PhântíchvàthiếtkếmạchdaođộngsửdụngchươngtrìnhEWB I. MẠCHDAOĐỘNG ĐA HÀI PHI ỔN-BJT 1. Sơ đồ mắc mạch Tính Toán Lý Thuyết: Thời gian nạp điện vào hai tụ C1 và C2 để đưa điện thế từ -VCC lên 0.8 Volt là: T=T 1 +T 2 =R=0.7R B1 C 1 +0.7R B2 C 2 Với: R B1 =R B2 =140KΩ C 1 =C 2 =C=4.7µF R B1 ≥ βR C1 Điều kiện để T 1 và T 2 bảo hòa là: R B2 ≥ βR C2 Kết quả mạch tạo ra sóng vuông liên tục mà không cần xung kích từ ngoài vào. 2. Dạng sóng quan sát: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ Trang1 Phân tíchvàthiếtkế mạch daođộngsửdụngchươngtrìnhEWB II. MẠCH DI PHA BA KHÂU-BJT 1. Sơ đồ mắc mạch Tần số dao động: RC f 62 1 π = =722Hz và lượng đưa về hồi tiếp: − β = 29 1 lần. Kết quả mạch tạo ra hai hình sin lệch pha nhau một góc π. 2. Dạng sóng quan sát: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ Trang2 Phân tíchvàthiếtkế mạch daođộngsửdụngchươngtrìnhEWB III. MẠCHDAOĐỘNG COLPITS-BJT 1. Sơ đồ mắc mạch: Tần số daođộng của mạch: f 0 = LC π 2 1 =286Hz với 21 21 . CC CC C + = =0.477µF 2. Dạng sóng quan sát: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ Trang3 Phân tíchvàthiếtkế mạch daođộngsửdụngchươngtrìnhEWB IV. MẠCHDAOĐỘNG HARTLEY-BJT 1. Sơ đồ mắc mạch: 2. Dạng quan sát: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ Trang4 Phân tíchvàthiếtkế mạch daođộngsửdụngchươngtrìnhEWB V. MẠCHDAOĐỘNG HARTLEY-FET 1. Sơ đồ mắc mạch 2. Dạng quan sát: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ Trang5 Phân tíchvàthiếtkế mạch daođộngsửdụngchươngtrìnhEWB VI. DAOĐỘNG THẠCH ANH 1. Sơ đồ mắc mạch 2. Dạng sóng quan sát KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ Trang6 . Trang1 Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWB II. MẠCH DI PHA BA KHÂU-BJT 1. Sơ đồ mắc mạch Tần số dao động: RC f 62 1 π = =722Hz và. Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWB I. MẠCH DAO ĐỘNG ĐA HÀI PHI ỔN-BJT 1. Sơ đồ mắc mạch Tính Toán Lý Thuyết: