1. Trang chủ
  2. Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

95 4 0
Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

Ngày đăng: 11/07/2021, 16:56

Xem thêm:

Hình ảnh liên quan

Hình 2.2. Quỹ đạo trái đất quay quanh mặt trời - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Hình 2.2..

Quỹ đạo trái đất quay quanh mặt trời Xem tại trang 24 của tài liệu.
Hình 2.6. Góc nhìn mặt trời Như vậy: 242 /1353 100576267.5460*36032*14.3*2mW - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Hình 2.6..

Góc nhìn mặt trời Như vậy: 242 /1353 100576267.5460*36032*14.3*2mW Xem tại trang 27 của tài liệu.
Hình 2.9. Nhà máy điện mặt trời - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Hình 2.9..

Nhà máy điện mặt trời Xem tại trang 31 của tài liệu.
Bảng 2.3. Tiềm năng năng lượng mặt trời tại Việt Nam - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Bảng 2.3..

Tiềm năng năng lượng mặt trời tại Việt Nam Xem tại trang 36 của tài liệu.
có thể được biến đổi thành điện năng. Về cơ bản có 2 hình thức biến đổi: - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

c.

ó thể được biến đổi thành điện năng. Về cơ bản có 2 hình thức biến đổi: Xem tại trang 43 của tài liệu.
Mô hình đơn giản của PV được mô tả như sau, Hình 3.3. - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

h.

ình đơn giản của PV được mô tả như sau, Hình 3.3 Xem tại trang 44 của tài liệu.
Hình 3.7. Đặc tính PV có xét đến các ảnh hưởng của Rs và Rp - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Hình 3.7..

Đặc tính PV có xét đến các ảnh hưởng của Rs và Rp Xem tại trang 46 của tài liệu.
Hình 3.9. Đặc tính của module PV - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Hình 3.9..

Đặc tính của module PV Xem tại trang 47 của tài liệu.
Mảng PV được định nghĩa là việc kết nối nhiều module PV. Có 3 hình thức kết nối các module PV như: nối tiếp, song song và hổn hợp - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

ng.

PV được định nghĩa là việc kết nối nhiều module PV. Có 3 hình thức kết nối các module PV như: nối tiếp, song song và hổn hợp Xem tại trang 48 của tài liệu.
Hình thức này được sử dụng để nâng điện áp của hệ thống PV. - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Hình th.

ức này được sử dụng để nâng điện áp của hệ thống PV Xem tại trang 48 của tài liệu.
Hình thức này được sử dụng để nâng cả điện áp và cường độ dòng điện của hệ thống PV. - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Hình th.

ức này được sử dụng để nâng cả điện áp và cường độ dòng điện của hệ thống PV. Xem tại trang 49 của tài liệu.
Nhiệt độ PV càng cao thì Voc càng thấp, Hình 3.14. - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

hi.

ệt độ PV càng cao thì Voc càng thấp, Hình 3.14 Xem tại trang 50 của tài liệu.
Hình 3.15. Module PV vớ in PV trong trường hợp module không bị che khuất - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Hình 3.15..

Module PV vớ in PV trong trường hợp module không bị che khuất Xem tại trang 51 của tài liệu.
diễn như hình 3.18. - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

di.

ễn như hình 3.18 Xem tại trang 53 của tài liệu.
Hình 3.23. Hệ thống PV độc lập - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Hình 3.23..

Hệ thống PV độc lập Xem tại trang 56 của tài liệu.
Hình 3.24. Hệ thống PV kết hợp - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Hình 3.24..

Hệ thống PV kết hợp Xem tại trang 56 của tài liệu.
Hình 4.1. Quan hệ điện áp và dòng điện của PV - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Hình 4.1..

Quan hệ điện áp và dòng điện của PV Xem tại trang 61 của tài liệu.
Hình 4.3. Lưu đồ giải thuật P&O Thuyết minh lưu đồ giải thuật P&O: - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Hình 4.3..

Lưu đồ giải thuật P&O Thuyết minh lưu đồ giải thuật P&O: Xem tại trang 64 của tài liệu.
Hình 4.5. Giải thuật InC - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Hình 4.5..

Giải thuật InC Xem tại trang 66 của tài liệu.
Sơ đồ thuật toán điện áp không đổi được thể hiện như hình sau: - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Sơ đồ thu.

ật toán điện áp không đổi được thể hiện như hình sau: Xem tại trang 69 của tài liệu.
Lưu đồ giải thuật của thuật toán P&O cải tiến được biểu diễn như hình 4.9. - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

u.

đồ giải thuật của thuật toán P&O cải tiến được biểu diễn như hình 4.9 Xem tại trang 72 của tài liệu.
Hình 4.10. Sơ đồ khối phương pháp điều khiển MPPT sử dụng bộ bù PI - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Hình 4.10..

Sơ đồ khối phương pháp điều khiển MPPT sử dụng bộ bù PI Xem tại trang 74 của tài liệu.
Hình 4.11. Sơ đồ khối của phương pháp điều khiển trực tiếp MPPT Trong bộ biến đổi Boost, ta có: - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Hình 4.11..

Sơ đồ khối của phương pháp điều khiển trực tiếp MPPT Trong bộ biến đổi Boost, ta có: Xem tại trang 75 của tài liệu.
Hình 5.2. Sơ đồ mô phỏng điều khiển bám điểm công suất cực đại của hệ thống pin quang điện - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Hình 5.2..

Sơ đồ mô phỏng điều khiển bám điểm công suất cực đại của hệ thống pin quang điện Xem tại trang 79 của tài liệu.
Khi ấy, hình 5.3 cho thấy rằng: - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

hi.

ấy, hình 5.3 cho thấy rằng: Xem tại trang 80 của tài liệu.
Hình 5.5. Đặc tính V-I của pin quang điện RS - P61 8- 22 trong trường hợp nhiệt độ không đổi (t = 250C) và bức xạ mặt trời thay đổi (G = 1kW/m2  - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Hình 5.5..

Đặc tính V-I của pin quang điện RS - P61 8- 22 trong trường hợp nhiệt độ không đổi (t = 250C) và bức xạ mặt trời thay đổi (G = 1kW/m2  Xem tại trang 81 của tài liệu.
Hình 5.6. Đặc tính V-P của pin quang điện RS - P61 8- 22 trong trường hợp nhiệt độ không đổi (t = 250C) và bức xạ mặt trời thay đổi (G = 1kW/m2  - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Hình 5.6..

Đặc tính V-P của pin quang điện RS - P61 8- 22 trong trường hợp nhiệt độ không đổi (t = 250C) và bức xạ mặt trời thay đổi (G = 1kW/m2  Xem tại trang 82 của tài liệu.
Hình 5.13. Mô phỏng sự thay đổi nhanh của bức xạ mặt trời của pin quang điện RS - P618 - 22 - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Hình 5.13..

Mô phỏng sự thay đổi nhanh của bức xạ mặt trời của pin quang điện RS - P618 - 22 Xem tại trang 86 của tài liệu.
Hình 5.17. Mô phỏng sự tăng và giảm của bức xạ mặt trời của pin quang điện RS - P618 - 22 - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

Hình 5.17..

Mô phỏng sự tăng và giảm của bức xạ mặt trời của pin quang điện RS - P618 - 22 Xem tại trang 89 của tài liệu.

Tài liệu cùng người dùng

  • Đang cập nhật ...

Tài liệu liên quan