1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời

95 4 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 95
Dung lượng 2,5 MB

Nội dung

Ngày đăng: 11/07/2021, 16:56

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 2.2. Quỹ đạo trái đất quay quanh mặt trời - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Hình 2.2. Quỹ đạo trái đất quay quanh mặt trời (Trang 24)
Hình 2.6. Góc nhìn mặt trời Như vậy:  242 /1353 100576267.5460*36032*14.3*2mW - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Hình 2.6. Góc nhìn mặt trời Như vậy: 242 /1353 100576267.5460*36032*14.3*2mW (Trang 27)
Hình 2.9. Nhà máy điện mặt trời - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Hình 2.9. Nhà máy điện mặt trời (Trang 31)
Bảng 2.3. Tiềm năng năng lượng mặt trời tại Việt Nam - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Bảng 2.3. Tiềm năng năng lượng mặt trời tại Việt Nam (Trang 36)
có thể được biến đổi thành điện năng. Về cơ bản có 2 hình thức biến đổi: - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
c ó thể được biến đổi thành điện năng. Về cơ bản có 2 hình thức biến đổi: (Trang 43)
Mô hình đơn giản của PV được mô tả như sau, Hình 3.3. - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
h ình đơn giản của PV được mô tả như sau, Hình 3.3 (Trang 44)
Hình 3.7. Đặc tính PV có xét đến các ảnh hưởng của Rs và Rp - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Hình 3.7. Đặc tính PV có xét đến các ảnh hưởng của Rs và Rp (Trang 46)
Hình 3.9. Đặc tính của module PV - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Hình 3.9. Đặc tính của module PV (Trang 47)
Mảng PV được định nghĩa là việc kết nối nhiều module PV. Có 3 hình thức kết nối các module PV như: nối tiếp, song song và hổn hợp - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
ng PV được định nghĩa là việc kết nối nhiều module PV. Có 3 hình thức kết nối các module PV như: nối tiếp, song song và hổn hợp (Trang 48)
Hình thức này được sử dụng để nâng điện áp của hệ thống PV. - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Hình th ức này được sử dụng để nâng điện áp của hệ thống PV (Trang 48)
Hình thức này được sử dụng để nâng cả điện áp và cường độ dòng điện của hệ thống PV.  - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Hình th ức này được sử dụng để nâng cả điện áp và cường độ dòng điện của hệ thống PV. (Trang 49)
Nhiệt độ PV càng cao thì Voc càng thấp, Hình 3.14. - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
hi ệt độ PV càng cao thì Voc càng thấp, Hình 3.14 (Trang 50)
Hình 3.15. Module PV vớ in PV trong trường hợp module không bị che khuất - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Hình 3.15. Module PV vớ in PV trong trường hợp module không bị che khuất (Trang 51)
diễn như hình 3.18. - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
di ễn như hình 3.18 (Trang 53)
Hình 3.23. Hệ thống PV độc lập - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Hình 3.23. Hệ thống PV độc lập (Trang 56)
Hình 3.24. Hệ thống PV kết hợp - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Hình 3.24. Hệ thống PV kết hợp (Trang 56)
Hình 4.1. Quan hệ điện áp và dòng điện của PV - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Hình 4.1. Quan hệ điện áp và dòng điện của PV (Trang 61)
Hình 4.3. Lưu đồ giải thuật P&O Thuyết minh lưu đồ giải thuật P&O:  - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Hình 4.3. Lưu đồ giải thuật P&O Thuyết minh lưu đồ giải thuật P&O: (Trang 64)
Hình 4.5. Giải thuật InC - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Hình 4.5. Giải thuật InC (Trang 66)
Sơ đồ thuật toán điện áp không đổi được thể hiện như hình sau: - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Sơ đồ thu ật toán điện áp không đổi được thể hiện như hình sau: (Trang 69)
Lưu đồ giải thuật của thuật toán P&O cải tiến được biểu diễn như hình 4.9. - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
u đồ giải thuật của thuật toán P&O cải tiến được biểu diễn như hình 4.9 (Trang 72)
Hình 4.10. Sơ đồ khối phương pháp điều khiển MPPT sử dụng bộ bù PI     - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Hình 4.10. Sơ đồ khối phương pháp điều khiển MPPT sử dụng bộ bù PI (Trang 74)
Hình 4.11. Sơ đồ khối của phương pháp điều khiển trực tiếp MPPT Trong bộ biến đổi Boost, ta có:   - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Hình 4.11. Sơ đồ khối của phương pháp điều khiển trực tiếp MPPT Trong bộ biến đổi Boost, ta có: (Trang 75)
Hình 5.2. Sơ đồ mô phỏng điều khiển bám điểm công suất cực đại của hệ thống pin quang điện  - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Hình 5.2. Sơ đồ mô phỏng điều khiển bám điểm công suất cực đại của hệ thống pin quang điện (Trang 79)
Khi ấy, hình 5.3 cho thấy rằng: - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
hi ấy, hình 5.3 cho thấy rằng: (Trang 80)
Hình 5.5. Đặc tính V-I của pin quang điện RS - P61 8- 22 trong trường hợp nhiệt độ không đổi (t = 250C) và bức xạ mặt trời thay đổi (G = 1kW/m2   - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Hình 5.5. Đặc tính V-I của pin quang điện RS - P61 8- 22 trong trường hợp nhiệt độ không đổi (t = 250C) và bức xạ mặt trời thay đổi (G = 1kW/m2  (Trang 81)
Hình 5.6. Đặc tính V-P của pin quang điện RS - P61 8- 22 trong trường hợp nhiệt độ không đổi (t = 250C) và bức xạ mặt trời thay đổi (G = 1kW/m2   - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Hình 5.6. Đặc tính V-P của pin quang điện RS - P61 8- 22 trong trường hợp nhiệt độ không đổi (t = 250C) và bức xạ mặt trời thay đổi (G = 1kW/m2  (Trang 82)
Hình 5.13. Mô phỏng sự thay đổi nhanh của bức xạ mặt trời của pin quang điện RS - P618 - 22  - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Hình 5.13. Mô phỏng sự thay đổi nhanh của bức xạ mặt trời của pin quang điện RS - P618 - 22 (Trang 86)
Hình 5.17. Mô phỏng sự tăng và giảm của bức xạ mặt trời của pin quang điện RS - P618 - 22  - Nghiên cứu điều khiển bám điểm công suất cực đại của một hệ pin mặt trời
Hình 5.17. Mô phỏng sự tăng và giảm của bức xạ mặt trời của pin quang điện RS - P618 - 22 (Trang 89)

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w