BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ HUỲNH THỊ TÚ TRINH THỰC NGHIỆM BỘ NGHỊCH LƯU MỘT PHA BA BẬC NPC NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ - 605270 S K C0 9 Tp Hồ Chí Minh, năm 2014 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ HUỲNH THỊ TÚ TRINH THỰC NGHIỆM BỘ NGHỊCH LƯU MỘT PHA BA BẬC NPC NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ - 605270 Tp Hồ Chí Minh, năm 2014 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ HUỲNH THỊ TÚ TRINH THỰC NGHIỆM BỘ NGHỊCH LƯU MỘT PHA BA BẬC NPC NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ - 605270 Hướng dẫn khoa học: PGS.TS NGUYỄN VĂN NHỜ Tp Hồ Chí Minh, năm 2014 Hình x LÝ LỊCH KHOA HỌC I LÝ LỊCH SƠ LƯỢC: Họ tên: Huỳnh Thị Tú Trinh Giới tính: Nữ Ngày, tháng, năm sinh: 06/12/1984 Nơi sinh: Long An Quê quán: Long An Dân tộc: Kinh Chức vụ, đơn vị công tác trước học tập, nghiên cứu: Giáo viên trường Cao đẳng nghề Công nghệ cao Đồng An Chỗ riêng địa liên lạc: 68B/6 ấp 6, xã Hiệp Thạnh, huyện Châu Thành, tỉnh Long An Điện thoại quan: 0650.3949.008 Điện thoại di động: 0982.763.409 E-mail: tutrinh@dongan.edu.vn II QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO: Trung học chuyên nghiệp: Hệ đào tạo: Trung cấp chuyên nghiệp Thời gian đào tạo từ 2002 đến 2005 Nơi học: Trường Cao đẳng kỹ thuật Cao Thắng thành phố Hồ Chí Minh Ngành học: Kỹ thuật điện tử Đại học: Hệ đào tạo: Chính quy Thời gian đào tạo từ 2005 đến 2009 Nơi học: Trường đại học Sư Phạm Kỹ thuật Tp Hồ Chí Minh Ngành học: Kỹ thuật điện tử Tên đồ án tốt nghiệp: Khai thác phần mềm PSIM 6.0 điện tử công suất Ngày & nơi bảo vệ đồ án tốt nghiệp: Năm 2009 Trường đại học Sư Phạm Kỹ thuật Tp Hồ Chí Minh i Người hướng dẫn: Thầy Hoàng Ngọc Văn Thạc sĩ: Hệ đào tạo: Chính quy Thời gian đào tạo từ 08/2011 đến 08/2014 Nơi học: Trường đại học Sư Phạm Kỹ thuật Tp Hồ Chí Minh Ngành học: Kỹ thuật điện tử Tên luận văn: Thực nghiệm nghịch lưu pha ba bậc NPC Ngày & nơi bảo vệ luận văn: Năm 2014 Trường đại học Sư Phạm Kỹ thuật Tp Hồ Chí Minh Người hướng dẫn: PGS.TS Nguyễn Văn Nhờ Trình độ ngoại ngữ: Tiếng Anh trình độ B III Q TRÌNH CƠNG TÁC CHUN MƠN KỂ TỪ KHI TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC: Thời gian 2009 – 2010 2010 đến Nơi công tác Công việc đảm nhiệm Trường Cao đẳng nghề Việt Nam – Giáo viên Singapore Trường Cao đẳng nghề công nghệ Giáo viên cao Đồng An XÁC NHẬN CỦA CƠ QUAN CỬ ĐI Ngày tháng năm 2014 HỌC (Ký tên, đóng dấu) Người khai ký tên ii LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu tơi Các số liệu, kết nêu luận văn trung thực chưa công bố công trình khác Tp.Hồ Chí Minh, ngày ….tháng …năm 2014 (Ký tên ghi rõ họ tên) Huỳnh Thị Tú Trinh iii LỜI CẢM ƠN Xin chân thành gửi lời cảm ơn đến PGS.TS Nguyễn Văn Nhờ tận tình hướng dẫn tơi suốt q trình thực luận văn Xin chân thành gửi lời cảm ơn đến tồn thể q thầy trường Đại học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh giảng dạy, hướng dẫn tạo điều kiện, môi trường học tập tốt cho Cảm ơn quý thầy cô, anh chị phòng Đào tạo Sau đại học trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh giúp đỡ, giải đáp vướng mắc thủ tục hành cho tơi thời gian học vừa qua Chân thành cảm ơn Ban giám hiệu Trường Cao đẳng nghề Công nghệ cao Đồng An tạo điều kiện để tơi tham gia hồn thành học khóa học Xin cảm ơn anh em học viên lớp KĐT11B ngành Kỹ thuật điện tử anh chị học viên nghiên cứu phịng thí nghiệm B107 trường Đại học Bách Khoa TP Hồ Chí Minh chia sẽ, hỗ trợ, giúp đỡ suốt q trình học tập Xin kính chúc sức khỏe chân thành cảm ơn Học viên Huỳnh Thị Tú Trinh iv TÓM TẮT LUẬN VĂN Đề tài thực việc điều khiển mơ hình nghịch lưu áp pha ba bậc NPC thông qua tải R – L động Với cấu trúc ta đạt điện áp nghịch lưu ngõ ba bậc với độ méo dạng thấp, số lần chuyển mạch ít, điện áp common – mode nhỏ, điện áp linh kiện giảm Trong luận văn phát triển biến đổi kỹ thuật điều chế độ rộng xung sóng mang (Carrier PWM) đề xuất để giải tốn điều khiển đóng ngắt cơng tắc bán dẫn để có điện áp ngõ mong muốn Luận văn thực nghiệm phần cứng với IGBT FGL60N100D Các giải thuật điều khiển đề xuất thực vi xử lý điều khiển tín hiệu số DSP TMS320F 28335 với kỹ thuật lập trình nhúng từ mơ hình mơ phần mềm Matlab / Simulink kết hợp chương trình Code Composer Studio V3.3 tự động biên dịch ngôn ngữ C nạp cho vi xử lý mà khơng cần phải lập trình lại ABSTRACT This thesis presents controlling a one phase inverter three levels NPC topology through R – L or motor load By using this inverter topology, we can achieve a low THD% output voltage and reducing the number of commutations, the small common – mode voltage, reducing the working voltage on switches In this thesis, the development of a carrier PWM technique is proposed to resolve the problem of the control of the switching semiconductor component to have the desired output voltage A simulated model was builded on Matlab / Simulink software for calculating parameters and ensuring proposed algorithms An experimental model, which using FGL60N100D IGBT and TI microprocessor DSP TMS320F28335, was established for validation Control program was program on Simulink model then generate C – code and import to CCS software, micro processor automatically but not required reprogramming v MỤC LỤC Trang tựa TRANG Quyết định giao đề tài LÝ LỊCH KHOA HỌC i LỜI CAM ĐOAN iii LỜI CẢM ƠN iv TÓM TẮT LUẬN VĂN v MỤC LỤC vi DANH SÁCH CÁC CHỮ VIẾT TẮT ix DANH SÁCH CÁC HÌNH xi DANH SÁCH CÁC BẢNG xiv CHƯƠNG TỔNG QUAN 1.1 Tổng quan chung lĩnh vực nghiên cứu, kết nước nghiên cứu 1.1.1 Tổng quan lĩnh vực nghiên cứu 1.1.2 Các kết nghiên cứu nước 1.2 Mục đích đề tài 1.3 Nhiệm vụ giới hạn đề tài 1.3.1 Thiết kế phần cứng cho nghịch lưu áp pha ba bậc NPC 1.3.2 Thành lập mơ hình mơ cho nghịch lưu áp pha ba bậc NPC Matlab 1.3.3 Lập trình nhúng DSP F28335 Matlab/ Simulink 1.3.4 Đánh giá báo cáo kết thực nghiệm vi 1.4 Phương pháp nghiên cứu CHƯƠNG CƠ SỞ LÝ THUYẾT VỀ BỘ NGHỊCH LƯU ÁP MỘT PHA BA BẬC NPC 2.1 Tổng quan nghịch lưu đa bậc 2.1.1 Khái niệm 2.1.2 Phân loại nghịch lưu áp 2.2 Các dạng cấu trúc nghịch lưu áp đa bậc 2.2.1 Cấu trúc nghịch lưu NPC (Neutral Point Clamped) 2.2.2 Nhận xét 2.3 Kỹ thuật điều khiển nghịch lưu pha ba bậc NPC 10 2.3.1 Một số tiêu đánh giá kỹ thuật PWM 10 2.3.2 Kỹ thuật điều chế độ rộng xung dùng sóng mang (CPWM) 15 2.3.3 Phân tích kỹ thuật điều khiển nghịch lưu pha ba bậc NPC 19 CHƯƠNG XÂY DỰNG MÔ HÌNH THỰC NGHIỆM CHO BỘ NGHỊCH LƯU ÁP MỘT PHA BA BẬC NPC 22 3.1 Sơ đồ tổng thể mơ hình thực nghiệm 22 3.2 Mơ tả chi tiết mơ hình thực nghiệm 22 3.2.1 Sơ đồ triển khai hệ thống mạch công suất 23 3.2.2 Sơ đồ triển khai khối tạo xung điều khiển (Controlling signal modulation)28 3.3 Tổng thể mơ hình thực nghiệm thi cơng 33 CHƯƠNG MÔ PHỎNG VÀ THỰC NGHIỆM BỘ NGHỊCH LƯU ÁP MỘT PHA BA BẬC NPC 35 4.1 Mô nghịch lưu pha ba bậc NPC 35 4.1.1 Khảo sát mạch 35 vii GVHD: PGS TS Nguyễn Văn Nhờ Thực nghiệm BNLA 1P 3B NPC Do thi quan he giua U(V) va chi so m 45 40 U(V) 35 30 25 20 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 Chi so dieu che m 0.7 0.75 0.8 Hình 28: Đường đặc tuyến áp tải hiệu dụng m thực nghiệm Do thi quan he giua I(A) va chi so m 1.2 1.1 I(A) 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 Chi so dieu che m 0.7 0.75 0.8 Hình 29: Đường đặc tuyến dịng tải hiệu dụng m thực nghiệm Nhận xét: Đặc tuyến điều khiển dòng áp cho thấy nghịch lưu pha ba bậc NPC có đặc tuyến điều khiển gần tuyến tính theo số m MP TN BNLA 1P 3B NPC 59 HVTH: Huỳnh Thị Tú Trinh GVHD: PGS TS Nguyễn Văn Nhờ Thực nghiệm BNLA 1P 3B NPC 4.3.2 Khảo sát sự cân điện áp tụ Ảnh hưởng số điều chế 4.3.2.1 Bảng 7: Thông số mô thực nghiệm Các thông số Điện áp DC hai tụ Mô Vc1 Vc Tần số sóng mang Tụ lọc C Tải Thực nghiệm Vdc 70 V Vc1 Vc Vdc 70 V FSW Khz FSW Khz 5600µF 5600µF R 10 Ω , L 120 mH R 10 Ω , L 120 mH Bảng 8: Giá trị điện áp tụ số điều chế thay đổi mô Chỉ số Điện áp tụ C1 Vc1 Điện áp tụ C Vc m (V) (V) 0,2 69,95 70,05 0,1 0,4 69,87 70,13 0,26 0,6 69,59 70,41 0,82 0,8 69,5 70,5 1,0 1,0 62,12 77,88 15,76 MP TN BNLA 1P 3B NPC 60 Độ lệch tụ Vc V HVTH: Huỳnh Thị Tú Trinh GVHD: PGS TS Nguyễn Văn Nhờ Thực nghiệm BNLA 1P 3B NPC Do thi quan he giua Vc1/ Vc2/ deltaVc va chi so m 80 70 Vc1, m Vc2, m deltaVc, m Vc1/ Vc2/ deltaVc 60 50 40 30 20 10 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 Chi so dieu che m 0.8 0.9 Hình 30: Quan hệ điện áp tụ độ lệch tụ với số m mô Bảng 9: Điện áp tụ độ lệch tụ số m thay đổi Điện áp tụ độ lệch tụ m 0,4 MP TN BNLA 1P 3B NPC 61 HVTH: Huỳnh Thị Tú Trinh GVHD: PGS TS Nguyễn Văn Nhờ Thực nghiệm BNLA 1P 3B NPC Điện áp tụ độ lệch tụ m = 0,5 Điện áp tụ độ lệch tụ m = 0,6 Điện áp tụ độ lệch tụ m = 0,7 MP TN BNLA 1P 3B NPC 62 HVTH: Huỳnh Thị Tú Trinh GVHD: PGS TS Nguyễn Văn Nhờ Thực nghiệm BNLA 1P 3B NPC Điện áp tụ độ lệch tụ m = 0,8 Điện áp hai tụ thực nghiệm Điện áp hai tụ mô Màu cam: Áp đo tụ C1 Vc1 Màu xanh: Áp đo tụ C2 Vc Màu cam: Áp đo tụ C1 Vc1 Màu xanh: Áp đo tụ C2 Vc Màu đỏ: Độ chênh lệch áp hai tụ V = |Vc1-Vc2| Chú thích sóng đo Nhận xét Kết mơ cho thấy - Khi số điều chế thay đổi khoảng thời gian để áp hai tụ cân thay đổi theo, chứng tỏ số điều chế ảnh hưởng tới cân điện áp tụ - Khi m 0,4 0,8 khoảng thời gian để điện áp hai tụ cân khoảng 0,02 s đến 0,04 s - Khi số điều chế thay đổi thời gian hội tụ điện áp tụ bị ảnh hưởng khoảng dao động điện áp tụ cân bị thay đổi theo Hình 4.18 Với số điều chế nhỏ độ dao động nhỏ, số điều chế lớn độ dao động lớn Theo Bảng độ dao động tụ nhỏ m 0,4 , m 0,8 độ dao động lớn Kết thực nghiệm cho thấy MP TN BNLA 1P 3B NPC 63 HVTH: Huỳnh Thị Tú Trinh GVHD: PGS TS Nguyễn Văn Nhờ Thực nghiệm BNLA 1P 3B NPC - Do thời gian nạp xả tụ không cân nên xảy tượng cân điện áp tụ, áp hai tụ lệch không đáng kể gần V điện dung hai tụ lớn 5600 µF - Tuy nhiên cân dẫn tới phát sinh hài khơng mong muốn sóng điện áp ra, cụ thể hài bậc thấp hài bậc Sự tồn làm cho tổn hao tăng, đồng thời khó bị lọc bỏ lọc tần số cao - Sự cân tụ cịn dẫn tới vần đề điện áp khóa bán dẫn - Ngồi ra, việc điều khiển đóng ngắt khóa làm cho điện áp nạp xả hai tụ không cân làm méo dạng sin áp ngõ - Việc điều khiển điện áp cao để cân điện áp tụ tồn áp DC rơi tụ làm nổ tụ mức áp dự phòng tụ nhỏ 50% Trong điều kiện cần phải đưa giải thuật cân hai tụ thật hiệu để giải vấn đề Đây hướng phát triển đề tài 4.3.2.2 Ảnh hưởng hệ số công suất tải Bảng 10: Thông số mô thực nghiệm Các thông số Điện áp DC hai tụ Mô Vc1 Vc Vdc 70 V Thực nghiệm Vc1 Vc Vdc 70 V Tần số sóng mang FSW Khz FSW Khz Chỉ số điều chế m 0,7 0,7 Tụ lọc C 5600µF 5600µF Tải Thay đổi Thay đổi 64 HVTH: Huỳnh Thị Tú Trinh MP TN BNLA 1P 3B NPC GVHD: PGS TS Nguyễn Văn Nhờ Thực nghiệm BNLA 1P 3B NPC Bảng 11: Dạng sóng dịng tải tương ứng với sự thay đởi cosφ cos Dịng tải mơ Dịng tải thực nghiệm 0,37 0,51 0,69 0,77 MP TN BNLA 1P 3B NPC 65 HVTH: Huỳnh Thị Tú Trinh GVHD: PGS TS Nguyễn Văn Nhờ Thực nghiệm BNLA 1P 3B NPC cos Dịng tải mơ Dòng tải thực nghiệm 0,92 Bảng 12: Dạng sóng áp tải tương ứng với sự thay đởi cosφ cos Áp tải mô Áp tải thực nghiệm 0,37 0,51 0,69 MP TN BNLA 1P 3B NPC 66 HVTH: Huỳnh Thị Tú Trinh GVHD: PGS TS Nguyễn Văn Nhờ Thực nghiệm BNLA 1P 3B NPC cos Áp tải mô Áp tải thực nghiệm 0,77 0,92 Bảng 13: Dạng sóng áp tụ độ lệch áp tụ tương ứng với sự thay đổi cosφ cos Áp tụ mô Áp tụ thực nghiệm 0,37 MP TN BNLA 1P 3B NPC 67 HVTH: Huỳnh Thị Tú Trinh GVHD: PGS TS Nguyễn Văn Nhờ Thực nghiệm BNLA 1P 3B NPC cos Áp tụ mô Áp tụ thực nghiệm 0,51 0,69 0,77 0,92 MP TN BNLA 1P 3B NPC 68 HVTH: Huỳnh Thị Tú Trinh GVHD: PGS TS Nguyễn Văn Nhờ Thực nghiệm BNLA 1P 3B NPC Nhận xét Kết mô cho thấy Khi hệ số công suất tải thay đổi trình cân điện áp tụ thay đổi theo Trong Bảng 4.6 cos 0,3 độ dao động điện áp tụ lớn nhất, cos 0,92 độ dao động điện áp tụ nhỏ Khoảng thời gian để tụ đạt mức cân khoảng 0,02 s Kết thực nghiệm cho thấy - Điện áp tải bậc (-70, 0, 70V), tụ có mức điện áp giữ ổn định gần điểm điện áp gần 70 V độ chêch lệch điện áp hai tụ V < 1,3 V - Độ lệch tụ phụ thuộc vào thay đổi tải, theo thực nghiệm ta nhận thấy hệ số cos 0,92 độ lệch hai tụ điện khơng đáng kể nhỏ V < 1,0 V - Với giá trị cos độ biến thiên dòng điện nhỏ ảnh hưởng điện cảm, dịng điện trường hợp cos nhỏ đẹp so với cos lớn - Nhưng hệ số cos lớn tỉ lệ hài bậc cao giảm MP TN BNLA 1P 3B NPC 69 HVTH: Huỳnh Thị Tú Trinh GVHD: PGS TS Nguyễn Văn Nhờ Thực nghiệm BNLA 1P 3B NPC CHƯƠNG KẾT LUẬN 5.1 Kết luận Luận văn tiếp cận phương pháp phân tích kỹ thuật điều chế độ rộng xung sóng mang cho nguồn pha gồm mạch NPC ba bậc để cung cấp cho phụ tải pha dạng hở Từ mô cho thấy phạm vi điều chế tuyến tính mở rộng sang vùng điều chế Từ kết mô thực nghiệm cho thấy muốn nâng cao chất lượng điện áp ngõ phải nâng số bậc biến tần, biến tần lai đời với nhiều ưu điểm điều khiển vượt trội so với cấu hình biến tần bản, hay sử dụng linh hoạt số lượng nguồn cấp DC (như nguồn cho công nghiệp hay dân dụng, đa nguồn cho ứng dụng nguồn lượng Trong luận văn, phương pháp lập trình cho đưa vào nghiên cứu, kỹ thuật lập trình nhúng từ Matlab / Simulink cho họ vi xử lý F28335 Với phương pháp người dùng dễ dàng lập trình mà không cần nhiều thời gian nghiên cứu ghi tập lệnh Các kết thực nghiệm chứng minh tính khả thi phương pháp lập trình 5.2 Hạn chế Đề tài luận văn mơ xây dựng mơ hình nghịch lưu pha ba bậc NPC thực nghiệm điều khiển vòng hở 5.3 Hướng phát triển đề tài Do thời gian có giới hạn nên đề tài dừng lại mức độ mô thực nghiệm với tải tĩnh, chưa thực nghiệm mơ hình động Việc thi cơng phần cứng cịn thơ sơ, mức độ thẩm mỹ chưa cao Kết thu từ đề tài làm sở cho công trình nghiên cứu sau Kết luận 70 HVTH: Huỳnh Thị Tú Trinh GVHD: PGS TS Nguyễn Văn Nhờ Thực nghiệm BNLA 1P 3B NPC Nghiên cứu phương pháp bù ảnh hưởng cân điện áp tụ, dùng chỉnh lưu điều khiển cung cấp điện áp cho nghịch lưu; thay đổi giá trị offset tùy theo chiều dòng điện chạy vào điểm trung tính nguồn Phát triển đề tài thành nghịch lưu ba pha chuyển lượng mặt trời hòa lưới điện Việc nghiên cứu phương pháp chống nhiễu tín hiệu, biện pháp bảo vệ khóa bán dẫn cách tối ưu ứng dụng nguồn để điều khiển động hướng phát triển đề tài Kết luận 71 HVTH: Huỳnh Thị Tú Trinh GVHD: PGS TS Nguyễn Văn Nhờ Thực nghiệm BNLA 1P 3B NPC TÀI LIỆU THAM KHẢO TIẾNG VIỆT Nguyễn Minh Chính, Phạm Quốc Hải, Giáo trình Điện Tử Cơng Suất, NXB Khoa Học Kỹ Thuật Hà Nội, 2007 Nguyễn Văn Nhờ, Giáo trình Điện tử cơng suất 1, Nhà xuất ĐHQG, 2002, 289 trang Lê Minh Phương, Phan Quốc Dũng, Mô phỏng Điện tử công suất Matlab – Simulink, NXB Đại học Quốc gia Thành phố Hồ Chí Minh TIẾNG NƯỚC NGỒI Roberto González, Eugenio Gubía, Jesús López,and Luis Marroyo, IEEETransformerless Single Phase Multilevel Based Photovoltaic Inverter, 2009 K C Oliveira, M C Cavalcanti, J L Afonso, A M Farias, F A S Neves, Transformerless Photovoltaic Systems Using Neutral Point Clamped Multilevel Inverters, Department of Electrical Engineering Federal University of Pernambuco – Recife, PE – Brazil, 2010 T Kerekes, R Teodorescu, U Borup, Transformerless Photovoltaic Inverters Connected to the Grid, Institute of Energy Technology Aalborg University Pontoppidanstraede 101 9220 Aalborg DENMARK Attia, John Okyere, Matlab Fundamentals, Electronics and Circuit Analysis using MATLAB Ed John Okyere Attia Boca Raton: CRC Press LLC, 1999 Bin Wu, High – Power Converters and ac Drives, © 2006 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc N.V.Nho, M.J Youn, Two – mode overmodulation in two – level VSI using principle control between limit trajectories, CD – ROM Proceedings PEDS 2003, pp.1274 – 1279 Tài liệu tham khảo 72 HVTH: Huỳnh Thị Tú Trinh S K L 0 ... modulation)28 3.3 Tổng thể mơ hình thực nghiệm thi công 33 CHƯƠNG MÔ PHỎNG VÀ THỰC NGHIỆM BỘ NGHỊCH LƯU ÁP MỘT PHA BA BẬC NPC 35 4.1 Mô nghịch lưu pha ba bậc NPC 35 4.1.1 Khảo sát... TS Nguyễn Văn Nhờ Thực nghiệm BNLA 1P 3B NPC CHƯƠNG CƠ SỞ LÝ THUYẾT VỀ BỘ NGHỊCH LƯU ÁP MỘT PHA BA BẬC NPC Tổng quan về nghịch lưu đa bậc 2.1 Khái niệm 2.1.1 Bộ nghịch lưu đa bậc có nhiệm vụ... pha ba bậc NPC 19 CHƯƠNG XÂY DỰNG MƠ HÌNH THỰC NGHIỆM CHO BỘ NGHỊCH LƯU ÁP MỘT PHA BA BẬC NPC 22 3.1 Sơ đồ tổng thể mơ hình thực nghiệm 22 3.2 Mô tả chi tiết mô hình thực nghiệm