Đăng ký
  1. Trang chủ
  2. » Giáo Dục - Đào Tạo

Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán

136 2 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Ngày đăng: 17/11/2021, 15:02

Xem thêm:

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.1. Đặc trưng hồi – đáp khí của cảm biến kiểu điện trở [1]. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 1.1. Đặc trưng hồi – đáp khí của cảm biến kiểu điện trở [1] (Trang 15)
rộng về phía hạt nano biến tính [Hình 1.2(c)]. Chiều dày lớp nghèo lúc này được tính theo công thức (4) và (5) [1]: - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
r ộng về phía hạt nano biến tính [Hình 1.2(c)]. Chiều dày lớp nghèo lúc này được tính theo công thức (4) và (5) [1]: (Trang 19)
Bảng 1.2. Đáp ứng khí của các dây nano oxit kim loại bán dẫn cấu trúc dị thể - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Bảng 1.2. Đáp ứng khí của các dây nano oxit kim loại bán dẫn cấu trúc dị thể (Trang 27)
Hình 1.9. (a) Đáp ứng khí của của dây nano SnO2 và cấu trúc SnO2/ZnO với 3 loại khí khử nồng độ 500 ppm, nhiệt độ 250oC; (b) Đáp ứng khí của cấu trúc SnO2 /ZnO tại các - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 1.9. (a) Đáp ứng khí của của dây nano SnO2 và cấu trúc SnO2/ZnO với 3 loại khí khử nồng độ 500 ppm, nhiệt độ 250oC; (b) Đáp ứng khí của cấu trúc SnO2 /ZnO tại các (Trang 29)
Hình 1.10. Độ nhạy khí H2S tại nhiệt độ 50 oC của của tấm nanoWO 3(a) và tấm nano WO3 biến tính bề mặt với hỗn hợp Au/SnO2 (b) [74]. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 1.10. Độ nhạy khí H2S tại nhiệt độ 50 oC của của tấm nanoWO 3(a) và tấm nano WO3 biến tính bề mặt với hỗn hợp Au/SnO2 (b) [74] (Trang 30)
Hình 1.11. Tính chất chọn lọc khí tại RT (a) và đáp ứng khí H2S theo nhiệt độ (b) của SnO2, NiO và SnO2/NiO [83]. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 1.11. Tính chất chọn lọc khí tại RT (a) và đáp ứng khí H2S theo nhiệt độ (b) của SnO2, NiO và SnO2/NiO [83] (Trang 32)
4 inch chúng tôi tạo được khoảng 400 chip điện cực. Mô hình chế tạo cảm biến dây nano SnO2 (Hình 2.2) gồm các bước (1) oxi hóa lớp Si để tạo SiO2; (2) phủ lớp cản quang; (3) quang khắc để tạo hình điện cực; (4) phủ lớp Pt để chế tạo điện cực răng lược; (5 - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
4 inch chúng tôi tạo được khoảng 400 chip điện cực. Mô hình chế tạo cảm biến dây nano SnO2 (Hình 2.2) gồm các bước (1) oxi hóa lớp Si để tạo SiO2; (2) phủ lớp cản quang; (3) quang khắc để tạo hình điện cực; (4) phủ lớp Pt để chế tạo điện cực răng lược; (5 (Trang 37)
Hình 2.3. Chu trình nhiệt chế tạo dây nano SnO2. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 2.3. Chu trình nhiệt chế tạo dây nano SnO2 (Trang 38)
Thiết kế của cảm biến cấu trúc dị thể SnO2/SMO được mô tả như trên Hình 2.4 - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
hi ết kế của cảm biến cấu trúc dị thể SnO2/SMO được mô tả như trên Hình 2.4 (Trang 40)
Hình 2.7. Sơ đồ nguyên lý hệ đo khí cho phương pháp đo động tại Viện ITIMS [1]. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 2.7. Sơ đồ nguyên lý hệ đo khí cho phương pháp đo động tại Viện ITIMS [1] (Trang 47)
Hình ảnh quan sát trên HRTEM độ phóng đại cao cho thấy các hạt nano Ag2O trên bề mặt dây nano SnO2 có kích thước 5 nm - Hình 3.2 (D) - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
nh ảnh quan sát trên HRTEM độ phóng đại cao cho thấy các hạt nano Ag2O trên bề mặt dây nano SnO2 có kích thước 5 nm - Hình 3.2 (D) (Trang 52)
Hình 3.6. Độ đáp ứng khí của các cảm biến S5 tại các nhiệt độ khác nhau đối với một số loại khí khác nhau. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 3.6. Độ đáp ứng khí của các cảm biến S5 tại các nhiệt độ khác nhau đối với một số loại khí khác nhau (Trang 58)
Hình 3.7. Độ ổn định của cảm biến trong 10 chu kỳ. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 3.7. Độ ổn định của cảm biến trong 10 chu kỳ (Trang 60)
Hình 3.9. Ảnh SEM của dây nano SnO2/NiO với các chiều dày lớp biến tính NiO khác nhau 3 nm (A, B); 5 nm (C, D) và 10 nm (E, F). - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 3.9. Ảnh SEM của dây nano SnO2/NiO với các chiều dày lớp biến tính NiO khác nhau 3 nm (A, B); 5 nm (C, D) và 10 nm (E, F) (Trang 65)
Hình 3.11. Ảnh TEM của dây nano SnO2 (A, B) và dây nano SnO2/NiO (C, D). - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 3.11. Ảnh TEM của dây nano SnO2 (A, B) và dây nano SnO2/NiO (C, D) (Trang 67)
Hình 3.15. Tính chọn lọc (A) và độ ổn định (B) của cảm biến dây nano SnO2/NiO-10 nm. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 3.15. Tính chọn lọc (A) và độ ổn định (B) của cảm biến dây nano SnO2/NiO-10 nm (Trang 72)
Bảng 3.2. Thống kê các nghiên cứu về cảm biến khí H2S. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Bảng 3.2. Thống kê các nghiên cứu về cảm biến khí H2S (Trang 73)
Hình 4.2. Giản đồ nhiễu xạ tia X của cấu trúc SnO2/ZnO –10 min. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 4.2. Giản đồ nhiễu xạ tia X của cấu trúc SnO2/ZnO –10 min (Trang 80)
Hình 4.4. So sánh độ đáp ứng khí H2S (0.25 - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 4.4. So sánh độ đáp ứng khí H2S (0.25 (Trang 83)
Hình 4.7. Độ đáp ứng với khí NH3, H2 và CO nồng độ 500ppm tại nhiệt độ 350 oC của mẫu SnO2/ZnO – 10 min. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 4.7. Độ đáp ứng với khí NH3, H2 và CO nồng độ 500ppm tại nhiệt độ 350 oC của mẫu SnO2/ZnO – 10 min (Trang 89)
Hình 4.8. Độ đáp ứng khí của cảm biến - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 4.8. Độ đáp ứng khí của cảm biến (Trang 90)
Hình 4.11. Độ nhạy khí NO2 tại nhiệt độ 200÷300 oC của của dây nano SnO2 và các cấu trúc SnO2/ZnO có bề dày vỏ ZnO mọc trong các thời gian 5;10;15 min. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 4.11. Độ nhạy khí NO2 tại nhiệt độ 200÷300 oC của của dây nano SnO2 và các cấu trúc SnO2/ZnO có bề dày vỏ ZnO mọc trong các thời gian 5;10;15 min (Trang 94)
Hình 4.12. Độ lặp lại của cảm biến SnO2/ZnO- 10 min đối với khí H2S-1 ppm tại 350 oC trong 11 chu kỳ. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 4.12. Độ lặp lại của cảm biến SnO2/ZnO- 10 min đối với khí H2S-1 ppm tại 350 oC trong 11 chu kỳ (Trang 95)
vật liệu cân bằng nhau. Kết quả một lớp nghèo điện tử được hình thành tại bề mặt tiếp xúc giữa SnO2 và ZnO, hàng rào dị thể bị uốn cong. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
v ật liệu cân bằng nhau. Kết quả một lớp nghèo điện tử được hình thành tại bề mặt tiếp xúc giữa SnO2 và ZnO, hàng rào dị thể bị uốn cong (Trang 96)
Hình 4.14. Sơ đồ mức năng lượng của cấu trúc SnO2/ZnO trước (a) và sau khi tiếp xúc khí khử H2S (b). - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 4.14. Sơ đồ mức năng lượng của cấu trúc SnO2/ZnO trước (a) và sau khi tiếp xúc khí khử H2S (b) (Trang 97)
Hình 4.17. Giản đồ nhiễu xạ tia X của cấu trúc SnO2/WO3. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 4.17. Giản đồ nhiễu xạ tia X của cấu trúc SnO2/WO3 (Trang 100)
Hình 4.17. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 4.17. (Trang 101)
nhất (với 0,1 ppm là 36/80 )– Bảng 3.1 so với các mẫu còn lại. Điều này chứng tỏ khả năng sử dụng cảm biến trong thực tế. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
nh ất (với 0,1 ppm là 36/80 )– Bảng 3.1 so với các mẫu còn lại. Điều này chứng tỏ khả năng sử dụng cảm biến trong thực tế (Trang 106)
Hình 4.22. Tính chọn lọc của cảm biến cấu trúc dây nano SnO2/WO3 – 5 nm tại 200oC. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Hình 4.22. Tính chọn lọc của cảm biến cấu trúc dây nano SnO2/WO3 – 5 nm tại 200oC (Trang 107)
Bảng 4.2 tóm tắt cmột số nghiên cứu gần đây về hiệu suất cảm biến của cảm biến khí H2S và NO2 dựa trên vật liệu dây nano SnO2 và cấu trúc dị thể SnO 2 / - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán
Bảng 4.2 tóm tắt cmột số nghiên cứu gần đây về hiệu suất cảm biến của cảm biến khí H2S và NO2 dựa trên vật liệu dây nano SnO2 và cấu trúc dị thể SnO 2 / (Trang 114)

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w