Đang tải... (xem toàn văn)
Điện cực kim cương pha tạp Bo đã được sử dụng để ghi đường von-ampe hòa tan xung vi phân của dung dịch HgII. Trong dung dịch nền chứa HgII 5 ppb, KCl 0,03 M, AuIII 0,5 ppm, đỉnh hòa tan của thủy ngân xuất hiện sau khi làm giàu ở -900 mV trong 300 s.
TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ, Trường Đại học Khoa học – ĐH Huế Tập 7, Số (2017) KHẢO SÁT MỘT SỐ YẾU TỐ ẢNH HƢỞNG ĐẾN TÍN HIỆU VON-AMPE HÒA TAN XUNG VI PHÂN CỦA HgII TRÊN ĐIỆN CỰC KIM CƢƠNG PHA TẠP Bo Lê Thị Thùy1*, Hồng Thái Long2 Sở Khoa học & Cơng nghệ tỉnh Quảng Nam Khoa Hóa học, trường Đại học Khoa học, Đại học Huế * Email: lethuy09.qn@gmail.com TÓM TẮT Điện cực kim cương pha tạp Bo sử dụng để ghi đường von-ampe hòa tan xung vi phân dung dịch HgII Trong dung dịch chứa HgII ppb, KCl 0,03 M, AuIII 0,5 ppm, đỉnh hòa tan thủy ngân xuất sau làm giàu -900 mV 300 s Làm điện cực sau phép đo 800 mV 10 s không làm tăng giá trị Ip, làm tăng đáng kể độ lặp lại phép đo Kết đo lặp lại 18 lần cho thấy, Ip đo lặp lại tốt nồng độ HgII ppb Với thời gian điện phân làm giàu 300 s, giới hạn phát HgII tính theo quy tắc 3 0,08 ppb, giới hạn định lượng 0,3ppb Từ khóa: BDD, điện cực kim cương, thủy ngân, von-ampe hòa tan ĐẶT VẤN ĐỀ Thủy ngân kim loại nặng có độc tính cao người nhiều loài sinh vật khác Trong nguồn nước, thủy ngân thường tồn dạng v t si u v t Để phát định lượng Hg mẫu nước, cần sử dụng phương pháp phân tích có độ nhạy cao quang ph h p thụ nguy n tử , quang ph huỳnh quang nguy n tử F , khối ph plasma cặp cảm ứng ICP-MS) [1] Mặc dù có độ nhạy độ xác cao, phương pháp n u tr n phải sử dụng thi t bị đắt tiền, chi phí phân tích cao Với mục đích giảm chi phí phân tích, nhiều nghi n cứu thực để định lượng thủy ngân phương pháp phân tích điện hóa, đặc biệt phương pháp von-ampe h a tan anot (ASV) Điện cực làm việc thường sử dụng để phân tích thủy ngân phương pháp V điện cực rắn đĩa vàng, điện cực sợi vàng, vi sợi vàng than thủy tinh k t hợp màng vàng [1] Do có nhiều ưu điểm so với loại điện cực truyền thống, gần đây, điện cực kim cương pha tạp bo (boron doped diamond, BDD quan tâm nghi n cứu để xác định thủy ngân phương pháp ASV [2-6] Mặc dù có nhiều cơng trình nghi n cứu phát triển phương pháp điện hóa để xác định Hg, nhiều lý khác nhau, chưa có phương pháp điện hóa để định lượng Hg áp dụng rộng rãi thực t [3] 77 ii Khảo sát số yếu tố ảnh hưởng đến tín hiệu von-ampe hịa tan xung vi phân Hg … Bài báo trình bày số k t khảo sát điều kiện để ghi tín hiệu von-ampe hịa tan xung vi phân (DP-ASV) thủy ngân tr n điện cực BDD số y u tố ảnh hưởng nhằm cung c p thông tin ban đầu để phát triển phương pháp điện hóa xác định ion kim loại THỰC NGHIỆM 2.1 Hóa chất dụng cụ Các dung dịch chuẩn HgII chuẩn bị từ dung dịch chuẩn gốc HgII 1000 mg/L (Merck) Dung dịch CuII 10 ppm chuẩn bị từ dung dịch CuII 1000 ppm (Merck Dung dịch u 10 mM chuẩn bị cách h a tan H uCl4.3H2O Merck dung dịch HCl 0,1 M Các loại thuốc thử khác pha ch từ hóa ch t tinh t dùng cho phân tích Merck Dùng nước c t lần để pha ch hóa ch t Các thí nghiệm ti n hành tr n thi t bị 797 V Computrace Metrohm với hệ điện cực: điện cực BDD (Windsor Scientific, Anh); điện cực so sánh: g/ gCl/KCl 3M điện cực phụ trợ Pt 2.2 Tiến hành Chuẩn bị điện cực Lắp điện cực BDD vào bình điện phân chứa HCl 1,5 M hoạt hóa th -2 V khoảng thời gian 300 s; ti p tục hoạt hóa điện cực dung dịch tr n cách quét th theo ch độ von-ampe v ng từ -500 mV đ n +800 mV, tốc độ quét th 35 mV/s, lặp lại 10 v ng L y điện cực khỏi bình điện phân, rửa cẩn thận nước c t lần trước sử dụng Ghi đường von-ampe hòa tan Phương pháp von-ampe hòa tan để định lượng Hg tr n điện cực BDD, dựa tr n sở phản ứng điện hóa sau [5]: Giai đoạn làm giàu: HgII + 2e Hg0 Giai đoạn h a tan: Hg0 – 2e HgII N u mẫu có chứa ion Cl xảy phản ứng: Hg2+ + Hg0 + 2Cl Hg2Cl2 Hg2Cl2 k t tủa l n bề mặt điện cực khó bị h a tan giai đoạn làm điện hóa, làm giảm độ lặp lại tín hiệu phân tích Để khắc phục, th m AuIII [5], CuII [2] vào dung dịch phân tích Trong giai đoạn làm giàu, u0, Cu0 bám l n bề mặt điện cực tạo hỗn hống với Hg0, hạn ch tạo thành Hg2Cl2 Cho dung dịch nghi n cứu chứa HgII, KCl, AuIII vào bình điện phân Điện phân làm giàu th Edep thời gian tdep để tập trung Hg Au l n bề mặt điện cực K t thúc giai đoạn này, ngừng quay điện cực nghỉ s - 10 s au đó, quét th theo chiều dương dần từ Edep đ n +800 mV kỹ thuật xung vi phân DP Để phép đo có độ lặp lại tốt, ti n hành làm 78 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ, Trường Đại học Khoa học – ĐH Huế Tập 7, Số (2017) BDD sau phép đo kỹ thuật điện hoá Xác định th Ep) dịng (Ip đỉnh hồ tan từ đường von-ampe hịa tan thu Xác định nồng độ thủy ngân phương pháp th m chuẩn KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN Dựa vào nhiều công bố trước đây, số điều kiện thí nghiệm ĐKTN ban đầu cố định để ti n hành thí nghiệm khảo sát trình bày bảng Bảng Một số điều kiện cố định ban đầu để ghi Ip DP- STT Các thông số Th điện phân làm giàu Thời gian điện phân Tốc độ quay Khoảng quét th V HgII tr n điện cực BDD Ký hiệu Edep tdep Urange Đơn vị mV s rpm V Giá trị 900 300 1400 -1 1,4 Các thí nghiệm sơ thực với ch t điện ly (HCl, H2SO4 KCl) ch t tạo màng AuIII, CuII K t thí nghiệm cho th y, có dung dịch chứa KCl k t hợp với AuIII cho phép ghi Ip nhạy lặp lại Do đó, thành phần dung dịch chọn để ti n hành thí nghiệm khảo sát sau 3.1 Ảnh hƣởng nồng độ KCl Cố định điều kiện ban đầu, chuẩn bị dung dịch phân tích chứa HgII ppb, AuIII 1,5 ppm, KCl có nồng độ tăng dần từ M đ n 0,3 M K t thực nghiệm cho th y tăng dần nồng độ KCl từ M đ n 0,3 M, cường độ đỉnh h a tan thủy ngân Ip) bắt đầu tăng dần sau giảm Có thể nồng độ Cl cao k t tủa Hg2Cl2 khó tan k t tủa l n bề mặt điện cực nhiều hơn, cản trở trình điện hóa Ngược lại nồng độ Cl th p nồng độ Cl– không đủ để tạo phức với uIII, ảnh hưởng đ n trình khử vàng tạo hỗn hống với thủy ngân, n n Ip thủy ngân giảm có độ lặp lại Khi dung dịch phân tích khơng chứa KCl, khơng đỉnh HgII không xu t rõ, mà đỉnh h a tan vàng bị tách đôi, không cân đối Ở nồng độ KCl 0,03 M, Ip HgII cao cân đối n n nồng độ chọn cho thí nghiệm ti p theo 10 Ip (uA) RSD(%) 2 0 0.03 0.06 0.09 0.12 0.15 0.18 0.21 0.24 0.27 CKCl (M) 0.3 0.33 Hình Bi n thiên giá trị Ip RSD theo nồng độ KCl ĐKTN: HgII ppb; AuIII 1,5 ppm; ĐKTN khác bảng 79 RSD (%) Ip (μA) ii Khảo sát số yếu tố ảnh hưởng đến tín hiệu von-ampe hịa tan xung vi phân Hg … 3.2 Ảnh hƣởng nồng độ AuIII Trong trình điện phân làm giàu, uIII chuyển thành u0 k t tủa l n bề mặt điện cực tạo hỗn hống với Hg0 hạn ch tạo thành k t tủa khó tan Hg2Cl2 l n bề mặt điện cực Để đánh giá ảnh hưởng nồng độ uIII đ n tín hiệu h a tan HgII ti n hành thí nghiệm sau: Cố định nồng độ HgII KCl dung dịch phân tích tương ứng ppb 0,03 M, thay đ i nồng độ uIII từ 0,25 ppm đ n 3,0 ppm K t ghi Ip cho th y nồng độ AuIII < 0,5 ppm, Ip th p độ lặp lại không tốt RSD = 7,0 %) Nguyên nhân nồng độ uIII tạo lượng u0 k t tủa tr n bề mặt điện cực khơng đủ để hình thành hỗn hống với Hg0 để hạn ch trình tạo thành k t tủa Hg2Cl2, làm tín hiệu h a tan HgII giảm đáng kể Đối với nồng độ uIII 0,5 ppm tín hiệu h a tan HgII cao lặp lại tốt Để ti t kiệm hóa ch t, chọn nồng độ AuIII 0,5 ppm để ti n hành thí nghiệm ti p theo Ip (μA) 10 Ip (uA) RSD(%) RSD (%) 0 0.5 1.5 CAu (ppm) 2.5 Hình Bi n thiên Ip RSD theo nồng độ AuIII ĐKTN: HgII ppb; KCl 0,03 M; Edep = -900 mV;tdep = 300 s 3.3 Ảnh hƣởng thời gian điện phân giàu 3 Th điện phân làm giàu Udep) Trong giai đoạn làm giàu áp vào điện cực th đủ âm, HgII bị khử Hg0 tạo hỗn hống với u kim loại tr n bề mặt điện cực làm việc Do đó, th đủ âm Hg làm giàu tr n bề mặt điện cực làm việc Khảo sát ảnh hưởng th điện phân làm giàu khoảng từ -700 mV đ n -1200 mV, th y Udep -900mV, Ip đạt giá trị cực đại, đồng thời độ lặp lại k t đo Ip tốt Ip = 3,04 µA; RSD = 4,7% Vì vậy, th điện phân làm giàu -900 mV chọn để sử dụng cho thí nghiệm ti p theo 3 Thời gian điện phân làm giàu tdep) Cường độ d ng đỉnh hòa tan phụ thuộc nhiều vào thời gian điện phân làm giàu Để xác định thời gian điện phân thích hợp với dung dịch phân tích chứa HgII ppb, ti n hành ghi Ip thời gian điện phân tăng dần từ 60 s đ n 580 s Khi tăng thời gian điện phân làm giàu từ 60 s đ n 580 s, hiệu làm giàu tăng Ip tăng dần Khi tdep = 300 s, cường độ d ng đỉnh h a tan đạt giá trị tương đối lớn, độ lặp lại tốt (Ip =2,32 µA; RSD = 3,4%) Để ti t kiệm thời gian thực thí nghiệm, thời gian điện phân 300 s chọn để ti n hành nghi n cứu ti p theo 80 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ, Trường Đại học Khoa học – ĐH Huế 15 10 Ip (μA) Ip (μA) 4 15 10 0 -1300-1200-1100-1000 -900 -800 -700 -600 Udep (mV) 0 Hình Ảnh hưởng th điện phân làm giàu đ n Ip Hg 20 Ip (uA) RSD(%) RSD (%) 20 Ip (uA) RSD(%) RSD (%) Tập 7, Số (2017) 60 120 180 240 300 360 420 480 540 600 tdep (s) Hình Ảnh hưởng thời gian điện phân làm II giàu đ n Ip HgII ĐKTN: HgII ppb; AuIII 0,5 ppm; KCl 0,03 M; ĐKTN: HgII ppb; AuIII 1,5 ppm; KCl 0,03 M; tdep = 300 s Edep = -900 mV 3.4 Ảnh hƣởng thời gian làm Th làm Uclean) Khi k t thúc q trình hịa tan, làm bề mặt điện cực cách áp vào th dương th hịa tan ch t phân tích (gọi th làm để hòa tan kim loại sản phẩm khác tập trung bề mặt điện cực giai đoạn làm giàu Ti n hành khảo sát Uclean khoảng từ 0,6 V đ n 1,4 V K t thực nghiệm cho th y Uclean = 0,8 V, Ip đạt giá trị cực đại (Ip=3,4), độ lặp lại tốt với RSD = 2% Thời gian làm tclean) Khi tăng thời gian làm khoảng từ s đ n 120 s, giá trị trung bình Ip không thay đ i Tuy vậy, không áp th làm tclean = s độ lặp lại k t đo khơng tốt, không ti n hành giai đoạn làm bề mặt điện cực bị thay đ i sau phép đo li n ti p ảnh hưởng đ n độ n định trình điện cực Ở tclean = 10 s Ip cao độ lặp lại r t tốt R D = 0,9% Do đó, tclean =10 s, sử dụng để ti n hành nghiên cứu ti p theo 15 10 15 10 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 Eclean (mV) 0 Hình Ảnh hưởng th làm đ n Ip Hg 20 Ip (uA) RSD(%) RSD (%) 20 Ip (μA) Ip (μA) Ip (uA) RSD(%) RSD (%) 20 40 60 80 tclean (s) 100 120 Hình Ảnh hưởng thời gian làm đ n Ip II HgII ĐKTN: HgII ppb; AuIII 0,5 ppm; KCl 0,03 M; Edep ĐKTN: HgII ppb; AuIII 0,5 ppm; KCl 0,03 M; Edep = -900 mV; tdep = 300 s = -900 mV; tdep = 300 s 81 ii Khảo sát số yếu tố ảnh hưởng đến tín hiệu von-ampe hịa tan xung vi phân Hg … 3.5 Ảnh hƣởng tốc độ quay cực () Tốc độ quay điện cực ảnh hưởng nhiều đ n q trình vận chuyển ch t phân tích đ n bề mặt điện cực Vì vậy, ảnh hưởng đ n q trình điện hóa giai đoạn phân tích phương pháp von-ampe h a tan Ti n hành khảo sát ảnh hưởng tốc độ quay cực từ 200 đ n 1600 vòng/phút K t khảo sát cho th y, Ip tăng tỷ lệ với tốc độ quay điện cực Độ lặp lại Ip tốt tốc độ quay cực đạt từ 1000 v ng/phút trở l n Để tránh tình trạng dung dịch bị bắn l n thành bình quay cực với tốc độ lớn, tốc độ quay 1200 v ng/phút (Ip =4,26 µA; RSD =1,4%) lựa chọn để ti n hành thí nghiệm ti p theo 3.6 Ảnh hưởng thông số kỹ thuật von-ampe xung vi phân Các thông số kỹ thuật von-ampe xung vi phân có liên quan chặt chẽ với nhau, chúng có tác động t ng hợp đ n th đỉnh hòa tan (Ep) Ip thủy ngân 3.6.1 Bi n độ xung Uampli ) Bi n độ xung y u tố ảnh hưởng lớn đ n chiều cao (Ip) bề rộng peak Ghi Ip HgII bi n đ i Uampli khoảng 10 mV 100 mV K t thí nghiệm cho th y, tăng bi n độ xung từ 10 mV đ n 70 mV Ip tăng dần từ 0,9 µ đ n 5,16 µ au đó, n u ti p tục tăng Uampli từ 70 mV đ n 100 mV Ip tăng chậm, đồng thời có dịch chuyển th đỉnh h a tan HgII phía âm dần Chọn Uampli = 70 mV (Ip =5,21 µA; RSD = 1,3% để ti n hành khảo sát ti p theo 3.6.2 Tốc độ quét th (v) Ip (μA) 4 2 0 10 20 30 40 50 Ip (uA) 60 70 80 90 RSD(%) Uampli (mV) Hình Ảnh hưởng bi n độ xung (U ampli đ n Ip II 4 100 10 Ip (μA) RSD(%) 8 RSD (%) 10 Ip (uA) RSD (%) 10 15 20 25 30 35 40 45 50 ν (mV/s) Hình Ảnh hưởng tốc độ quét th đ n Ip của Hg HgII ĐKTN: HgII ppb; AuIII 0,5 ppm; KCl 0,03 M; Edep ĐKTN: HgII ppb; AuIII 0,5 ppm; KCl 0,03 M; Edep = -900 mV; tdep = 300 s = -900 mV; tdep = 300 s Ti n hành ghi Ip dung dịch phân tích chứa HgII ppb bi n đ i ν từ đ n 50 mV/s Vì tốc độ quét th phụ thuộc vào thời gian bước th (tstep bước th (Ustep n n để bi n đ i tốc độ quét th từ đ n 50 mV/s, giữ cố định Ustep = mV thay đ i tstep từ 0,12 s đ n 1,2 s K t cho th y, tốc độ quét tăng lên từ đ n 35 mV/s Ip tăng lên r t nhanh, sau tăng chậm lại Ở tốc độ quét th 35 mV/s, Ip cao, độ lặp lại tốt (Ip = 6,11 µA; RSD = 0,8%) 82 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ, Trường Đại học Khoa học – ĐH Huế Tập 7, Số (2017) n n chọn tốc độ quét th để khảo sát thí nghiệm ti p theo 3.7 Độ lặp lại, khoảng tuyến tính giới hạn phát 3.7.1 Độ lặp lại Ti n hành ghi Ip lặp lại dung dịch nghiên cứu với điều kiện thích hợp lựa chọn K t thí nghiệm cho th y độ lặp lại k t ghi Ip tốt nồng độ nhỏ HgII ppb (Ip(TB) =2,30 µA; RSD = 4,7%, n=9); Khi nồng độ HgII ppb độ lặp lại Ip r t tốt, với RSD = 1,0% (n=9) 3.7.2 Khoảng n tính Ghi Ip dung dịch phân tích với nồng độ thủy ngân tăng dần từ 0,4 đ n 10 ppb K t biểu diễn hình K t thí nghiệm cho th y Ip phụ thuộc n tính vào nồng độ HgII khoảng nồng độ từ 0,4 đ n 3,0 ppb Khi nồng độ HgII tăng tr n ppb Ip giảm, điều không phù hợp với quy luật thông thường tăng dần nồng độ ch t phân tích Ip thường tăng, sau tăng chậm dần đạt giá trị bão h a Hiện tượng b t thường nồng độ AuIII dùng để ngăn chặn tạo thành k t tủa Hg2Cl2 thí nghiệm c n th p phù hợp với nồng độ HgII ppb Vì vậy, tăng nồng độ HgII, mà không tăng AuIII, Hg0 k t tủa tr n bề mặt điện cực nhanh chóng bị chuyển thành Hg2Cl2 che phủ điện cực, làm Ip thủy ngân giảm mạnh Ip (μA) 0 CHg (ppm) 10 Hình Bi n thiên tín hiệu hịa tan Ip theo nồng độ HgII dụng phương pháp bình phương tối thiểu để xác định phương trình hồi quy n tính Ip – CHgII khoảng nồng độ HgII từ 0,4 đ n 3,0 ppb, ta có phương trình sau: Ip = (1,707 0,065) CHgII hệ số tương quan: R = 0,9957 3.7.3 Giới hạn phát giới hạn định lượng Dựa vào k t thí nghiệm dùng để xác định khoảng n tính phương trình hồi quy n tính, áp dụng quy tắc 3, xác định giá trị giới hạn phát (LOD) giới hạn định lượng (LOQ) phép định lượng HgII: LOD = 0,08 ppb; LOQ = 0,3 ppb 83 ii Khảo sát số yếu tố ảnh hưởng đến tín hiệu von-ampe hịa tan xung vi phân Hg … KẾT LUẬN Có thể ghi tín hiệu von-ampe hịa tan xung vi phân dung dịch HgII tr n điện cực kim cương pha tạp bo dung dịch chứa KCl 0,03 M; AuIII 0,5 ppm Th điện phân làm giàu thích hợp -900 mV Trong điều kiện thí nghiệm báo, khoảng n tính Ip-CHg hẹp (0,08 3,0 ppb Điều nồng độ AuIII th m vào bình điện phân cịn th p, chưa phù hợp với khoảng nồng độ lớn HgII Với 300 s điện phân làm giàu, LOD LOQ (theo quy tắc 3) 0,08 ppb 0,3 ppb Các k t khảo sát bước đầu, cho th y ti p tục nghiên cứu để phát triển phương pháp định lượng HgII kỹ thuật von-ampe hòa tan anốt xung vi phân dùng điện cực kim cương pha tạp bo TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Maria Zaib et al (2015) Electrochemical determination of inorganic mercury and arsenic - A review, Biosens Bioelectron, 74, pp 895-908 [2] Chaiyo S., et al (2014) Highly sensitive determination of mercury using copper enhanced by diamond electrode coupled with sequential injection-anodic stripping voltammetry, Anal Chem Acta, 852, pp 55-62 [3] Kenedy J.H (1990) Analytical Chemistry Principles, Saunder College Publishing, USA, nd ed [4] Macpherson J.V (2015) A practical guide to using boron doped diamond in electro-chemical, Phys Chem Chem Phys., 17, pp 2935-2949 [5] Manivannan (2005) Mecury detection at boron doped diomond electrodes using a rotating disk technique J Electronal.Chem, 557, pp 287-293 [6] Seehra M., Manivannan A., Fujishma A (2004) Dectection of mercury at ppb level in solution using boron-doped diamond electrode, Fuel Process Technol, 85, pp 513-519 84 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ, Trường Đại học Khoa học – ĐH Huế Tập 7, Số (2017) AN INVESTIGATION OF FACTORS AFFECTING DIFFERENTIAL PULSE STRIPPING VOLTAMMETRIC SIGNALS OF HgII ON BORON DOPED DIAMOND ELECTRODE Le Thi Thuy1*, Hoang Thai Long2 Quang Nam Department of Science & Technology Department of Chemistry, Hue University College of Sciences * Email: lethuy09.qn@gmail.com ABSTRACT Boron doped diamond (BDD) electrode was used to obtain the differential pulse stripping voltammograms of HgII solutions In a solution containing HgII ppb, KCl 0.03 M and AuIII 0.5 ppm, stripping peak of HgII was recorded after a deposition step of 300 s at -900 mV After each run, BDD electrode was electrochemically cleaned by applying a cleaning potential of 800 mV in 10 s This cleaning step did not increase stripping current of HgII, but significantly improved the repeatability Results of 18 replicated measurements indicated that, the repeatability of Ip were good even at very low concentration of HgII With a deposition time of 300s, the limit of detection and limit of quantification of Hg II calculated using “3 rule” were 0.08 ppb and 0.3 ppb, respectively Key words: BDD, diamond electrode, mercury, voltammetry 85 ...ii Khảo sát số yếu tố ảnh hưởng đến tín hiệu von-ampe hịa tan xung vi phân Hg … Bài báo trình bày số k t khảo sát điều kiện để ghi tín hiệu von-ampe hòa tan xung vi phân (DP-ASV) thủy... lượng HgII: LOD = 0,08 ppb; LOQ = 0,3 ppb 83 ii Khảo sát số yếu tố ảnh hưởng đến tín hiệu von-ampe hòa tan xung vi phân Hg … KẾT LUẬN Có thể ghi tín hiệu von-ampe hịa tan xung vi phân dung dịch HgII. .. ĐKTN: HgII ppb; AuIII 1,5 ppm; ĐKTN khác bảng 79 RSD (%) Ip (μA) ii Khảo sát số yếu tố ảnh hưởng đến tín hiệu von-ampe hòa tan xung vi phân Hg … 3.2 Ảnh hƣởng nồng độ AuIII Trong trình điện phân