1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Chế tạo và nghiên cứu vật liệu ô xít kim loại có kích thước nanomét sử dụng trong pin mặt trời

72 22 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Chế Tạo Và Nghiên Cứu Vật Liệu Ô Xít Kim Loại Có Kích Thước Nanomét Sử Dụng Trong Pin Mặt Trời
Tác giả Nguyễn Văn Hiếu
Người hướng dẫn TS. Phạm Nguyên Hải
Trường học Đại Học Quốc Gia Hà Nội
Chuyên ngành Vật Lý Chất Rắn
Thể loại Luận Văn Thạc Sĩ Khoa Học
Năm xuất bản 2012
Thành phố Hà Nội
Định dạng
Số trang 72
Dung lượng 2,22 MB

Nội dung

Ngày đăng: 05/07/2021, 07:50

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
[1] Nguyễn Việt Tuyên, Tạ Đình Cảnh, Trần Thị Quỳnh Hoa, Màng mỏng ZnO pha tạp Nitơ và Phốt pho loại p chế tạo bằng phương pháp phún xạ rf. magnetron, Tuyển tập các báo cáo tại hội nghị vật lý chất rắn tòan quốc, Vũng tàu (2007), 342 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Màng mỏng ZnO pha tạp Nitơ và Phốt pho loại p chế tạo bằng phương pháp phún xạ rf. magnetron
Tác giả: Nguyễn Việt Tuyên, Tạ Đình Cảnh, Trần Thị Quỳnh Hoa, Màng mỏng ZnO pha tạp Nitơ và Phốt pho loại p chế tạo bằng phương pháp phún xạ rf. magnetron, Tuyển tập các báo cáo tại hội nghị vật lý chất rắn tòan quốc, Vũng tàu
Năm: 2007
[2] Lê Văn Vũ, Giỏo trỡnh cấu trỳc và phõn tớch cấu trỳc vật liệu, 12/2004,. Đại học Khoa học Tự nhiên Hà nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Giỏo trỡnh cấu trỳc và phõn tớch cấu trỳc vật liệu
[3] Trần Hữu Nghị, Luận án Thạc sĩ “Chế tạo màng dẫn điện trong suốt ZnO:Al bằng phương pháp phún xạ magnetron DC có diện tích đế lớn (1m 1,5 m)”, Đại học khoa học Tự nhiên – ĐH Quốc gia Thành phố Hồ Chí Minh, 2006 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Chế tạo màng dẫn điện trong suốt ZnO:Al bằng phương pháp phún xạ magnetron DC có diện tích đế lớn (1m 1,5 m)
[4] Nguyễn Thị Minh Hạnh, “Tổng hợp ZnO, ZnO pha tạp Eu ở dạng tinh thể nano bằng ph-ơng pháp sol-gen và nghiên cứu tính chất phổ huỳnh quang của chúng”, Luận văn tốt nghiệp 2001, và cỏc tài liệu tham khảo kốm theo Sách, tạp chí
Tiêu đề: Tổng hợp ZnO, ZnO pha tạp Eu ở dạng tinh thể nano bằng ph-ơng pháp sol-gen và nghiên cứu tính chất phổ huỳnh quang của chúng
[7] Shrestha S. P., Ghimire R., Nakarmi J.J., Kim Y.S., Shrestha S., Park C.Y., Boo J.H., Properties of ZnO:Al Films Prepared by Spin Coating of Aged Precursor Solution, Bull. Korean Chem. Soc. 2010, Vol. 31, No. 1, 112 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Properties of ZnO:Al Films Prepared by Spin Coating of Aged Precursor Solution
[8] Nguyen Duy Phuong, Ta Dinh Canh, Nguyen Ngoc Long, Nguyen Hong Viet, Preparation of transparent conducting ZnO:Al films on glass substrates by r.f.magnetron sputtering, VNU. Journal of Science, Mathematics- Physics, T.XVIII Sách, tạp chí
Tiêu đề: Preparation of transparent conducting ZnO:Al films on glass substrates by r.f. "magnetron sputtering
[9] Zhang C., Jiang Z., Wu Z., Chen J., Yan P., Wang J., “Structural and Optical Properties of Dy Doped ZnO Film Grown by RF Magnetic Sputter”, Advanced Materials Research Vols. 97-101 (2010), 11 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Structural and Optical Properties of Dy Doped ZnO Film Grown by RF Magnetic Sputt"er
Tác giả: Zhang C., Jiang Z., Wu Z., Chen J., Yan P., Wang J., “Structural and Optical Properties of Dy Doped ZnO Film Grown by RF Magnetic Sputter”, Advanced Materials Research Vols. 97-101
Năm: 2010
[10] Shan F. K., Liu G. X., Liu Z. F., Lee W. J., “Optical Characterizations of ZnO Thin Films on Si (100) Substrates Deposited by Pulsed Laser Deposition”, Journal of the Korean Physical Society, Vol. 45, December 2004, S771 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Optical Characterizations of ZnO Thin Films on Si (100) Substrates Deposited by Pulsed Laser Deposition
[11] Kim M.S., Yim K.G., Kim D.Y., Kim S., “Growth and Characterization of Seed Layer-Free ZnO Thin Films Deposited on Porous Silicon by Hydrothermal Method”, Electronic Materials Letters, Vol. 8, No. 1 (2012), 75 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Growth and Characterization of Seed Layer-Free ZnO Thin Films Deposited on Porous Silicon by Hydrothermal Method
Tác giả: Kim M.S., Yim K.G., Kim D.Y., Kim S., “Growth and Characterization of Seed Layer-Free ZnO Thin Films Deposited on Porous Silicon by Hydrothermal Method”, Electronic Materials Letters, Vol. 8, No. 1
Năm: 2012
[12] Schiffer P., Ramirez A. P., Bao W., Cheong S. W. (1995), “ Low Temperature Magnetoresistance and the Magnetic Phase Diagram of La 1-x Ca x MnO 3 ”, Phys. Rev.Lett. 75, pp. 3336-3339 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Low Temperature Magnetoresistance and the Magnetic Phase Diagram of La1-xCaxMnO3”, "Phys. Rev
Tác giả: Schiffer P., Ramirez A. P., Bao W., Cheong S. W
Năm: 1995
[13] Hirata G. A., McKittrick J., Siqueiros J., Lopez O. A., Cheeks T., Contreras O., Yi J. Y. (1996), “ High transmittance - Low resistivity ZnO:Ga films by laser ablation”, Department of Applied Mechanics and Engineering Sciences and Materials Science Program, University of California–San Diego, La Jolla, California 92093-0411 Sách, tạp chí
Tiêu đề: High transmittance - Low resistivity ZnO:Ga films by laser ablation”
Tác giả: Hirata G. A., McKittrick J., Siqueiros J., Lopez O. A., Cheeks T., Contreras O., Yi J. Y
Năm: 1996
[14] Fang G., Li D., Yao B. L. (2003), “Fabrication and characterization of transparent conductive ZnO:Al thin films prepared by direct current magnetron sputtering with highly conductive ZnO(ZnAl 2 O 4 ) ceramic target”, Journal of Crystal Growth 247 (2003) 393–400 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Fabrication and characterization of transparent conductive ZnO:Al thin films prepared by direct current magnetron sputtering with highly conductive ZnO(ZnAl2O4) ceramic target”
Tác giả: Fang G., Li D., Yao B. L
Năm: 2003
(2004), “Material Study on Reactively Sputtered Zinc Oxide for Thin Film Silicon Solar Cells”, Proceedings of the 5th ICCG, Saarbruecken, 2004 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Material Study on Reactively Sputtered Zinc Oxide for Thin Film Silicon Solar Cells”
[6] Zinc Oxide: Fundamentals, Materials and Device Technology. Hadis Morkoỗ and ĩmit ệzgur, 2009 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim, 2009 Khác

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Bảng 2.1: Điều kiện xử lý nhiệt bia ZnO và ZnO:Al (~1%) trong lũ nung ộp mẫu đẳng tĩnh trong mụi trường khớ Ar - Chế tạo và nghiên cứu vật liệu ô xít kim loại có kích thước nanomét sử dụng trong pin mặt trời
Bảng 2.1 Điều kiện xử lý nhiệt bia ZnO và ZnO:Al (~1%) trong lũ nung ộp mẫu đẳng tĩnh trong mụi trường khớ Ar (Trang 31)
Bảng 3.1. Kết quả tớnh hằng số mạng tinh thể của cỏc mẫu nộn ZnO và ZnO:Al trong một số điều kiện xử lý mẫu - Chế tạo và nghiên cứu vật liệu ô xít kim loại có kích thước nanomét sử dụng trong pin mặt trời
Bảng 3.1. Kết quả tớnh hằng số mạng tinh thể của cỏc mẫu nộn ZnO và ZnO:Al trong một số điều kiện xử lý mẫu (Trang 46)
Bảng 3.2: Giỏ trị hằng số mạng của cỏc màng ZnO tại cỏc nhiệt độ đế khỏc nhau. (100), (002), (101), (102), (110) và (103) của mạng tinh thể ZnO, thể hiện cấu trỳc   đa  tinh  thể  của  cỏc  màng - Chế tạo và nghiên cứu vật liệu ô xít kim loại có kích thước nanomét sử dụng trong pin mặt trời
Bảng 3.2 Giỏ trị hằng số mạng của cỏc màng ZnO tại cỏc nhiệt độ đế khỏc nhau. (100), (002), (101), (102), (110) và (103) của mạng tinh thể ZnO, thể hiện cấu trỳc đa tinh thể của cỏc màng (Trang 55)
Bảng 3.3: Giỏ trị hằng số mạng của cỏc màng ZnO:Al tại cỏc nhiệt độ đế khỏc nhau.  - Chế tạo và nghiên cứu vật liệu ô xít kim loại có kích thước nanomét sử dụng trong pin mặt trời
Bảng 3.3 Giỏ trị hằng số mạng của cỏc màng ZnO:Al tại cỏc nhiệt độ đế khỏc nhau. (Trang 56)

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w