Việc mở rộng quy mô của chất bán dẫn oxide metal bổ sung CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) đã dẫn đến lớp SiO2 (Silicon dioxide) được sử dụng làm điện môi cổng trở nên quá mỏng (~1.4 nm) làm cho dòng điện rò cổng quá lớn.
Đang tải... (xem toàn văn)
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Nội dung
Việc mở rộng quy mô của chất bán dẫn oxide metal bổ sung CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) đã dẫn đến lớp SiO2 (Silicon dioxide) được sử dụng làm điện môi cổng trở nên quá mỏng (~1.4 nm) làm cho dòng điện rò cổng quá lớn.
Ngày đăng: 27/11/2021, 10:49
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG
TÀI LIỆU LIÊN QUAN