện tử giam cầm siêu mạng hợp phần GaAs-Al0.3Ga0.7As.(Trng hp tỏn x in tử - phonon âm gần ngƣỡng) Hình 3.1 Chƣơng trình biểu diễn phụ thuộc hệ số hấp thụ vào nhiệt độ clear all; clc; close all [T,t]=meshgrid(250:.7:320,0:.1e-11:10e-11);delt0=1e11; E0=5e6; nm=3; n1m =3; Xinf=10.9; e0=1.60219e-19; m0=9.109389e-31; h1=1.05459e-34; m1=0.067*m0; m2=.15*m0; e=2.07*e0; n0=1e21; omega=200e12; wq=omega; b=1./(1.3807e-23.*T); c=3e8; hnu=3.625e-4*1.60219e-19;wq0=hnu/h1; C=1.136e10; vs=5370; p=5320; s=13.5*e0; delta1=.85*300*1.60219e-22/1.85; dA=118e-10; dB=16e-10; delta2=1.5e-22/2; G0=m1*e^2*n0*C*s^2./ (wq.^3*c*h1^6*p*vs^2*(Xinf)^(1/2).*b.^3); B=0; for n=1:nm for n1=1:n1m kA=(2*m1*(delta1-h1^2*pi^2*n^2/(2*m1*dA^2))).^(1/2)/h1; kB=(2*m2*h1^2*pi^2*n^2/(2*m1*dA^2)).^(1/2)/h1; kA1=(2*m1*(delta1-h1^2*pi^2*n1^2/(2*m1*dA^2))).^(1/2)/h1; kB1=(2*m2*h1^2*pi^2*n^1/(2*m1*dA^2)).^(1/2)/h1; X=cos(kB*dB)*cosh(kA*dA)-(kB^2kA^2)*sin(kB*dB)*sinh(kA*dA)/(2*kA*kB); Y=cos(kB1*dB)*cosh(kA1*dA)-(kB1^2kA^2)*sin(kB1*dB)*sinh(kA1*dA)/(2*kA1*kB1); A=pi^2*(n1^2-n^2)*h1^2/(2*m1*dA^2)+h1*wq+delta2*(X-Y); S=exp(-b.*(pi^2*(n1^2-n^2)*h1^2./(2*m1*dA^2)+delta2*(XY))).*(exp(wq*h1.*b)-1).* (1+A*b./2+3*e^2*b.*(E0.*cos(delt0.*t))^2./(32*m1*h1^2*wq.^4).*(A.^2+ 3*A./b+12./b.^2)); B=B+G0.*A.*S* (n~=1); end end B1=real(B); mesh(T,t,B1); Hình 3.2: Chƣơng trình biểu diễn phụ thuộc hệ số hấp thụ vào biên độ sóng điện từ clear all; clc; close all [E0,t]=meshgrid(0e6:.7e5:7e6,0:.1e-11:10e-11);delt0=1e11; T=300; nm=3; n1m =3; Xinf=10.9; e0=1.60219e-19; m0=9.109389e-31; h1=1.05459e-34; m1=0.067*m0; m2=.15*m0; e=2.07*e0; n0=1e21; omega=200e12; wq=omega; b=1./(1.3807e-23.*T); c=3e8; hnu=3.625e-4*1.60219e-19;wq0=hnu/h1; C=1.136e10; vs=5370; p=5320; s=13.5*e0; delta1=.85*300*1.60219e-22/1.85; dA=118e-10; dB=16e-10; delta2=1.5e-22/2; G0=m1*e^2*n0*C*s^2./ (wq.^3*c*h1^6*p*vs^2*(Xinf)^(1/2).*b.^3); B=0; for n=1:nm for n1=1:n1m kA=(2*m1*(delta1-h1^2*pi^2*n^2/(2*m1*dA^2))).^(1/2)/h1; kB=(2*m2*h1^2*pi^2*n^2/(2*m1*dA^2)).^(1/2)/h1; kA1=(2*m1*(delta1-h1^2*pi^2*n1^2/(2*m1*dA^2))).^(1/2)/h1; kB1=(2*m2*h1^2*pi^2*n^1/(2*m1*dA^2)).^(1/2)/h1; X=cos(kB*dB)*cosh(kA*dA)-(kB^2kA^2)*sin(kB*dB)*sinh(kA*dA)/(2*kA*kB); Y=cos(kB1*dB)*cosh(kA1*dA)-(kB1^2kA^2)*sin(kB1*dB)*sinh(kA1*dA)/(2*kA1*kB1); A=pi^2*(n1^2-n^2)*h1^2/(2*m1*dA^2)+h1*wq+delta2*(X-Y); S=exp(-b.*(pi^2*(n1^2-n^2)*h1^2./(2*m1*dA^2)+delta2*(XY))).*(exp(wq*h1.*b)-1).* (1+A*b./2+3*e^2*b.*(E0.*cos(delt0.*t))^2./(32*m1*h1^2*wq.^4).*(A.^2+ 3*A./b+12./b.^2)); B=B+G0.*A.*S* (n~=1); end end B1=real(B); mesh(E0,t,B1); Hình 3.3: Chƣơng trình biểu diễn phụ thuộc hệ số hấp thụ vào tần số sóng clear all; clc; close all E0=5e6;delt0=1e11; T=300; nm=3; n1m =3; Xinf=10.9; e0=1.60219e-19; m0=9.109389e-31; h1=1.05459e-34; m1=0.067*m0; m2=.15*m0; e=2.07*e0; n0=1e21; [omega,t]=meshgrid(5e13:1e11:15e13,0:.1e-11:10e-11); wq=omega; b=1./(1.3807e-23.*T); c=3e8; hnu=3.625e-4*1.60219e-19;wq0=hnu/h1; C=1.136e10; vs=5370; p=5320; s=13.5*e0; delta1=.85*300*1.60219e-22/1.85; dA=118e-10; dB=16e-10; delta2=1.5e-22/2; G0=m1*e^2*n0*C*s^2./ (wq.^3*c*h1^6*p*vs^2*(Xinf)^(1/2).*b.^3); B=0; for n=1:nm for n1=1:n1m kA=(2*m1*(delta1-h1^2*pi^2*n^2/(2*m1*dA^2))).^(1/2)/h1; kB=(2*m2*h1^2*pi^2*n^2/(2*m1*dA^2)).^(1/2)/h1; kA1=(2*m1*(delta1-h1^2*pi^2*n1^2/(2*m1*dA^2))).^(1/2)/h1; kB1=(2*m2*h1^2*pi^2*n^1/(2*m1*dA^2)).^(1/2)/h1; X=cos(kB*dB)*cosh(kA*dA)-(kB^2kA^2)*sin(kB*dB)*sinh(kA*dA)/(2*kA*kB); Y=cos(kB1*dB)*cosh(kA1*dA)-(kB1^2kA^2)*sin(kB1*dB)*sinh(kA1*dA)/(2*kA1*kB1); A=pi^2*(n1^2-n^2)*h1^2/(2*m1*dA^2)+h1*wq+delta2*(X-Y); S=exp(-b.*(pi.^2.*(n1.^2- n.^2).*h1.^2./ (2.*m1.*dA.^2)+delta2.*(X-Y))).*(exp(wq.*h1.*b)-1).* (1+A.*b./2+3.*e.^2.*b.*(E0.*cos(delt0.*t)).^2./(32.*m1.*h1.^2.*wq.^4).*( A.^2+3.*A./b+12./b.^2)); B=B+G0.*A.*S* (n~=1); end end B1=real(B); mesh(wq,t,B1); Hình 3.4:Chƣơng trình biểu diễn phụ thuộc hệ số hấp thụ vào tần số biến điệu clear all ;clc ;close all E0=5e6 ; T=300; nm=2; n1m =2; Xinf=10.9 ; X0=12.9 ; e0=1.60219e-19; m0=9.109389e-31; h1=1.05459e-34; m1=0.067*m0; m2=0.15*m0; e=2.07*e0; n0=1e20 ;k0=1/(pi*36)*1e-9 ; [delt0,t]=meshgrid(linspace(0,1.3e11),0:.1e-11:10e-11); omega=2.5e13;wq=omega ; b=1./(1.3807e-23.*T) ; c=3e8 ; hnu=3.625e-4*1.60219e-19;wq0=hnu/h1; C=1.136e10 ; delta1=.85*300*1.60219e-22/1.85; dA=118e-10; dB=16e-10; delta2=1.5e22/2; G0=pi*e^4*n0*C./(wq.^3*c*h1^4*(Xinf).^(1/2).*b.^2).*(1/Xinf -1/X0) ; B=0; for n=1:nm for n1=1:n1m kA=(2*m1*(delta1-h1^2*pi^2*n^2/(2*m1*dA^2))).^(1/2)/h1; kB=(2*m2*h1^2*pi^2*n^2/(2*m1*dA^2)).^(1/2)/h1 ; kA1=(2*m1*(delta1-h1^2*pi^2*n1^2/(2*m1*dA^2))).^(1/2)/h1; kB1=(2*m2*h1^2*pi^2*n1^2/(2*m1*dA^2)).^(1/2) /h1; X=cos(kB*dB)*cosh(kA*dA)-(kB^2 kA^2)*sin(kB*dB)*sinh(kA*dA)/(2*kA*kB); Y=cos(kB1*dB)*cosh(kA1*dA)-(kB1^2 -kA^2)*sin(kB1* dB)*sinh(kA1*dA)/(2*kA1*kB1); s=exp((delta2*X - pi^2*h1^2*n^2./ (2.*m1.*dA^2)).*b).*(exp((wq - wq0).*h1.*b)-1).* exp(-b*(pi^2*(n1^2- n^2)*h1^2./(2*m1*dA^2)+delta2*(X-Y))).* (1+3*e^2.*(E0.*cos(delt0.*t)).^2./(8*m1*h1^2*wq.^4.*b).*(1+b.*(pi^2.*(n 1^2- n^2)*h1^2/(2*m1*dA^2)+h1*(wq0 -wq)+ delta2*(X - Y))./2)) ; B=B+G0.*s*(n~=n1); end end B1=real(B); mesh(delt0,t,B1); ... SỐ HẤP THỤ PHI TUYẾN SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH BIẾN ĐIỆU THEO BIÊN ĐỘ BỞI ĐIỆN TỬ GIAM CẦM TRONG SIÊU MẠNG HỢP PHẦN (TRƢỜNG HỢP TÁN XẠ ĐIỆN TỬ -PHONON ÂM) 2.1.Hamiltonian tƣơng tác hệ điện tử- phonon siêu. .. cứu hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ điện tử giam cầm siêu mạng hợp phần (trường hợp tán xạ điện tử - phonon âm) - Tính tốn số kết lý thuyết cho loại siêu mạng hợp phần. .. hấp thụ phi tuyến sóng điên từ mạnh biến điệu theo biên độ điện tử giam cầm siêu mạng hợp phần bị bỏ ngỏ Bởi luận văn này, nghiên cứu lý thuyết hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo