Bài giảng kỹ thuật vi điện tử
1 2 . 4 . 4 . 5 1.3 . 7 1.4 . 9 1.5 . 10 1.6- 12 1.7- ) 13 1.8 13 16 2.1. . 16 16 . 17 2.1.3. . 17 . 18 18 Oxide 19 . 81 20 Transistor NPN . 20 21 Collector 21 2.4.4. . 22 2.5. Diode 23 2.6.Diode Schottky 24 . 25 2.8. . 27 2.9. Tranzitor PNP . 23 2.10. . 28 28 -MOS 30 -MOS 30 . 31 33 34 . 35 36 36 . 39 . 39 . 40 . 41 3.6.Quang 42 . 42 3.6.2. . 43 43 44 . 46 47 3 . 50 . 54 54 55 . 55 . 56 . 56 . 56 3.8. Epitaxy . 58 3.8.1. M 58 . 58 . 59 3.8.4. Epitaxy GaAS 60 . 61 61 . 62 63 3.1 . 69 69 70 3.10 . 71 . 71 71 . 72 72 73 . 73 74 76 77 . 78 . 78 . 79 82 . 82 82 . 82 . 82 82 . 82 82 -Transistor- Logic) . 83 - Transistor- Logic) 84 - Transistor- Logic) 84 . 85 . 85 . 86 86 4 1.1 hoàn toàn khác nhau và nó cho nguyê trúc ô . u g kim c . 5 Hình 1.4 Hình1.5 1.2. 6 x y z Hinh 1.6 trong hình 1.6 x, y và z. này không : r px qy sz p, q và s p, q và s . N c x, y, z y z x 2y 1z 3x Hình 1.7 , và s=1. + ; 1/1) + /6; 6/6) Miller. 7 (hình 1.7) Hình 1.8. trong hình 1.8. vì p=1, và ng a . 1.3 h , 1 atm. Hình 1.9: -Si 8 Hình 1.9. - Có i y Hãy tính 1150 0 C (1-ong 0,5= 0,22x + 0,58(1-x) 0,22 9 1.4 - Ec Ev Eg = E Hình 1.10: Vùng dẫn linh là • Vùng cấm: • Vùng hóa trị: do. N E V E C dù E C và E V E C và E V E G ta có: = E C E V 10 - Hình 1.11: Khi bán . , . - Tình hình 1.11 1.5 . h góp chung. . 23 2.6.Diode Schottky