Đăng nhập

Hãy chọn một cách để đăng nhập

Hoặc tiếp tục với email

Nhớ mật khẩu

Chưa có tài khoản? Đăng ký

Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp

60 11 0

Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

1

/ 60 trang

Thông tin tài liệu

Ngày đăng: 05/07/2021, 07:48

Xem thêm:

Hình ảnh liên quan

Hình 1.1. Các thành phần tán xạ thu đƣợc sau khi cho ánh sáng kích thích đến mẫu [2]. - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 1.1..
Các thành phần tán xạ thu đƣợc sau khi cho ánh sáng kích thích đến mẫu [2]. Xem tại trang 11 của tài liệu.

Hình 1.3: Cơ chế tăng cƣờng của SERS [4] - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 1.3.
Cơ chế tăng cƣờng của SERS [4] Xem tại trang 13 của tài liệu.

Hình 1.5: Quy trình ăn mòn để tạo ra lớp xốp bằng phƣơng pháp MACE [25] - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 1.5.
Quy trình ăn mòn để tạo ra lớp xốp bằng phƣơng pháp MACE [25] Xem tại trang 20 của tài liệu.

Hình 1.9. Đƣờng chuẩn xác định từ các phổ Raman [18] - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 1.9..
Đƣờng chuẩn xác định từ các phổ Raman [18] Xem tại trang 25 của tài liệu.

Bảng 1.1. Độ lệch chuẩn tƣơng đối (RSD) tại đỉnh 1424 cm-1 của 4- 4-(5/azobenzotriazol)aminonapthalen 10-8 M với dung dịch keo bạc [22] Tác nhân tổng hợp RSD (5 phổ của một - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Bảng 1.1..
Độ lệch chuẩn tƣơng đối (RSD) tại đỉnh 1424 cm-1 của 4- 4-(5/azobenzotriazol)aminonapthalen 10-8 M với dung dịch keo bạc [22] Tác nhân tổng hợp RSD (5 phổ của một Xem tại trang 26 của tài liệu.

Hình 1.11: Phổ tán xạ Raman của Carbendazim- (a) Trong pha rắn, (b) Tán xạ Raman tăng cƣờng bề mặt - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 1.11.
Phổ tán xạ Raman của Carbendazim- (a) Trong pha rắn, (b) Tán xạ Raman tăng cƣờng bề mặt Xem tại trang 28 của tài liệu.

Chúng tôi sử dụng một số hóa chất và nguyên liệu được liệt kê trên bảng dưới đây - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — h.
úng tôi sử dụng một số hóa chất và nguyên liệu được liệt kê trên bảng dưới đây Xem tại trang 30 của tài liệu.

Hình 2.2 Quá trình làm sạch đế Si - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 2.2.
Quá trình làm sạch đế Si Xem tại trang 31 của tài liệu.

Hình 2. 3: Máy phún xạ JEOL JFC-1200 trong phòng thí nghiệm SEM của Trung tâm khoa học vật liệu - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 2..
3: Máy phún xạ JEOL JFC-1200 trong phòng thí nghiệm SEM của Trung tâm khoa học vật liệu Xem tại trang 32 của tài liệu.

Hình 2.4: Nguyên lí hoạt động chung của phƣơng pháp phún xạ [26]. - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 2.4.
Nguyên lí hoạt động chung của phƣơng pháp phún xạ [26] Xem tại trang 33 của tài liệu.

Hình 2.5 lò Chida cd 1600x trong phòng Xử lý nhiệt tại Trung tâm khoa học vật liệu - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 2.5.
lò Chida cd 1600x trong phòng Xử lý nhiệt tại Trung tâm khoa học vật liệu Xem tại trang 34 của tài liệu.

Hình 2.9. Nguyên lí tán sắc năng lƣợng (EDS) - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 2.9..
Nguyên lí tán sắc năng lƣợng (EDS) Xem tại trang 37 của tài liệu.

Hình 2.10: Nguyên lý nhiễu xạ ti aX - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 2.10.
Nguyên lý nhiễu xạ ti aX Xem tại trang 39 của tài liệu.

Hình 3.1 Ảnh SEM đế Si xốp và đế Si xốp phủ các hạt nano Pt lần lƣợt độ dày 8nm, 15nm, 40nm và 60nm - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 3.1.
Ảnh SEM đế Si xốp và đế Si xốp phủ các hạt nano Pt lần lƣợt độ dày 8nm, 15nm, 40nm và 60nm Xem tại trang 41 của tài liệu.

Hình 3.2: Ảnh SEM đế Si xốp ban đầu (a) và đế Si xốp phủ Au lần lƣợt vời bề dày 15nm, 18nm, 23nm. - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 3.2.
Ảnh SEM đế Si xốp ban đầu (a) và đế Si xốp phủ Au lần lƣợt vời bề dày 15nm, 18nm, 23nm Xem tại trang 42 của tài liệu.

Hình 3.4 Phổ EDS của đế Si xốp - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 3.4.
Phổ EDS của đế Si xốp Xem tại trang 45 của tài liệu.

Các hình 3.5-3.6 là phổ EDS của các mẫu Silic xốp phún xạ Pt tại dòng 30mA với bề dày 8nm và 15nm - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — c.
hình 3.5-3.6 là phổ EDS của các mẫu Silic xốp phún xạ Pt tại dòng 30mA với bề dày 8nm và 15nm Xem tại trang 45 của tài liệu.

Hình 3.7 Phổ EDS của mẫu Si xốp phủ Au 10nm - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 3.7.
Phổ EDS của mẫu Si xốp phủ Au 10nm Xem tại trang 46 của tài liệu.

Hình 3.6: Phổ EDS của mấu Si xốp phủ Pt 15nm - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 3.6.
Phổ EDS của mấu Si xốp phủ Pt 15nm Xem tại trang 46 của tài liệu.

Hình 3.8: Phổ EDS của mẫu Si xốp phủ Au 10nm và 15nm - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 3.8.
Phổ EDS của mẫu Si xốp phủ Au 10nm và 15nm Xem tại trang 47 của tài liệu.

Hình 3.9: Phổ phản xạ (a) và phổ hấp thụ (hàm Kubelka-Munk, b) của đế Si xốp và đế Si xốp phủ nano Ag - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 3.9.
Phổ phản xạ (a) và phổ hấp thụ (hàm Kubelka-Munk, b) của đế Si xốp và đế Si xốp phủ nano Ag Xem tại trang 47 của tài liệu.

Phổ XRD của đế Si xốp Au và đế Si xốp phủ Ag được thể hiện trên hình 3.10. - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — h.
ổ XRD của đế Si xốp Au và đế Si xốp phủ Ag được thể hiện trên hình 3.10 Xem tại trang 49 của tài liệu.

Hình 3.1 1: Đồ thị khảo sát Raman trên vật liệu Pt - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 3.1.
1: Đồ thị khảo sát Raman trên vật liệu Pt Xem tại trang 50 của tài liệu.

Hình 3.12:Phổ tán xạ Raman trên đế Silic xốp và Đế Silic xốp có phủ Au - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 3.12.
Phổ tán xạ Raman trên đế Silic xốp và Đế Silic xốp có phủ Au Xem tại trang 51 của tài liệu.

Hình: 3.13 Phổ Raman của Carbendazim trên đế silic xốp phủ Au 18nm. - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — nh.
3.13 Phổ Raman của Carbendazim trên đế silic xốp phủ Au 18nm Xem tại trang 52 của tài liệu.

Hình 3.14 Phổ Raman của Carbendazim tại nồng độ 10ppm và 100ppm - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 3.14.
Phổ Raman của Carbendazim tại nồng độ 10ppm và 100ppm Xem tại trang 53 của tài liệu.

Hình 3.15 :Phổ tán xạ Raman của Carbendazim trên đế Silic xốp phủ Ag - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 3.15.
Phổ tán xạ Raman của Carbendazim trên đế Silic xốp phủ Ag Xem tại trang 54 của tài liệu.

Hình 3.16 :Phổ SERScủa mẫu có nồng độ Carbendazim 1ppm/đế phủ Ag dày - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 3.16.
Phổ SERScủa mẫu có nồng độ Carbendazim 1ppm/đế phủ Ag dày Xem tại trang 54 của tài liệu.

Hình 3.17. So sánh phổ Raman của Carbendazim nhỏ trên trên 3 loại đế phủ Pt, Au và Ag - Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp — Hình 3.17..
So sánh phổ Raman của Carbendazim nhỏ trên trên 3 loại đế phủ Pt, Au và Ag Xem tại trang 55 của tài liệu.

Từ khóa liên quan

Tài liệu cùng người dùng

Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp Chế tạo đế SERS tán xạ raman tăng cường bề mặt để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp
60 6 0
Nghiên cứu tính chất tán xạ raman tăng cường bề mặt của các mảng hạt nano bạc trên đế silic chế tạo bằng phương pháp lắng đọng điện hóa Nghiên cứu tính chất tán xạ raman tăng cường bề mặt của các mảng hạt nano bạc trên đế silic chế tạo bằng phương pháp lắng đọng điện hóa
64 16 0
Nghiên cứu chế tạo cấu trúc nano kim loại bằng kĩ thuật ăn mòn laser dùng cho quang phổ tán xạ raman tăng cường bề mặt và khảo sát một số ứng dụng trong y sinh Nghiên cứu chế tạo cấu trúc nano kim loại bằng kĩ thuật ăn mòn laser dùng cho quang phổ tán xạ raman tăng cường bề mặt và khảo sát một số ứng dụng trong y sinh
184 21 0
Nghiên cứu chế tạo các cấu trúc nano bạc dị hướng nhằm ứng dụng trong tán xạ raman tăng cường bề mặt Nghiên cứu chế tạo các cấu trúc nano bạc dị hướng nhằm ứng dụng trong tán xạ raman tăng cường bề mặt
75 14 0
Nghiên cứu chế tạo cấu trúc nano kim loại bằng kĩ thuật ăn mòn laser dùng cho quang phổ tán xạ raman tăng cường bề mặt và khảo sát một số ứng dụng trong y sinh Nghiên cứu chế tạo cấu trúc nano kim loại bằng kĩ thuật ăn mòn laser dùng cho quang phổ tán xạ raman tăng cường bề mặt và khảo sát một số ứng dụng trong y sinh
184 7 0
Luận văn thạc sĩ giải pháp tăng cường quản lý việc sử dụng thuốc bảo vệ thực vật trên cây lúa huyện sông lô tỉnh vĩnh phúc Luận văn thạc sĩ giải pháp tăng cường quản lý việc sử dụng thuốc bảo vệ thực vật trên cây lúa huyện sông lô tỉnh vĩnh phúc
149 16 0

Tài liệu liên quan

Chế tạo đế SERS (tán xạ raman tăng cường bề mặt) để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp Chế tạo đế SERS (tán xạ raman tăng cường bề mặt) để phát hiện chất bảo vệ thực vật nồng độ thấp
60 403 2
Nghiên cứu chế tạo các hạt nano bạc bằng phương pháp lắng đọng hóa học và điện hóa để sử dụng làm đế tán xạ raman tăng cường bề mặt (SERS) Nghiên cứu chế tạo các hạt nano bạc bằng phương pháp lắng đọng hóa học và điện hóa để sử dụng làm đế tán xạ raman tăng cường bề mặt (SERS)
68 643 6
Nghiên cứu tính chất tán xạ raman tăng cường bề mặt của các mảng hạt nano bạc trên đế silic chế tạo bằng phương pháp lắng đọng điện hóa (Luận văn thạc sĩ) Nghiên cứu tính chất tán xạ raman tăng cường bề mặt của các mảng hạt nano bạc trên đế silic chế tạo bằng phương pháp lắng đọng điện hóa (Luận văn thạc sĩ)
64 305 0
Nghiên cứu tính chất tán xạ raman tăng cường bề mặt của các mảng hạt nano bạc trên đế silic chế tạo bằng phương pháp lắng đọng điện hóa Nghiên cứu tính chất tán xạ raman tăng cường bề mặt của các mảng hạt nano bạc trên đế silic chế tạo bằng phương pháp lắng đọng điện hóa
74 322 0
Nghiên cứu tính chất tán xạ raman tăng cường bề mặt của các mảng hạt nano bạc trên đế silic chế tạo bằng phương pháp lắng đọng điện hóa Nghiên cứu tính chất tán xạ raman tăng cường bề mặt của các mảng hạt nano bạc trên đế silic chế tạo bằng phương pháp lắng đọng điện hóa
64 115 1
Chế tạo, nghiên cứu tính chất quang và định hướng ứng dụng trong tán xạ raman tăng cường bề mặt của các hệ dây nanô silic xếp thẳng hàng Chế tạo, nghiên cứu tính chất quang và định hướng ứng dụng trong tán xạ raman tăng cường bề mặt của các hệ dây nanô silic xếp thẳng hàng
187 725 4
Chế tạo, nghiên cứu tính chất quang và định hướng ứng dụng trong tán xạ raman tăng cường bề mặt của các hệ dây nanô silic xếp thẳng hàng (TT) Chế tạo, nghiên cứu tính chất quang và định hướng ứng dụng trong tán xạ raman tăng cường bề mặt của các hệ dây nanô silic xếp thẳng hàng (TT)
27 528 1
Nghiên cứu chế tạo các cấu trúc nano bạc dị hướng nhằm ứng dụng trong tán xạ raman tăng cường bề mặt Nghiên cứu chế tạo các cấu trúc nano bạc dị hướng nhằm ứng dụng trong tán xạ raman tăng cường bề mặt
107 249 0