Nghiên cứu chế tạo diode phát quang sử dụng chấm lượng tử bán dẫn q led

ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC ĐINH QUANG CHÍNH NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO DIODE PHÁT QUANG SỬ DỤNG CHẤM LƯỢNG TỬ BÁN DẪN (Q-LED) LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ THÁI NGUYÊN - 2020 ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC ĐINH QUANG CHÍNH NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO DIODE PHÁT QUANG SỬ DỤNG CHẤM LƯỢNG TỬ BÁN DẪN (Q-LED) Ngành: Quang học Mã số: 8440110 LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ Cán hướng dẫn khoa học: TS TRẦN THỊ KIM CHI TS NGUYỄN XUÂN CA THÁI NGUYÊN - 2020 i LỜI CẢM ƠN Đầu tiên, cho phép em gửi lời cảm ơn chân thành sâu sắc tới TS Trần Thị Kim Chi TS Nguyễn Xuân Ca người trực tiếp hướng dẫn khoa học, bảo tận tình tạo điều kiện tốt giúp em suốt trình nghiên cứu thực luận văn Xin cảm ơn tạo điều kiện thiết bị, phịng thí nghiệm Phịng Hiển vi điện tử, Phịng Thí nghiệm Trọng điểm - Viện Khoa học vật liệu Em xin gửi lời cảm ơn đến thầy giáo Khoa Vật lí Trường Đại học Khoa học Thái Nguyên dạy dỗ trang bị cho e tri thức khoa học tạo điều kiện học tập thuận lợi cho em suốt thời gian qua Cuối xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tình yêu thương tới gia đình bạn bè - nguồn động viên quan trọng mặt tinh thần vật chất giúp tơi có điều kiện học nghiên cứu khoa học ngày hôm Xin trân trọng cảm ơn! Thái Nguyên, ngày 24 tháng 11 năm 2020 Học viên Đinh Quang Chính ii MỤC LỤC LỜI CẢM ƠN i MỤC LỤC ii DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT iv DANH MỤC CÁC BẢNG v DANH MỤC CÁC HÌNH vi MỞ ĐẦU CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ TÌNH HÌNH NGHIÊN CỨU Q-LED 1.1 Sự phát triển chiếu sáng 1.2 Cấu tạo nguyên lý hoạt động LED 1.3 Cấu tạo nguyên lý hoạt động OLED 1.4 Cấu tạo nguyên lý hoạt động Q-LED 12 1.5 Tình hình nghiên cứu Q-LED 14 1.5.1 Tình hình nghiên cứu giới 14 1.5.2 Tình hình nghiên cứu nước 16 CHƯƠNG 2: CÁC PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM 18 2.1 Phương pháp chế tạo 18 2.1.1 Phương pháp quay phủ ly tâm (Spin Coating) 18 2.1.2 Phương pháp bốc bay nhiệt 19 2.1.3 Phương pháp hóa học chế tạo chấm lượng tử 21 2.1.4 Phương pháp phún xạ 22 2.2 Phương pháp phân tích 23 2.2.1 Ảnh vi hình thái AFM 23 2.2.2 Phép đo tính chất điện 24 2.2.3 Phép đo tính chất quang 26 CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 30 3.1 Điện cực 30 iii 3.1.1 Điện cực dương (Anốt): 31 3.1.2 Điện cực âm (Catốt) 32 3.2 Các lớp Q-LED 33 3.2.1 Lớp tiêm lỗ trống 33 3.2.2 Lớp truyền lỗ trống 37 3.2.3 Lớp phát quang 39 3.2.4 Lớp truyền điện tử 45 3.3 Hồn thiện qui trình nghiên cứu chế tạo Q-LED qui mơ phịng thí nghiệm 46 KẾT LUẬN 49 TÀI LIỆU THAM KHẢO 50 iv DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT GaAs Gali Arsenua Alq3 Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium EL Emission Layer (Lớp phát quang) ETL Electron Transport Layer (Lớp truyền điện tử) HOMO Highest Occupied Molecular Orbital (Qũy đạo phân tử điền đầy cao nhất) HTL Hole Transport Layer (Lớp truyền lỗ trống) LED Light Emitting Diode (Diode phát quang) LUMO Lowest Unoccupied Molecular Orbital (Quỹ đạo phân tử chưa điền đầy thấp nhất) OLED Organic Light Emitting Diode (Diode phát quang hữu cơ) PEDOT Polyethylenedioxythiophene PEDOT:PSS Poly(3,4- ethylenedioxythiophene):(poly(styrenesulfonate) PLED Polymer Light Emitting Diode (Diode phát quang polymer) PVK PolyVinyl Karbazone QLED Quantum dots Light Emitting Diode (Diode phát quang chấm lượng tử) SSL Solid State Lighting TPD N, N’-diphenyl-N, N’-bis(3-methyl phenyl)-1,1’biphenyl4,4’-diamine v DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 3.1: Cấu trúc dự kiến Q-LED 30 Bảng 3.2: Kết đo độ dày mẫu với tốc độ quay 5000 rms 35 Bảng 3.3: Kết độ dày mẫu với tốc độ 2000 rms 37 Bảng 3.4: Điện trở mặt sau phủ poly TPD 39 vi DANH MỤC CÁC HÌNH Hình 1.1 Lịch sử đèn chiếu sáng Hình 1.2 Nguyên lý hoạt động LED Hình 1.3 Cấu tạo OLED 10 Hình 1.4 Cấu tạo mức lượng lớp Q-LED 13 Hình 1.5 Nguyên lý hoạt động Q-LED 13 Hình 2.1 Cấu tạo máy Spin coating 18 Hình 2.2 Các giai đoạn phương pháp quay phủ 19 Hình 2.3 Sơ đồ nguyên lý hệ bốc bay nhiệt 20 Hình 2.4 Sơ đồ chế tạo chấm lượng tử CdSe 21 Hình 2.5 Nguyên lý trình phún xạ 22 Hình 2.6 Mơ kính hiển vi lực nguyên tử 24 Hình 2.7 Sơ đồ đo bốn mũi dò 25 Hình 2.8 Sơ đồ khối hệ đo huỳnh quang 26 Hình 2.9 Hệ đo phổ huỳnh quang phân giải cao 28 Hình 2.10 Máy quang phổ hấp thụ chùm tia 28 Hình 2.11 Máy quang phổ hấp thụ hai chùm tia 29 Hình 3.1 Tiếp giáp lớp anốt lớp phun lỗ trống 31 Hình 3.2 Ảnh AFM đế ITO 32 Hình 3.3 Ảnh AFM nồng độ 5000 rms 33 Hình 3.4 Độ dày màng mẫu 2mg/ml 34 Hình 3.5 Độ dày màng mẫu 2,5 mg/ml 34 Hình 3.6 Độ dày màng mẫu mg/ml 34 Hình 3.7 Độ dày màng mẫu 5mg/ml 35 Hình 3.8 Ảnh AFM với nồng độ khác 2000 rms 36 Hình 3.9 Độ dày màng mẫu 2mg/ml 36 Hình 3.10 Độ dày màng mẫu 2,5 mg/ml 36 vii Hình 3.11 Độ dày màng mẫu mg/ml 37 Hình 3.12 Độ dày màng mẫu mg/ml 37 Hình 3.13 Giản đồ lượng anode - HIL - HTL 38 Hình 3.14 Độ dày màng poly TPD 39 Hình 3.15 Chế tạo TeO2 (khí màu nâu bốc lên 40 Hình 3.16 Giản đồ nhiễu xạ tia X TeO2 sau chế tạo 40 Hình 3.17 Tạo phức Cd2+/MSA 41 Hình 3.18 Tạo mầm vi tinh thể CdTe 41 Hình 3.19 Dung dịch CdTe điều kiện khác 42 Hình 3.20 Phổ hấp thụ huỳnh quang CdTe QDs 43 Hình 3.21: Ảnh huỳnh quang trước phủ CdTe 43 Hình 3.22: Ảnh huỳnh quang sau phủ CdTe 43 Hình 3.23 Phổ huỳnh quang chấm lượng tử CdTe theo lớp 44 Hình 3.24 Giản đồ lượng ETL - cathode 45 Hình 3.25 Kết đo độ dày màng Alq3 46 Hình 3.26 Ảnh QLED phịng thí nghiệm 46 Hình 3.27 Phổ phát xạ điện tử mẫu Diode phát quang CdTe 47 Hình 3.28 Đường đặc trưng V-A Diode phát quang sử dụng chấm lượng tử CdTe 47 MỞ ĐẦU Hiện Khoa học Công nghệ nano hướng nghiên cứu nhiều quốc gia quan tâm Các sản phẩm mà Cơng nghệ nano tạo có nhiều tính ứng dụng hữu ích cho đời sống xã hội, y tế, dân sinh an ninh quốc phòng Ở nước ta lĩnh vực Khoa học Công nghệ nano đầu tư nghiên cứu triển khai đạt nhiều kết khả quan, trường đại học, viện nghiên cứu Năng lượng xem vấn đề cốt yếu tiến trình phát triển xã hội mà nhân loại phải đối mặt kỷ XXI Những năm gần đây, nhu cầu lượng lớn cho phát triển kinh tế - xã hội tất quốc gia, khủng hoảng lượng toàn cầu ngày trở nên trầm trọng Hiện nay, nhu cầu lượng nước ta lớn, chiếu sáng chiếm tới 30% tổng điện Tuy nhiên, sản lượng điện nhà máy không đáp ứng kịp so với nhu cầu sử dụng Một vấn đề lớn đặt cho khoa học kỹ thuật dụng cụ thiết bị điện tử phải tốn lượng “đầu vào” phải có hiệu “đầu ra” ngày cao (hiệu suất tăng, kích thước nhỏ…) để phục vụ hiệu cho nhu cầu ngày tăng mà đảm bảo an toàn lượng tồn cầu Trong bối cảnh đó, dụng cụ thiết bị phát sáng, hiển thị không ngoại lệ Có thể nói lịch sử phát triển ánh sáng q trình lồi người tìm tịi, phát triển nguồn sáng hiệu hơn, phù hợp với người Trước kỷ XIX, ba công nghệ chiếu sáng truyền thống người là: cháy sáng, chiếu sáng bóng đèn dây tóc đèn phóng điện huỳnh quang Ba công nghệ truyền thống đạt tiến đáng kể 200 năm qua hiệu chuyển đổi lượng chiếu sáng đạt từ 1% đến tối đa 25% Sang cuối kỷ XX, công nghệ chiếu sáng thứ tư đời chiếu sáng trạng thái rắn (Solid State Lighting - SSL) SSL thể loại ánh sáng nhân tạo phát từ linh kiện phát quang làm từ diode phát 38 thấp, mức HOMO phải cao xấp xỉ với cơng anode Điều làm giảm rào anode lớp hữu tiếp giáp, lỗ trống dễ dàng phun vào lớp (hình 3.13) Hình 3.13 Giản đồ lượng anode - HIL - HTL Lớp truyền lỗ trống sử dụng rộng rãi ngày PEDOT:PSS, TPD,… có độ truyền qua cao vùng nhìn thấy khả truyền lỗ trống tốt, dễ dàng chế tạo dạng màng mỏng phương pháp khác bốc bay chân không, quay phủ lý tâm,… Ở đây, vật liệu sử dụng poly TPD (5,2 eV), có khả phóng điện cao khả ion hóa thấp, có độ ổn định cao mơi trường nhiệt Poly TPD hịa tan Chlorobenzen với nồng độ mg/ml Trên lớp MoOx, dung dịch phủ phương pháp spin coating với tốc độ 2000 rms 30s, sau ủ 1500C 30 phút Sau ủ, mẫu đem đo điện trở mặt để xác định độ dẫn Hình 3.15 kết đo độ dày mẫu sau phủ poly TPD, cho thấy màng phủ poly TPD không đều, độ dày màng ~ 100nm Độ dẫn màng tốt ~ 106 Ω/m2 Với mẫu có nồng độ mg/ml thu độ dẫn tốt Kết đo điện trở mặt sau phủ poly TPD trình bày bảng 3.4 Kết cho thấy với mẫu poly TPD 2mg/ml mẫu quay với 39 tốc độ 5000 vịng/phút khơng đo điện trở mặt Các mẫu lại quay với tốc độ 2000 vòng/phút cho kết điện trở mặt tương đối thấp (tương ứng độ dẫn cao) Bảng 3.4: Điện trở mặt sau phủ poly TPD Mẫu Điện trở mặt ( mg/ml - 2,5 mg/ml 6,803 mg/ml 6,76 mg/ml 6,89 Hình 3.14 Độ dày màng poly TPD 3.2.3 Lớp phát quang Lớp phát quang lớp quan trọng nhất, exciton tái hợp phát ánh sáng Chính vậy, vật liệu phát quang phải đảm bảo phù hợp mặt lượng với lớp khác QLED, cho tái hợp đạt hiệu tốt Nếu vùng phát quang gần catốt gây tượng dập tắt exciton làm giảm cường độ ánh sáng phát Vì vậy, vật liệu phát quang phải có độ linh động cao (cả electron lỗ trống), độ dày vị trí thích hợp để đảm bảo phát quang không bị dập tắt Ngồi ra, q trình hoạt động, tác dụng điện trường dòng điện, lớp phát quang phải thỏa mãn yêu cầu ổn định với nhiệt độ tác nhân hóa học 40 Bên cạnh việc chế tạo khảo sát lớp, việc chế tạo chấm lượng tử CdTe công việc chủ yếu học viên Chấm lượng tử CdTe chế tạo phương pháp thủy nhiệt, ban đầu mầm CdTe chế tạo nhiệt độ phịng sau phát triển thành kích thước khác nhờ trình thủy nhiệt 120oC thời gian 1, 2, 3, Cụ thể: từ tiền chất ban đầu Sodium borohydride (NaBH4, Merck) 99%, bột Tellurium (Te, Poole England) 99,8%, Cadmium dibromide (CdBr2.4H2O, Poole England) 99%, mercaptosuccinicacid (MSA, Aldrich) 99%, dung dịch NaOH 1M, chúng tơi tiến hành bước thí nghiệm sau: 3.2.3.1 Chế tạo TeO2 - Hòa tan bột Te lượng dư dung dịch HNO3 loãng, nhiệt độ phản ứng trì khoảng 50÷800C Khi bổ sung HNO3 thấy xuất phản ứng tạo bọt khí màu nâu theo phương trình hóa học: Te +4HNO3 lỗng,nóng  H2TeO3 + 4NO2+ H2O (1) H2TeO3  TeO2 + O2 (2) - Sau thời gian 3÷4 giờ, bọt khí ngừng bốc lên dung dịch kết tủa màu ghi tan thêm (dù tách riêng để thêm lượng dư HNO 3) (hình 3.15) Hình 3.15: Chế tạo TeO2 (khí Hình 3.16: Giản đồ nhiễu xạ tia X TeO2 màu nâu bốc lên sau chế tạo 41 - Tiếp đó, dung dịch H2TeO3 + HNO3 dư lọc giấy lọc cô cạn nhằm loại bỏ HNO3 dư phân hủy H2TeO3 thành TeO2, kết cho bột TeO2 màu trắng Hình 3.16 trình bày giản đồ nhiễu xạ tia X TeO2 chế tạo được, cho thấy TeO2 hình thành, kết tinh tốt 3.2.3.2 Qui trình chế tạo CdTe từ TeO2 MSA - Bước 1: Tạo phức Cd2+/MSA Cho CdBr2.4H2O 30ml H2O MSA 30ml H2O với tỷ lệ mol Cd:MSA = 2:3 vào cốc thủy tinh, thu dung dịch suốt, khơng màu có pH = 3÷4 Sau thêm từ từ NaOH vào dung dịch chứa phức Cd2+/MSA ban đầu xuất đám trắng đục (hình 3.17) polime hóa phức Cd2+/MSA thêm tiếp NaOH dung dịch suốt trở lại (pH 7) dừng lại Hình 3.17 Tạo phức Cd2+/MSA Hình 3.18 Tạo mầm vi tinh thể CdTe - Bước 2: Chế tạo mầm vi tinh thể CdTe Dung dịch phức Cd2+/MSA điều chỉnh có pH = nhằm mục đích tạo Na2TeO3 theo phương trình phản ứng (3) Thêm bột TeO2 vừa chế tạo kết hợp với khuấy mạnh vào dung dịch phức Cd2+/MSA với tỷ lệ Cd:Te=1:0.25 Thêm NaBH4 vào dung dịch, khấy 30 phút Chất trung gian Na2TeO3 42 phản ứng với NaBH4 tạo thành HTe- (phương trình 4) phản ứng với Cd2+ tạo CdTe (phương trình 5), dung dịch mầm có màu vàng nhạt (hình 3.18) TeO2 + 2OH-  TeO32-+ H2O (3) 4TeO32- + 3BH4- + 4H2O  4HTe- + 3B3+ + 16(OH)- (4) 2HTe- + Cd2+  CdTe + H2 (5) - Bước 3: phát triển vi tinh thể CdTe Mầm tinh thể CdTe sau đưa vào bình thủy nhiệt thủy nhiệt 120 oC theo thời gian khác (gọi thời gian phát triển mầm) từ đến Kết cho chấm lượng tử với kích thước khác nhau, có màu phát quang thay đổi từ xanh  vàng nhạt  cam  đỏ (hình 3.19) Hình 3.19a dung dịch chấm lượng tử CdTe chế tạo ánh sáng thường Hình 3.19b dung dịch chấm lượng tử CdTe soi đèn flash điện thoại (a) (b) Hình 3.19 Dung dịch CdTe điều kiện khác Các chấm lượng tử sau chế tạo sử dụng làm lớp phát quang QLED CdTe spin coating lên lớp poly TPD với tốc độ 2000 rms 30s, sau ủ 80 0C 30 phút Hình 3.20 phổ hấp thụ huỳnh quang mẫu CdTe dung làm lớp phát quang 43 493 nm 40000 526 nm 35000 Huúnh quang HÊp thô 30000 25000 20000 15000 10000 5000 400 HÊp thơ (®vtc) Hnh quang (®vtc) 450 500 550 600 650 B-íc sãng (nm) Hình 3.20 Phổ hấp thụ huỳnh quang CdTe QDs Hình 3.20 phổ hấp thụ huỳnh quang, cho thấy chấm lượng tử CdTe có đỉnh hấp thụ bước sóng 493 nm, đỉnh huỳnh quang bước sóng 526 nm cho thấy phát xạ xanh chấm lượng tử Hình 3.21, 3.22 ảnh huỳnh quang lớp sau chế tạo trước phủ chấm lượng tử CdTe sau phủ CdTe kích thích laser 355 nm Hình 3.21: Ảnh huỳnh quang trước Hình 3.22: Ảnh huỳnh quang sau khi phủ CdTe phủ CdTe Với lớp phát quang, nghiên cứu cường độ phát quang phụ thuộc vào số lớp phủ Các lớp phát quang phủ spin coating với tốc độ 2000 vòng/phút thời gian 30s Kết đo huỳnh quang phụ thuộc 44 vào số lớp Từ kết quả, thấy cường độ huỳnh quang phụ thuộc vào lớp phát quang Cường độ tăng theo tăng số lớp Do số lớp tăng, nồng độ dung dịch chấm lượng tử nhiều dẫn đến cường độ phát quang tăng Hình 3.23 phụ thuộc cường độ huỳnh quang theo số lớp Hình 3.23 Phổ huỳnh quang chấm lượng tử CdTe theo lớp 45 3.2.4 Lớp truyền điện tử Lớp truyền điện tử chất bán dẫn hữu loại n Vật liệu dùng làm ETL cách hiệu phải có mức LUMO thấp ion hóa cao Lớp ETL cần phải tương thích với HTL để có trình truyền tải hạt với cân điện tích truyền vào lớp EML (hình 3.24) Để hồn thiện trình truyền tải điện tử, hầu hết phân tử gốc cần pha tạp với phân tử có tính chất huỳnh quang Q trình pha tạp dẫn đến tăng độ linh động hạt tải, xác suất tái hợp cao ánh sáng phát có màu độ sáng hồn thiện Phức hữu kim loại Alq3 vật liệu phân tử nhỏ có tính đối xứng phân tử cao, sử dụng làm lớp ETL làm tăng hiệu suất lượng tử Hơn nữa, trình chế tạo lớp màng mỏng Alq3 dễ dàng Chúng có độ ổn định tốt nhiệt độ khác tạo nhiều loại đế khác Hình 3.24 Giản đồ lượng ETL - cathode Vật liệu sử dụng làm lớp truyền điện tử Alq3 Trên lớp phát quang, màng Alq3 tạo phương pháp bốc bay nhiệt thời gian 6p, áp suất 10-5 Tor Sau tạo thành, màng đo độ dày thiết bị đo độ dày Alpha - Step IQ thuộc Viện Khoa học vật liệu Màng tạo thành tương đối đồng với độ dày màng vào cỡ ~ 200 nm (hình 3.25) 46 Hình 3.25 Kết đo độ dày màng Alq3 3.3 Hoàn thiện qui trình nghiên cứu chế tạo Q-LED qui mơ phịng thí nghiệm Sau tạo điện cực, chế tạo lớp, tiến hành cấp điện cho QLED Điện áp cấp cho QLED ~ 3-5 V Hình 3.26 hình ảnh QLED phịng thí nghiệm (a), QLED chuẩn bị đo (b) hình ảnh QLED phát sáng cấp điện áp (c) Hình 3.26 Ảnh QLED phịng thí nghiệm 47 Với mẫu CdTe khác chúng tơi tiến hành khảo sát cường độ phát quang theo cường độ dòng điện máy quang phổ iHR550 Kết cho thấy tăng cường độ dòng điện lên 40 mA - 50 mA cường độ phát quang tăng Khi cường độ lớn 50 mA cường độ phát quang giảm dần Điều cho thấy LED chế tạo chưa ổn định Và cấp dòng cho diode phần dịng điện chuyển thành nhiệt nên khả phát quang (hình 3.27) Hình 3.27 Phổ phát xạ điện tử mẫu Diode phát quang CdTe Hình 3.28 Đường đặc trưng V-A Diode phát quang sử dụng chấm lượng tử CdTe 48 Hình 3.28 biểu diễn đường đặc trưng V-A mẫu diode CdTe đo thiết bị aMixer MGA lặp lại lần Ta thấy tăng từ V lên V có tăng điện tử vào tinh thể CdTe (hình 3.28) Khi tăng cao 10 V dòng cao dẫn đến phá hủy vật liệu bên cấu trúc 49 KẾT LUẬN Sau thời gian quan tâm làm luận văn, tập trung nghiên cứu chế tạo diode phát quang sử dụng chấm lượng tử bán dẫn Q-LED thu số kết sau: Tạo lớp Q-LED Đã khảo sát đặc tính phát quang CdTe với lớp phát quang khác có cường độ phát quang tốt Đã tiến hành phủ lớp truyền điện tử Alq3 điện cực âm Bước đầu chế tạo Q-LED phát sáng quy mơ phịng thí nghiệm Luận văn bước đầu nghiên cứu chế tạo diode phát quang sử dụng chấm lượng tử bán dẫn Q-LED Chúng tơi cải tiến, hồn thiện quy trình chế tạo để thu Q-LED phát sáng tốt 50 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tài liệu tiếng Việt [1] Trần Thị Kim Chi (2010), Hiệu ứng kích thước ảnh hưởng lên tính chất quang CdS, CdSe, CdIn , Luận án Tiến sĩ khoa học, Viện Khoa học Vật liệu [2] Vũ Đức Chính (2011), Nghiên cứu chế tạo, tính chất quang chấm lượng tử CdSe với cấu trúc lõi/vỏ định hướng ứng dụng, Luận án tiến sĩ, Viện Khoa học Vật liệu [3] Đỗ Ngọc Chung (2014), Nghiên cứu cấu trúc, tính chất điện huỳnh quang vật liệu lai nano sử dụng chiếu sáng mới, Luận án Tiến sĩ, Đại học Công nghệ, Đại học quốc gia Hà Nội [4] Nguyễn Năng Định (2014), Polymer dẫn điốt phát quang hữu cơ, Nhà xuất đại học Quốc gia Hà Nội [5] Nguyễn Quang Liêm (2011), Chấm lượng tử bán dẫn CdSe, CdTe, InP CuIn : Chế tạo, tính chất quang ứng dụng, Nhà xuất khoa học tự nhiên công nghệ [6] Nguyễn Văn Ngọc (2009), Phổ hấp thụ huỳnh quang nano tinh thể bán dẫn CdS CdS/ZnS chế tạo AOT, Khóa luận tốt nghiệp, Đại học Sư phạm Thái Nguyên [7] Lê Trấn (2017), Phương pháp bốc bay, Luận án Tiến sĩ [8] Hoàng Sơn (2015), Nghiên cứu tính chất màng ZnO pha tạp Cu, Khóa luận tốt nghiệp, Đại học Khoa học Tự nhiên [9] Lịch sử đời phát triển đèn, Công ty TNHH công nghệ xúc tiến thương mại HALECO [10] (2010), Khảo sát tính chất quang điện Alq3 - ứng dụng chế tạo OLED, Khóa luận tốt nghiệp 51 Tài liệu tiếng Anh [11] B Bowers and P Anastas, Lengthening the day: a history of lighting technology: oxford university Press Oxford, 1998 [12] Highly transparent quantum-dot light-emitting diodes with sputtered indium-tin-oxide electrodes Department of Electrical and Electronics Engineering, South University of Science and Technology of China, Shenzhen, P R China [13] Fei Chen and Q.Lin and H.Wang (2016), “Enhanced performance of quantum dot based light emitting diodes with gold nanoparticle doped hole injection layer”, Nanoscale Research Letters, doi:10.1186/s11671016-1573-8 [14] Hugh W Hillhouse, Matthew C Beard (2009), Current Opinion in Colloid & Interface Science 14, 245-259 [15] Hyunki Kim and J.Han (2011), Journal of Crystal Growth, 326, 90 - 93 [16] Joanna Kolny - Olesiak and H.Weller (2013), Appied Materials & Interfaces, 5, 12221 - 12237 [17] Shaojian Hel and S.Lil and F.Wang (2013), “Efficient quantum dot light emitting diodes with solution processable molybdenum oxide as the anode buffer layer”, Nanotechnology, 24, 175201(7pp) [18] Soonil Lee and Nang Dinh Nguyen and Huu Tuan Nguyen (2013), “Application os solution – processed meatl oxide layers as charge transport layers for CdSe/ZnS quantum dot LEDs”, Nanotechnology, 24, 115201 (5pp) [19] Yixing Yang and Y.Zheng (2015), “High – efficiency light emitting devices based on quantum dots with tailored nanostructures”, Nature photonics, 36 52 [20] An Introduction to Ultraviolet/Visible Molecular Absorption Spectrometry Haiying Liu, Department of Chemistry, Michigan Technological University, Houghton, MI 49931 ... quan đến nghiên cứu chế tạo diode phát quang sử dụng hợp chất hữu làm chất phát quang vùng phổ khác Việc sử dụng chấm lượng tử làm chất phát quang cấu trúc diode phát quang vấn đề tập trung nghiên. .. đề tài nghiên cứu ? ?Nghiên cứu chế tạo diode phát quang sử dụng chấm lượng tử bán dẫn (Q- LED) ” lựa chọn với mục tiêu nghiên cứu đặc điểm, tính chất lớp cấu tạo nên Q- LED  Mục đích nghiên cứu -... LED sử dụng Một số nhóm tăng khả hoạt động QLED cách tăng hiệu suất lượng tử huỳnh quang lớp phát quang sử dụng chấm lượng tử giảm khả tái hợp điện tử mặt tiếp xúc Mặc dù chấm lượng tử phát quang